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離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
HUF76639S3st-F085	-	RFQ	3591	フェアチャイルド半導体	ultrafet™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）			d²pak（ to-263）	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-HUF76639S3st-F085-600039			1			nチャネル	100 V	51a（tc）	10V	26mohm @ 51a 、10V	3V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±16V	2400 PF @ 25 V	-	180W
KSA1201OTF	0.1400	RFQ	10	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA			1 W		SOT-89-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	4,000																								120 v	800 Ma		100na（icbo）				PNP	1V @ 50ma 、500ma	80 @ 100MA 、5V	120MHz
FQPF13N50T	-	RFQ	1468	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック		モスフェット（金属酸化物）			TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	50			nチャネル	500 V	12.5a（tc）	10V	430mohm @ 6.25a 、10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	56W （TC）
bav20tr	-	RFQ	6030	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準			do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0070	30,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度													200 v		1.25 V @ 200 mA	50 ns	100 na @ 200 v	175°C （最大）	200mA	5PF @ 0V、1MHz
FQP12N60	1.2500	RFQ	9	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）			TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル	600 V	10.5a	10V	700mohm @ 5.3a 、10V	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	1900 pf @ 25 v	-	180W
FFSH2065A	-	RFQ	9891	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-247-2		sic （炭化シリコン）ショットキー			TO-247-2	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-FFSH2065A-600039			1		回復時間なし> 500ma													650 V		1.75 V @ 20 a	0 ns	200 µA @ 650 V	-55°C〜175°C	25a	1085pf @ 1V 、100kHz
1N5391	0.0200	RFQ	77	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸		標準			DO-15	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	4,000		標準回復> 500ns													50 v		1.4 V @ 1.5 a		5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1.5a	25pf @ 4V、1MHz
2N3904	0.0500	RFQ	9872	フェアチャイルド半導体	-	トレイ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3			625 MW		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠			2156-2N3904-FS	ear99	8541.21.0075	25																								40 v	200 ma		50NA				npn	300mv @ 5ma 、50ma	100 @ 10ma、1V	300MHz
FEP16CT	0.4700	RFQ	90	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3		標準			TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns												1ペア共通カソード	150 v	16a	950 mv @ 8 a	35 ns	10 µA @ 150 v	-55°C〜150°C
FDFMA2P853	0.3600	RFQ	22	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	6-vdfn露出パッド		モスフェット（金属酸化物）			6- マイクロフェット（2x2）	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			pチャネル	20 v	3a（ta）	1.8V 、4.5V	120mohm @ 3a 、4.5V	1.3V @ 250µA	6 NC @ 4.5 v	±8V	435 PF @ 10 V	ショットキーダイオード（分離）	1.4W
Bay73	1.0000	RFQ	7722	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準			do-35 （do-204ah）	ダウンロード					ear99	8541.10.0070	1		標準回復> 500ns													125 v		1 V @ 200 mA	1 µs	5 Na @ 100 V	175°C （最大）	500mA	8pf @ 0V、1MHz
1N5234B	0.0300	RFQ	542	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して				500 MW		-	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	11,539																			5 µA @ 4 V										6.2 v	7オーム
BC547ATA	0.0300	RFQ	15	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3			500 MW		to-92-3	ダウンロード					ear99	8541.21.0075	8,959																								45 v	100 Ma		15NA				npn	600MV @ 5MA 、100mA	110 @ 2MA 、5V	300MHz
FQB3N60CTM	0.6100	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）			d2pak（to-263）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	800			nチャネル	600 V	3a（tc）	10V	3.4OHM @ 1.5A 、10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	565 PF @ 25 V	-	75W
FJY3007R	0.0200	RFQ	15	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止			表面マウント	SC-89 、SOT-490	FJY300		200 MW		SOT-523F	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	15,000																								50 v	100 Ma		100na（icbo）				npn-バイアス化	300MV @ 500µA 、10mA	68 @ 5MA 、5V	250 MHz	22 Kohms	47 Kohms
1N4733ATR	0.0300	RFQ	5700	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W		do-204al（do-41）	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	2,351																			10 µA @ 1 V										5.1 v	7オーム
FDG410NZ	-	RFQ	3863	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363		モスフェット（金属酸化物）			SC-88	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1,787			nチャネル	20 v	2.2a（ta）	1.5V 、4.5V	70mohm @ 2.2a 、4.5V	1V @ 250µA	7.2 NC @ 4.5 v	±8V	535 PF @ 10 V	-	420MW
FMG1G400US60H	104.0200	RFQ	21	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール			1136 w	標準	-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル																						-	600 V	400 a	2.7V @ 15V 、400A	250 µA	いいえ
FDI9409-F085	1.0600	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		モスフェット（金属酸化物）			i2pak（to-262）	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-FDI9409-F085-600039			1			nチャネル	40 v	80a（tc）	10V	3.8mohm @ 80a 、10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2980 PF @ 25 V	-	94W
huf75309d3st_nl	0.4000	RFQ	4483	フェアチャイルド半導体	ultrafet™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）			dpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.29.0095	597			nチャネル	55 v	19a（tc）	10V	70mohm @ 19a 、10V	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 PF @ 25 V	-	55W （TC）
FDZ293P	0.2400	RFQ	50	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	9-VFBGA		モスフェット（金属酸化物）			9-BGA （1.5x1.6）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	3,000			pチャネル	20 v	4.6a（ta）	2.5V 、4.5V	46mohm @ 4.6a 、4.5V	1.5V @ 250µA	11 NC @ 4.5 v	±12V	754 PF @ 10 V	-	1.7W
NDB6030L	1.7200	RFQ	580	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）			TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル	30 V	52a（tc）	4.5V 、10V	13.5mohm @ 26a 、10v	3V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±16V	1350 PF @ 15 V	-	75W
FJC1386QTF	0.1000	RFQ	3	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA			500 MW		SOT-89-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	3,144																								20 v	5 a		500na（icbo）				PNP	1V @ 100MA 、4a	120 @ 500MA 、2V	-
BCX799	0.0200	RFQ	3616	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-	穴を通して	TO-226-3			625 MW		to-92-3	-	適用できない				ear99	0000.00.0000	370																								45 v	500 Ma		10na				PNP	600MV @ 2.5MA 、100MA	80 @ 10ma、1V	-
1N5818	5.2900	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	1N58	ショットキー			do15/do204ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	57		高速回復= <500ns													30 V		875 mV @ 3 a		1 MA @ 200 v	-50°C〜150°C	1a	-
BC337-25	-	RFQ	9755	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3			625 MW		to-92	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	1																								45 v	800 Ma		100NA				npn	700mv @ 50ma 、500ma	160 @ 100MA、1V	100MHz
FQD4N25TM	0.2600	RFQ	27	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）			TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル	250 v	3a（tc）	10V	1.75OHM @ 1.5A 、10V	5V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	±30V	200 pf @ 25 v	-	2.5W （TA）、 37W （TC）
FDZ202P	0.2700	RFQ	152	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	12-wfbga		モスフェット（金属酸化物）			12-BGA （2x2.5）	ダウンロード	ROHS非準拠				ear99	8541.29.0095	3,000			pチャネル	20 v	5.5a（ta）	2.5V 、4.5V	45mohm @ 5.5a 、4.5V	1.5V @ 250µA	13 NC @ 4.5 v	±12V	884 PF @ 10 V	-	2W （TA）
SFI9Z14TU	0.1700	RFQ	3	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		モスフェット（金属酸化物）			i2pak（to-262）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.29.0095	1			pチャネル	60 V	6.7a（tc）	10V	500mohm @ 3.4a 、10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 PF @ 25 V	-	3.8W
FCU4300N80Z	0.6000	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	superfet®ii	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	to-251-3		モスフェット（金属酸化物）			i-pak	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル	800 V	1.6a（tc）	10V	4.3OHM @ 800MA 、10V	4.5V @ 160µA	8.8 NC @ 10 V	±20V	355 PF @ 100 V	-	27.8W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²