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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
BD243B Fairchild Semiconductor BD243B -
RFQ
 ECAD 8139 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 BD243 65 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 1 80 v 6 a 700µA npn 1.5V @ 1a 、6a 15 @ 3a 、4V -
BAT54 Fairchild Semiconductor BAT54 -
RFQ
 ECAD 2679 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAT54 ショットキー SOT-23-3 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BAT54-600039 ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -55°C〜150°C 200mA 10pf @ 1V、1MHz
MB10S Fairchild Semiconductor MB10S 0.2200
RFQ
 ECAD 317 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -50°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-269AA 標準 TO-269AA MINIDIL SLIM ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,347 1 V @ 400 Ma 5 µA @ 1 V 500 Ma 単相 1 kV
KSA1156OSTU Fairchild Semiconductor KSA1156ostu -
RFQ
 ECAD 6420 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 KSA1156 1 W TO-126-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 162 400 V 500 Ma 100µa（icbo） PNP 1V @ 10MA 、100mA 60 @ 100MA 、5V -
FDFS2P753Z Fairchild Semiconductor FDFS2P753Z 0.2900
RFQ
 ECAD 422 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 2,500 pチャネル 30 V 3a（ta） 115mohm @ 3a、10V 3V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ±25V 455 PF @ 10 V ショットキーダイオード（分離） 1.6W
KSC2756RMTF Fairchild Semiconductor KSC2756RMTF 0.0200
RFQ
 ECAD 7282 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 150MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,740 15db〜23db 20V 30ma npn 60 @ 5MA 、10V 850MHz 6.5db @ 200MHz
BDX54CTU-FS Fairchild Semiconductor bdx54ctu-fs -
RFQ
 ECAD 3947 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 65 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 100 V 8 a 500µA pnp-ダーリントン 4V @ 12ma、3a 750 @ 3a、3V -
BC859AMTF Fairchild Semiconductor BC859AMTF 0.0500
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 310 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 110 @ 2MA 、5V 150MHz
FCD3400N80Z Fairchild Semiconductor FCD3400N80Z -
RFQ
 ECAD 3323 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル 800 V 2a（tc） 10V 3.4OHM @ 1A 、10V 4.5V @ 200µA 9.6 NC @ 10 V ±20V 400 pf @ 100 V - 32W
MBR745 Fairchild Semiconductor MBR745 1.0000
RFQ
 ECAD 7811 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SwitchMode™ バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 MBR745 ショットキー TO-220-2 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 45 v 570 mV @ 7.5 a 1 MA @ 45 v -65°C〜175°C 7.5a 400pf @ 5v、1MHz
BZX55C2V4 Fairchild Semiconductor BZX55C2V4 1.0000
RFQ
 ECAD 7733 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 50 µA @ 1 V 2.4 v 85オーム
1N5406 Fairchild Semiconductor 1N5406 1.0000
RFQ
 ECAD 2232 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 1N5406 標準 do15/do204ac - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1,250 標準回復> 500ns 600 V 1.2 V @ 3 a 1.5 µs 200 Na @ 600 V -50°C〜175°C 3a -
FDB8870-F085 Fairchild Semiconductor FDB8870-F085 0.9800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 23a 3.9mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 132 NC @ 10 V ±20V 5200 PF @ 15 V - 160W
FQA16N25C Fairchild Semiconductor FQA16N25C -
RFQ
 ECAD 5002 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 115 nチャネル 250 v 17.8a 10V 270mohm @ 8.9a 、10V 4V @ 250µA 53.5 NC @ 10 V ±30V 1080 PF @ 25 V - 180W
5HP01M-TL-E Fairchild Semiconductor 5HP01M-TL-E -
RFQ
 ECAD 8837 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 モスフェット（金属酸化物） 3-MCP - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-5HP01M-TL-E-600039 1 pチャネル 50 v 70ma（ta） 4V 、10V 22OHM @ 40MA 、10V 2.5V @ 100µA 1.32 NC @ 10 V ±20V 6.2 PF @ 10 V - 150MW
HUF76121D3S Fairchild Semiconductor HUF76121D3S 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 20a（tc） 4.5V 、10V 23mohm @ 20a 、10v 3V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 850 PF @ 25 V - 75W
FDMS7682 Fairchild Semiconductor FDMS7682 -
RFQ
 ECAD 9616 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 16a（ta ）、22a（tc） 4.5V 、10V 6.3mohm @ 14a 、10V 3V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 1885 PF @ 15 V - 2.5W
KSC1008GTA Fairchild Semiconductor KSC1008GTA -
RFQ
 ECAD 9606 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 KSC1008 800 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 60 V 700 Ma 100na（icbo） npn 400mv @ 50ma 、500ma 200 @ 500MA 、2V 50MHz
FJL6825ATU Fairchild Semiconductor FJL6825ATU 1.0000
RFQ
 ECAD 4337 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-264-3、TO-264AA 200 W HPM F2 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 25 750 V 25 a 1ma npn 3V @ 3a 、12a 6 @ 12a 、5v -
FCP190N65F Fairchild Semiconductor FCP190N65F -
RFQ
 ECAD 2948 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET®、Superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 FCP190 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 650 V 20.6a（tc） 10V 190mohm @ 10a 、10V 5V @ 2MA 78 NC @ 10 V ±20V 3225 PF @ 25 V - 208W
1N5223B Fairchild Semiconductor 1N5223B 0.0200
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±0.5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW - ダウンロード ear99 8541.10.0050 15,000 75 µA @ 1 V 2.7 v 30オーム
FQPF5P20 Fairchild Semiconductor FQPF5P20 -
RFQ
 ECAD 8662 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 200 v 3.4a（tc） 10V 1.4OHM @ 1.7A 、10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 430 PF @ 25 V - 38W
BZX55C4V3 Fairchild Semiconductor BZX55C4V3 0.0400
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±7％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 1 µA @ 1 V 4.3 v 75オーム
KSC2328AYBU Fairchild Semiconductor KSC2328aybu 0.1200
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 1 W to-92-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 2,485 30 V 2 a 100na（icbo） npn 2V @ 30MA 、1.5a 160 @ 500MA 、2V 120MHz
FDN308P Fairchild Semiconductor FDN308P -
RFQ
 ECAD 8149 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 20 v 1.5a（ta） 2.5V 、4.5V 125mohm @ 1.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 5.4 NC @ 4.5 v ±12V 341 PF @ 10 V - 500MW
2N6519TA Fairchild Semiconductor 2N6519TA 1.0000
RFQ
 ECAD 3902 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 300 V 500 Ma 50na（icbo） PNP 1V @ 5MA 、50mA 40 @ 50ma 、10V 200MHz
FDMA7672 Fairchild Semiconductor FDMA7672 -
RFQ
 ECAD 7829 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド モスフェット（金属酸化物） 6- マイクロフェット（2x2） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 9a（ta） 4.5V 、10V 21mohm @ 9a 、10V 3V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 760 PF @ 15 V - 2.4W
1N5991B Fairchild Semiconductor 1N5991B 2.0000
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 1 V 4.3 v 88オーム
FQA13N50C-F109 Fairchild Semiconductor FQA13N50C-F109 1.6800
RFQ
 ECAD 792 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 500 V 13.5a 10V 480mohm @ 6.75a 、10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±30V 2055 PF @ 25 V - 218W
FQB70N10TM Fairchild Semiconductor FQB70N10TM -
RFQ
 ECAD 9023 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 100 V 57a（tc） 10V 23mohm @ 28.5a 、10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±25V 3300 PF @ 25 V - 3.75W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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