画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDN3401 | - | ![]() | 1526 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD8878 | 0.4900 | ![]() | 30 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 611 | nチャネル | 30 V | 11a(タタ)、40a(tc) | 4.5V 、10V | 15mohm @ 35a 、10V | 2.5V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±20V | 880 PF @ 15 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBFJ305 | 0.1400 | ![]() | 107 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-MBFJ305-600039 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX71J | 0.0300 | ![]() | 118 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | TO-236-3 | BCX71 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 45 v | 100 Ma | 20na | PNP | 550MV @ 1.25MA 、50mA | 250 @ 2MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD8444 | 1.0600 | ![]() | 327 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 327 | nチャネル | 40 v | 145a | 10V | 5.2mohm @ 50a 、10V | 4V @ 250µA | 116 NC @ 10 V | ±20V | 6195 PF @ 25 V | - | 153W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZTX749 | 1.0000 | ![]() | 9804 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 1 W | TO-226 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 25 v | 2 a | 100na(icbo) | PNP | 500MV @ 200MA 、2a | 100 @ 1a 、2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI5N15TU | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット(金属酸化物) | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 150 v | 5.4a(tc) | 10V | 800mohm @ 2.7a 、10V | 4V @ 250µA | 7 NC @ 10 V | ±25V | 230 PF @ 25 V | - | 3.75W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD3055LE_R4821 | - | ![]() | 8952 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | RFD3055 | - | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N315AD3ST | 0.3600 | ![]() | 71 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 30a(tc) | 4.5V 、10V | 15mohm @ 30a 、10V | 3V @ 250µA | 28 NC @ 10 V | ±20V | 900 pf @ 15 V | - | 55W (TA | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FFSH1665ADN-F155 | 4.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-FFSH1665ADN-F155 | ear99 | 8541.10.0080 | 72 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 11a(dc) | 1.75 V @ 8 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDH400TR | 0.0300 | ![]() | 163 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 9,779 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 150 v | 1.1 V @ 300 Ma | 50 ns | 100 Na @ 150 V | 175°C (最大) | 200mA | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C8V2 | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 5 V | 8.2 v | 5オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP54 | 0.1900 | ![]() | 3954 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | 1.5 w | SOT-223-4 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 1,209 | 45 v | 1.5 a | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 40 @ 150ma 、2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqd6n60ctm | 0.7200 | ![]() | 869 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 600 V | 4a(tc) | 10V | 2OHM @ 2A 、10V | 4V @ 250µA | 20 NC @ 10 V | ±30V | 810 pf @ 25 V | - | 80W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFI830BTU | - | ![]() | 1021 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット(金属酸化物) | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 500 V | 4.5a | 10V | 1.5OHM @ 2.25A 、10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±30V | 1050 PF @ 25 V | - | 3.13W (TA )、73W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU3580 | 0.8000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-251-3 | モスフェット(金属酸化物) | i-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,800 | nチャネル | 80 v | 7.7a(ta) | 6V 、10V | 29mohm @ 7.7a 、10V | 4V @ 250µA | 79 NC @ 10 V | ±20V | 1760 pf @ 40 v | - | 3.8W | ||||||||||||||||||||||||||
MMSZ4692 | 0.0200 | ![]() | 246 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ46 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 5.1 v | 6.8 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z62V | 0.0200 | ![]() | 110 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±6% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523F | MM5Z6 | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 Na @ 43.4 v | 62 v | 215オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTA14 | - | ![]() | 7671 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.210075 | 3,000 | 30 V | 1.2 a | 100na(icbo) | npn-ダーリントン | 1.5V @ 100µA 、100mA | 20000 @ 100MA 、5V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DCB010-TB-E | - | ![]() | 8912 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | 標準 | 3-CP | ダウンロード | 適用できない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通カソード | 80 v | 100mA | 1.2 V @ 100 MA | 4 ns | 100 Na @ 80 V | 125°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFW550ATM | 0.6300 | ![]() | 847 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けた | 2156-IRFW550ATM-600039 | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD5N50TF | 0.2900 | ![]() | 1986年年 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | nチャネル | 500 V | 4a(tc) | 10V | 1.4OHM @ 2A 、10V | 5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 640 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6682 | 0.9500 | ![]() | 28 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 75a(ta) | 4.5V 、10V | 6.2mohm @ 17a 、10V | 3V @ 250µA | 31 NC @ 5 V | ±20V | 2400 PF @ 15 V | - | 71W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFNL210BTA | 0.1100 | ![]() | 556 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | IRFNL210 | - | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bav102 | 0.0400 | ![]() | 8067 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-213AA | bav10 | 標準 | DO-213AA 、ミニメルフ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 150 v | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 5 µA @ 150 v | -50°C〜175°C | 200mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC81840 | 0.0900 | ![]() | 9741 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | BC818 | 310 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 25 v | 800 Ma | 100NA | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA、1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hufa76445p3 | 0.9900 | ![]() | 518 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 400 | nチャネル | 60 V | 75a(tc) | 4.5V 、10V | 6.5mohm @ 75a 、10V | 3V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±16V | 4965 PF @ 25 V | - | 310W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJN3303TA | 0.0700 | ![]() | 5957 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 1.1 w | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 489 | 400 V | 1.5 a | 10µa(icbo) | npn | 3V @ 500MA 、1.5a | 14 @ 500MA 、2V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDW93 | 0.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 80 w | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,200 | 45 v | 12 a | 1ma | npn-ダーリントン | 3V @ 100MA 、10a | 750 @ 5a、3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC633N | 0.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | モスフェット(金属酸化物) | SuperSot™-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 5.2a(ta) | 2.5V 、4.5V | 42mohm @ 5.2a 、4.5V | 1V @ 250µA | 16 NC @ 4.5 v | ±8V | 538 PF @ 10 V | - | 1.6W |
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