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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
BZX55C2V7 Fairchild Semiconductor BZX55C2V7 0.0200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±7％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 17,780 1.3 V @ 100 MA 10 µA @ 1 V 2.7 v 85オーム
MM3Z47VC Fairchild Semiconductor MM3Z47VC 0.0200
RFQ
 ECAD 9857 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F MM3Z47 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 2,913 1 V @ 10 mA 45 Na @ 33 v 47 v 160オーム
GBPC1202 Fairchild Semiconductor GBPC1202 3.1600
RFQ
 ECAD 248 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C QC端子 4 平方、GBPC 標準 GBPC ダウンロード ear99 8541.10.0080 95 1.1 V @ 6 a 5 µA @ 200 V 12 a 単相 200 v
MM3Z68VC Fairchild Semiconductor MM3Z68VC 0.0200
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 mA 45 Na @ 47.6 v 68 v 226オーム
FQI3P20TU Fairchild Semiconductor fqi3p20tu 0.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 pチャネル 200 v 2.8a（tc） 10V 2.7OHM @ 1.4A 、10V 5V @ 250µA 8 NC @ 10 V ±30V 250 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、52W（TC）
FNB40560B2 Fairchild Semiconductor FNB40560B2 -
RFQ
 ECAD 7267 0.00000000 フェアチャイルド半導体 spm®45 バルク アクティブ 穴を通して 26-POWERDIP モジュール（1.024 "、26.00mm IGBT FNB40 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.39.0001 1 3フェーズ 5 a 600 V 2000VRMS
FFD08S60S Fairchild Semiconductor FFD08S60S 0.3600
RFQ
 ECAD 222 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 2,500
FGI3040G2 Fairchild Semiconductor FGI3040G2 1.2400
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1
HUFA76633P3 Fairchild Semiconductor Hufa76633p3 1.0700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 100 V 39a 4.5V 、10V 35mohm @ 39a、10V 3V @ 250µA 67 NC @ 10 V ±16V 1820 pf @ 25 v - 145W
MM3Z22VC Fairchild Semiconductor MM3Z22VC 0.0200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 mA 45 Na @ 15.4 v 22 v 51オーム
FDAF62N28 Fairchild Semiconductor FDAF62N28 2.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 360 nチャネル 280 v 36a（tc） 10V 51mohm @ 18a 、10v 5V @ 250µA 100 NC @ 10 V ±30V 4630 PF @ 25 V - 165W
FGP3040G2-F085 Fairchild Semiconductor FGP3040G2-F085 -
RFQ
 ECAD 9455 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive、AEC-Q101 、ECOSPARK® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 論理 150 W TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 - - 400 V 41 a 1.25V @ 4V、6a - 21 NC 900ns/4.8µs
FDH400 Fairchild Semiconductor FDH400 0.0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8542.39.0001 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 150 v 1.1 V @ 300 Ma 50 ns 100 Na @ 150 V 175°C （最大） 200mA 2PF @ 0V、1MHz
KSP43TA Fairchild Semiconductor ksp43ta -
RFQ
 ECAD 9057 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 200 v 500 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 2MA 、20MA 40 @ 30ma 、10V 50MHz
BCW66G Fairchild Semiconductor BCW66G -
RFQ
 ECAD 7087 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 45 v 1 a 20na npn 700mv @ 50ma 、500ma 160 @ 100MA、1V 100MHz
FCP16N60N Fairchild Semiconductor FCP16N60N 3.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Supremos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 93 nチャネル 600 V 16a（tc） 10V 199mohm @ 8a 、10v 4V @ 250µA 52.3 NC @ 10 V ±30V 2170 PF @ 100 V - 134.4W
FQB55N06TM Fairchild Semiconductor FQB55N06TM 0.8800
RFQ
 ECAD 696 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 60 V 55a（tc） 10V 20mohm @ 27.5a 、10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±25V 1690 PF @ 25 V - 3.75W （TA ）、 133W （TC
FSBM10SM60A Fairchild Semiconductor FSBM10SM60A 18.5000
RFQ
 ECAD 176 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SPM® バルク アクティブ 穴を通して 32-POWERDIP モジュール（1.370 "、34.80mm） IGBT ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 48 3フェーズ 10 a 600 V 2500VRMS
FDMS7560S Fairchild Semiconductor FDMS7560S 0.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8541.29.0095 409 nチャネル 25 v 30a（ta ）、49a（tc） 4.5V 、10V 1.45mohm @ 30a 、10v 3V @ 1MA 93 NC @ 10 V ±20V 5945 PF @ 13 V - 2.5w
FDS9934C Fairchild Semiconductor FDS9934C -
RFQ
 ECAD 2274 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS9934 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nおよびpチャネル 20V 6.5a 、5a 30mohm @ 6.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 9NC @ 4.5V 650pf @ 10V ロジックレベルゲート
BAV74 Fairchild Semiconductor bav74 0.0400
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BAV74-600039 ear99 8541.10.0070 1
FCH043N60 Fairchild Semiconductor FCH043N60 11.2600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 27 nチャネル 600 V 75a（tc） 10V 43mohm @ 38a 、10V 3.5V @ 250µA 215 NC @ 10 V ±20V 12225 PF @ 400 v - 592W
BD13910S Fairchild Semiconductor BD13910S 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1.25 w TO-126-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1,219 80 v 1.5 a 100na（icbo） npn 500MV @ 50MA 、500MA 63 @ 150MA 、2V -
SS29FA Fairchild Semiconductor SS29FA 0.1300
RFQ
 ECAD 9231 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント SOD-123W ショットキー SOD-123FA ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,711 高速回復= <500ns 90 v 850 mV @ 2 a 100 µA @ 90 V -55°C〜150°C 2a 120pf @ 4V、1MHz
KSA733YBU Fairchild Semiconductor KSA733YBU -
RFQ
 ECAD 2870 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 250 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 1MA 、6V 180MHz
FDM3622 Fairchild Semiconductor FDM3622 1.0000
RFQ
 ECAD 5205 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-mlp （3.3x3.3） ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル 100 V 4.4a（ta） 6V 、10V 60mohm @ 4.4a 、10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 1090 PF @ 25 V - 2.1W
SB530 Fairchild Semiconductor SB530 -
RFQ
 ECAD 2713 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-201AA SB53 ショットキー DO-2011 ダウンロード ear99 8541.10.0080 869 高速回復= <500ns 30 V 550 mv @ 5 a 500 µA @ 30 V -50°C〜150°C 5a -
FQB8N60CFTM Fairchild Semiconductor fqb8n60cftm 1.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 600 V 6.26a（tc） 10V 1.5OHM @ 3.13A 、10V 4V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±30V 1255 PF @ 25 V - 147W
HUF75639S3 Fairchild Semiconductor HUF75639S3 -
RFQ
 ECAD 3715 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-HUF75639S3-600039 1 nチャネル 100 V 56a（tc） 10V 25mohm @ 56a 、10V 4V @ 250µA 130 NC @ 20 V ±20V 2000 PF @ 25 V - 200W （TC）
IRLM110ATF Fairchild Semiconductor IRLM110ATF 1.0000
RFQ
 ECAD 1456 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA モスフェット（金属酸化物） SOT-223-4 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 4,000 nチャネル 100 V 1.5a 5V 440mohm @ 750ma 、5v 2V @ 250µA 8 NC @ 5 V ±20V 235 pf @ 25 v - 2.2W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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