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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
SGS6N60UFTU Fairchild Semiconductor SGS6N60UFTU -
RFQ
 ECAD 8775 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック 標準 22 w TO-220F - 2156-SGS6N60UFTU 1 300V、3A 、80OHM、15V - 600 V 6 a 25 a 2.6V @ 15V、3a 57µj（on25µj （オフ） 15 NC 15ns/60ns
2N7002D87Z Fairchild Semiconductor 2N7002D87Z -
RFQ
 ECAD 4379 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 2N7002 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 11 nチャネル 60 V 115ma 5V、10V 7.5OHM @ 500MA 、10V 2.5V @ 250µA ±20V 50 pf @ 25 V - 200MW
PZTA92 Fairchild Semiconductor PZTA92 -
RFQ
 ECAD 6774 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1 W SOT-223 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 2,500 300 V 500 Ma 250na（icbo） PNP 500MV @ 2MA 、20MA 40 @ 10ma 、10V 50MHz
KSC2883OTF Fairchild Semiconductor ksc2883otf 0.1500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1 W SOT-89-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 4,000 30 V 1.5 a 100na（icbo） npn 2V @ 30MA 、1.5a 100 @ 500MA 、2V 120MHz
KSC1674YBU Fairchild Semiconductor ksc1674ybu 0.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 KSC1674 250MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 - 20V 20ma npn 120 @ 1MA 、6V 600MHz 3DB〜5DB @ 100MHz
FJP3305TU Fairchild Semiconductor FJP3305TU 0.1500
RFQ
 ECAD 6830 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 75 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 400 V 4 a 1µa（icbo） npn 1V @ 1a 、4a 19 @ 1a 、5v 4MHz
FSBS10NH60I Fairchild Semiconductor FSBS10NH60I 9.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1
FQPF9N50CF Fairchild Semiconductor fqpf9n50cf 0.7300
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 413 nチャネル 500 V 9a（tc） 10V 850mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 1030 PF @ 25 V - 44W
FLZ9V1A Fairchild Semiconductor flz9v1a 0.0200
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 300 Na @ 6 V 8.5 v 6.6オーム
KSC5321 Fairchild Semiconductor KSC5321 0.2400
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 KSC532 TO-220-3 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 100µa（icbo） npn 1V @ 600MA、3a 15 @ 600MA 、5V 14MHz
HUFA76639S3S Fairchild Semiconductor Hufa76639S3S 0.6700
RFQ
 ECAD 9021 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 353 nチャネル 100 V 51a（tc） 4.5V 、10V 26mohm @ 51a 、10V 3V @ 250µA 86 NC @ 10 V ±16V 2400 PF @ 25 V - 180W
FDMS7572S Fairchild Semiconductor FDMS7572S 0.8400
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 25 v 23a（タタ）、49a 4.5V 、10V 2.9mohm @ 23a 、10V 3V @ 1MA 45 NC @ 10 V ±20V 2780 PF @ 13 V - 2.5W
SI4963DY Fairchild Semiconductor SI4963DY 0.6300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） SI4963 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1 2 P-Channel （デュアル） 20V 6.2a（ta） 33mohm @ 6.2a 、4.5V 1.5V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1456pf @ 10V -
1N758ATR Fairchild Semiconductor 1N758ATR 0.0500
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 10 v 17オーム
FCPF850N80Z Fairchild Semiconductor FCPF850N80Z -
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック FCPF850 モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 800 V 6a（tc） 10V 850mohm @ 3a 、10V 4.5V @ 600µA 29 NC @ 10 V ±20V 1315 PF @ 100 V - 28.4W
RFD14LN05SM Fairchild Semiconductor RFD14LN05SM 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ RFD14 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 -
BZX79C13 Fairchild Semiconductor BZX79C13 0.0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.5 V @ 100 MA 100 Na @ 8 V 13 v 30オーム
FQB11P06TM Fairchild Semiconductor fqb11p06tm 0.7200
RFQ
 ECAD 814 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 60 V 11.4a（tc） 10V 175mohm @ 5.7a 、10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±25V 550 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、 53W （TC）
1N5999B Fairchild Semiconductor 1N5999B 3.4100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 96 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 7 V 9.1 v 10オーム
FDS4770 Fairchild Semiconductor FDS4770 2.6000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 40 v 13.2a 10V 7.5mohm @ 13.2a 、10V 5V @ 250µA 67 NC @ 10 V ±20V 2819 PF @ 20 V - 2.5W
FDMS7620S Fairchild Semiconductor FDMS7620S 1.0000
RFQ
 ECAD 5147 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN FDMS7620 モスフェット（金属酸化物） 1W Power56 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 nチャンネル（デュアル） 30V 10.1a、12.4a 20mohm @ 10.1a 、10V 3V @ 250µA 11NC @ 10V 608pf @ 15V ロジックレベルゲート
SI4435DY Fairchild Semiconductor SI4435DY -
RFQ
 ECAD 7057 0.00000000 フェアチャイルド半導体 hexfet® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SO ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 30 V 8a（tc） 4.5V 、10V 20mohm @ 8a 、10V 1V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 2320 pf @ 15 v - 2.5W
BC546CBU Fairchild Semiconductor BC546CBU 1.0000
RFQ
 ECAD 4139 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 65 v 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 300MHz
SFP9610 Fairchild Semiconductor SFP9610 -
RFQ
 ECAD 4188 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 200 v 1.75a 10V 3OHM @ 900MA 、10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±30V 285 PF @ 25 V - 20W （TC）
FQA8N80 Fairchild Semiconductor FQA8N80 1.5900
RFQ
 ECAD 91 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 800 V 8.4a（tc） 10V 1.2OHM @ 4.2A 、10V 5V @ 250µA 57 NC @ 10 V ±30V 2350 pf @ 25 v - 220W
FDP8870 Fairchild Semiconductor FDP8870 -
RFQ
 ECAD 4785 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 19a（タタ）、 156a（tc） 4.5V 、10V 4.1mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 132 NC @ 10 V ±20V 5200 PF @ 15 V - 160W
KSC945LTA Fairchild Semiconductor KSC945LTA 0.0200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 250 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 15,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 300MV @ 10MA 、100mA 350 @ 1MA 、6V 300MHz
FQP6N80C Fairchild Semiconductor FQP6N80C -
RFQ
 ECAD 8405 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 800 V 5.5a（tc） 10V 2.5OHM @ 2.75A 、10V 5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±30V 1310 pf @ 25 v - 158W
KSC945CGTA Fairchild Semiconductor KSC945CGTA 1.0000
RFQ
 ECAD 5307 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 250 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 1MA 、6V 300MHz
BC33725TF Fairchild Semiconductor BC33725TF 0.0400
RFQ
 ECAD 9351 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 7,251 45 v 800 Ma 100NA npn 700mv @ 50ma 、500ma 160 @ 100MA、1V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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