画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX84C5V6-FS | 0.0200 | ![]() | 3013 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C5 | 250 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,003 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT200-FS | 0.0300 | ![]() | 155 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 45 v | 500 Ma | 50NA | PNP | 400MV @ 20MA 、200mA | 100 @ 150ma 、5v | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C30 | - | ![]() | 5468 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C30 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 21 V | 30 V | 80オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4410A | 1.0000 | ![]() | 2286 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FDS44 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 10a(ta) | 13.5mohm @ 10a 、10V | 3V @ 250µA | 16 NC @ 5 V | 1205 PF @ 15 V | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z11V | - | ![]() | 7089 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523F | MM5Z1 | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4736A-T50A | 0.0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4736 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,414 | 10 µA @ 4 V | 6.8 v | 3.5オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF5N50UTYDTU | 0.6300 | ![]() | 49 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | FDPF5N | - | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS9408 | 0.6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | FDMS940 | - | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMA0104 | 0.3100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-wdfn露出パッド | FDMA01 | モスフェット(金属酸化物) | 6- マイクロフェット(2x2) | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 9.4a(ta) | 14.5mohm @ 9.4a 、4.5V | 1V @ 250µA | 17.5 NC @ 4.5 v | 1680 pf @ 10 v | - | 1.9W | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N486B | 1.0000 | ![]() | 1948年年 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 250 v | 1 V @ 100 MA | 50 Na @ 225 v | 175°C | 200mA | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqpf9n50c | 0.9100 | ![]() | 404 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 500 V | 9a(tc) | 800mohm @ 4.5a 、10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±30V | 1030 PF @ 25 V | - | 44W | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V6 | 0.0200 | ![]() | 131 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C3 | 250 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5243B | - | ![]() | 9857 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 13オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST92MTF | - | ![]() | 7917 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | KST92 | 250 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 300 V | 500 Ma | 250na(icbo) | PNP | 500MV @ 2MA 、20MA | 25 @ 30ma 、10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N459 | 1.0000 | ![]() | 5458 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N459 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1 V @ 100 MA | 25 Na @ 175 v | 175°C (最大) | 500mA | 6PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 73282 | 0.4900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 7328 | - | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 2,500 | 60V | 12a | 107mohm @ 8a、5v | 3V @ 250µA | 6.2NC @ 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFB20UP20DN-SB82195 | 0.7700 | ![]() | 100 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C13 | 0.0200 | ![]() | 178 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C13 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 13 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS20 | 0.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS20 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 150 v | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 150 V | -55°C〜150°C | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C33 | - | ![]() | 4290 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 250 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 23.1 v | 33 v | 80オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDH300A_NL | 0.5700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | DO-35 | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 125 v | 1 V @ 200 mA | 1 Na @ 125 v | 175°C (最大) | 200mA | 6PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR0540 | - | ![]() | 5722 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 510 mv @ 500 Ma | 20 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 500mA | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW62 | 0.0200 | ![]() | 247 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BAW62 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 75 v | 1 V @ 100 MA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175°C (最大) | 300mA | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | bav103-g | 0.0400 | ![]() | 260 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ3N513ZT | 0.3200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 4-XFBGA 、WLCSP | モスフェット(金属酸化物) | 4-wlcsp(1x1) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 1.1a | 462mohm @ 300ma 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 1 NC @ 4.5 v | +5.5V、-300MV | 85 PF @ 15 V | ショットキーダイオード(分離) | 1W | |||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z3V3 | 1.0000 | ![]() | 4066 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±6.06% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bav21 | 0.0200 | ![]() | 339 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | bav21 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 250 v | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 na @ 200 v | -50°C〜200°C | 250ma | 5PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4751A-T50A | 0.0500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4751 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 22.8 v | 30 V | 40オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70SV | 0.0700 | ![]() | 197 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | BAS70 | ショットキー | SOT-563F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 2独立 | 70 v | 70ma | 1 V @ 15 mA | 8 ns | 2.5 µA @ 70 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C2V7-T50A | 0.0200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79C2 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 MA | 75 µA @ 1 V | 2.7 v | 100オーム |
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