SIC
close

離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
MMBZ5251B Fairchild Semiconductor MMBZ5251B -
RFQ
 ECAD 3855 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 17 V 22 v 29オーム
KSC2715YMTF Fairchild Semiconductor ksc2715ymtf 0.0600
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 - 表面マウント TO-236-3 150 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 50 Ma 100na（icbo） npn 400MV @ 1MA 、10MA 120 @ 2MA、12V 400MHz
1N5401 Fairchild Semiconductor 1N5401 -
RFQ
 ECAD 8738 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-201AA 標準 軸 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 2,746 標準回復> 500ns 100 V 1 V @ 3 a 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 3a -
FQD2N60TF Fairchild Semiconductor FQD2N60TF 0.5100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 2a（tc） 10V 4.7OHM @ 1A 、10V 5V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±30V 350 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、45W（TC）
PN4249 Fairchild Semiconductor PN4249 0.0500
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 6,662 60 V 500 Ma 10na （icbo） PNP 250mv @ 500µa 、10ma 100 @ 100µA 、5V -
1N5231C Fairchild Semiconductor 1N5231C 0.0300
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 10,490 1.1 V @ 200 mA 5 µA @ 2 V 5.1 v 17オーム
MMBZ5257B Fairchild Semiconductor MMBZ5257B -
RFQ
 ECAD 2324 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 25 V 33 v 58オーム
FQU7P06TU Fairchild Semiconductor fqu7p06tu 1.0000
RFQ
 ECAD 2194 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 5,040 pチャネル 60 V 5.4a（tc） 10V 451mohm @ 2.7a 、10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ±25V 295 PF @ 25 V - 2.5W
FJY4013R Fairchild Semiconductor FJY4013R 0.0200
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SC-89 、SOT-490 FJY401 200 MW SOT-523F ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 68 @ 5MA 、5V 200 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
RS1MFP Fairchild Semiconductor RS1MFP 1.0000
RFQ
 ECAD 4998 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント SOD-123H rs1m 標準 SOD-123HE ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1000 V 1.3 V @ 1.2 a 300 ns 5 µA @ 1000 v -55°C〜150°C 1.2a 18pf @ 0V、1MHz
SI9435DY Fairchild Semiconductor SI9435DY -
RFQ
 ECAD 6076 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC - ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 30 V 5.3a（ta） 4.5V 、10V 50mohm @ 5.3a 、10V 3V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±20V 690 PF @ 15 V - 2.5W
SGR6N60UFTF Fairchild Semiconductor sgr6n60uftf 1.0000
RFQ
 ECAD 1585 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 sgr6n 標準 30 W TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 300V、3A 、80OHM、15V - 600 V 6 a 25 a 2.6V @ 15V、3a 57µj（on25µj （オフ） 15 NC 15ns/60ns
HUF76633S3ST Fairchild Semiconductor HUF76633S3ST 0.5000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 100 V 39a 4.5V 、10V 35mohm @ 39a、10V 3V @ 250µA 67 NC @ 10 V ±16V 1820 pf @ 25 v - 145W
FDP039N08B-F102 Fairchild Semiconductor FDP039N08B-F102 4.7500
RFQ
 ECAD 399 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 80 v 120a（tc） 10V 3.9mohm @ 100a 、10V 4.5V @ 250µA 133 NC @ 10 V ±20V 9450 PF @ 40 V - 214W
FGA25S125P-SN00337 Fairchild Semiconductor FGA25S125P-SN00337 3.0100
RFQ
 ECAD 412 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 FGA25S125 標準 250 W to-3pn ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 600V 、25a 、10ohm15V トレンチフィールドストップ 1250 v 50 a 75 a 2.35V @ 15V 、25a 1.09MJ 204 NC 24ns/502ns
1N750ATR Fairchild Semiconductor 1N750ATR 1.0000
RFQ
 ECAD 7270 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 200 mA 2 µA @ 1 V 4.7 v 19オーム
FDS6900AS Fairchild Semiconductor FDS6900AS 0.5900
RFQ
 ECAD 569 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS69 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 nチャンネル（デュアル） 30V 6.9a 、8.2a 27mohm @ 6.9a 、10V 3V @ 250µA 15NC @ 10V 600pf @ 15V ロジックレベルゲート
KST2907AMTF Fairchild Semiconductor KST2907AMTF -
RFQ
 ECAD 4295 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 - 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 6,257 60 V 600 Ma 10na （icbo） PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 200MHz
RFP8P10 Fairchild Semiconductor RFP8P10 0.2700
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 100 V 8a（tc） 10V 400mohm @ 8a 、10V 4V @ 250µA ±20V 1500 PF @ 25 V - 75W
FYP2004DNTU Fairchild Semiconductor FYP2004DNTU 0.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 ショットキー TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 20a 670 mV @ 20 a 1 MA @ 40 V -65°C〜150°C
HUFA76419S3S Fairchild Semiconductor Hufa76419S3S 0.8300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 60 V 29a 4.5V 、10V 35mohm @ 29a 、10V 3V @ 250µA 28 NC @ 10 V ±16V 900 pf @ 25 V - 75W
BD243B Fairchild Semiconductor BD243B -
RFQ
 ECAD 8139 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 BD243 65 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 1 80 v 6 a 700µA npn 1.5V @ 1a 、6a 15 @ 3a 、4V -
BAT54 Fairchild Semiconductor BAT54 -
RFQ
 ECAD 2679 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAT54 ショットキー SOT-23-3 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BAT54-600039 ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -55°C〜150°C 200mA 10pf @ 1V、1MHz
MB10S Fairchild Semiconductor MB10S 0.2200
RFQ
 ECAD 317 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -50°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-269AA 標準 TO-269AA MINIDIL SLIM ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,347 1 V @ 400 Ma 5 µA @ 1 V 500 Ma 単相 1 kV
KSA1156OSTU Fairchild Semiconductor KSA1156ostu -
RFQ
 ECAD 6420 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 KSA1156 1 W TO-126-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 162 400 V 500 Ma 100µa（icbo） PNP 1V @ 10MA 、100mA 60 @ 100MA 、5V -
FDFS2P753Z Fairchild Semiconductor FDFS2P753Z 0.2900
RFQ
 ECAD 422 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 2,500 pチャネル 30 V 3a（ta） 115mohm @ 3a、10V 3V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ±25V 455 PF @ 10 V ショットキーダイオード（分離） 1.6W
KSC2756RMTF Fairchild Semiconductor KSC2756RMTF 0.0200
RFQ
 ECAD 7282 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 150MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,740 15db〜23db 20V 30ma npn 60 @ 5MA 、10V 850MHz 6.5db @ 200MHz
BDX54CTU-FS Fairchild Semiconductor bdx54ctu-fs -
RFQ
 ECAD 3947 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 65 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 100 V 8 a 500µA pnp-ダーリントン 4V @ 12ma、3a 750 @ 3a、3V -
BC859AMTF Fairchild Semiconductor BC859AMTF 0.0500
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 310 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 110 @ 2MA 、5V 150MHz
FCD3400N80Z Fairchild Semiconductor FCD3400N80Z -
RFQ
 ECAD 3323 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル 800 V 2a（tc） 10V 3.4OHM @ 1A 、10V 4.5V @ 200µA 9.6 NC @ 10 V ±20V 400 pf @ 100 V - 32W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます