RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
KSA539YBU	0.0300	RFQ	8619	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3					400 MW		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	9,000																												45 v	200 ma						100na（icbo）					PNP	500MV @ 15MA、150MA	120 @ 50MA、1V	-
FCI25N60N	-	RFQ	9481	フェアチャイルド半導体	Supremos™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		FCI25		モスフェット（金属酸化物）			i2pak（to-262）	-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1			nチャネル					600 V	25a（tc）	10V	125mohm @ 12.5a 、10V	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	3352 PF @ 100 V	-	216W
fqb10n20ltm	0.5900	RFQ	5050	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）			d2pak（to-263）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	457			nチャネル					200 v	10a（tc）	5V、10V	360mohm @ 5a、10V	2V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±20V	830 PF @ 25 V	-	3.13W （TA ）、87W（TC）
FQPF6N40C	0.5900	RFQ	7	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック				モスフェット（金属酸化物）			TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル					400 V	6a（tc）	10V	1OHM @ 3A 、10V	4V @ 250µA	20 NC @ 10 V	±30V	625 PF @ 25 V	-	38W
MBRP745TU	0.3000	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2				ショットキー			TO-220-2	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns																	45 v		650 mV @ 7.5 a		1 MA @ 45 v	-65°C〜150°C	7.5a	-
HGTP5N120CN	-	RFQ	5235	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3			標準		167 w		TO-220AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1				960V 、5.5a																							npt	1200 v	25 a	40 a	2.4V @ 15V 、5.5a	400µj（640µj （オフ）	75 NC	22ns/180ns
1N754ATR	0.0500	RFQ	55	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸					500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	5,000																					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 1 V														6.8 v	5オーム
rhrg1560cc_nl	1.0000	RFQ	8803	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-247-3				雪崩			TO-247	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns																1ペア共通カソード	600 V	15a	2.1 V @ 15 a	40 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C
KSD1621RTF	0.1400	RFQ	6823	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA					500 MW		SOT-89-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	170																												25 v	2 a						100na（icbo）					npn	400MV @ 75MA 、1.5a	100 @ 100MA 、2V	150MHz
FDS6670A	0.3900	RFQ	110	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）			8-SOIC	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	779			nチャネル					30 V	13a（ta）	4.5V 、10V	8mohm @ 13a 、10v	3V @ 250µA	30 NC @ 5 V	±20V	2220 PF @ 15 V	-	2.5W
MM5Z43V	0.0200	RFQ	54	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±7％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523F		MM5Z4			200 MW		SOD-523F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	8,000																							50 Na @ 30.1 v														43 v	150オーム
FDMS7672	0.5200	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn				モスフェット（金属酸化物）			Power56	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	623			nチャネル					30 V	19a（タタ）、28a（tc）	4.5V 、10V	5mohm @ 19a 、10V	3V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2960 PF @ 15 V	-	2.5W
HUF76132p3	0.9000	RFQ	800	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ												ダウンロード		未定義のベンダー	未定義のベンダー	2156-HUF76132p3-600039		0000.00.0000	1
FSB50825TB2	5.2700	RFQ	49	フェアチャイルド半導体	SPM®	チューブ	アクティブ			穴を通して	23-powerdip モジュール（0.748 "、19.00mm）	IGBT	FSB50825						-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	15	3フェーズ				4 a	250 v	1500VRMS
1N5249B	1.8400	RFQ	50	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸					500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	163																					1.2 V @ 200 mA		100 Na @ 14 V														19 v	23オーム
FFAF10U170STU	0.6000	RFQ	117	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止			穴を通して	to-3pf				標準			to-3pf-2l	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	360		高速回復= <500ns																	1700 v		2.2 V @ 10 a	140 ns	100 µA @ 1700 v	-65°C〜150°C	10a	-
BZX79C15-T50R	0.0300	RFQ	35	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸					500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	11,539																					1.5 V @ 100 MA		50 Na @ 10.5 v														15 V	30オーム
BC308	-	RFQ	4627	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3					500 MW		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	1,036																												25 v	100 Ma						15na					PNP	500MV @ 5MA 、100mA	120 @ 2MA 、5V	130MHz
FDMD8260L	1.6600	RFQ	122	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	12-POWERWDFN		FDMD8260		モスフェット（金属酸化物）	1W		12-Power3.3x5	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1	2 nチャンネル（デュアル）							60V	15a		5.8mohm @ 15a 、10V	3V @ 250µA	68NC @ 10V		5245pf @ 30V	-
SS9012HBU	0.0300	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3		SS9012			625 MW		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																												20 v	500 Ma						100na（icbo）					PNP	600mv @ 50ma 、500ma	144 @ 50MA、1V	-
FDU6N25	0.2500	RFQ	8	フェアチャイルド半導体	unifet™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK				モスフェット（金属酸化物）			i-pak	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1,211			nチャネル					250 v	4.4a（tc）	10V	1.1OHM @ 2.2A 、10V	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	250 PF @ 25 V	-	50W （TC）
FDMS86204	0.8700	RFQ	21	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ												-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー				3,000
Hufa76439p3	0.5700	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	ultrafet™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）			TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	400			nチャネル					60 V	75a（tc）	4.5V 、10V	12mohm @ 75a 、10V	3V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±16V	2745 PF @ 25 V	-	155W
RFP12N10L	-	RFQ	5242	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ												ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-RFP12N10L-600039			1
FQA5N90	1.1200	RFQ	523	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-3p-3、SC-65-3				モスフェット（金属酸化物）			to-3p	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	450			nチャネル					900 V	5.8a（tc）	10V	2.3OHM @ 2.9A 、10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1550 PF @ 25 V	-	185W
FDB52N20TM	-	RFQ	2904	フェアチャイルド半導体	unifet™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）			d2pak（to-263）	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル					200 v	52a（tc）	10V	49mohm @ 26a 、10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2900 PF @ 25 V	-	357W
KSP8099TF	0.0200	RFQ	25	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3					625 MW		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	15,000																												80 v	500 Ma						100NA					npn	300MV @ 10MA 、100mA	100 @ 1MA 、5V	150MHz
fqd19n10ltf	0.3400	RFQ	3288	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）			TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	5			nチャネル					100 V	15.6a	5V、10V	100mohm @ 7.8a 、10V	2V @ 250µA	18 NC @ 5 V	±20V	870 PF @ 25 V	-	2.5W （TA ）、50W（TC）
FMG2G75US60	35.4500	RFQ	48	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	午後7時					310 w	標準	午後7時	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	15	ハーフブリッジ																										-	600 V	75 a		2.8V @ 15V 、75a				250 µA	いいえ			7.056 NF @ 30 V
FDMC6890NZ	0.3700	RFQ	14	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	6-wdfn露出パッド		FDMC6890		モスフェット（金属酸化物）	1.92W 、1.78W		マイクロフェット3x3mm	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	804	2 nチャンネル（デュアル）							20V	4a		68mohm @ 4a 、4.5V	2V @ 250µA	3.4NC @ 4.5V		270pf @ 10V	ロジックレベルゲート

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²