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離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
FJA4213RTU	2.6300	RFQ	8519	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	to-3p-3、SC-65-3				130 w	to-3p	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1																								250 v	17 a						5µa（icbo）			PNP	3V @ 800MA 、8a	55 @ 1a 、5V	30MHz
SGH20N60RUFDTU-FS	1.0000	RFQ	3798	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	to-3p-3、SC-65-3	SGH20N60	標準		195 w	to-3p	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			300V 、20A 、10OHM15V															50 ns					-	600 V	32 a	60 a	2.8V @ 15V 、20A	524µj （473µj（オフ）	80 NC	30ns/48ns
FDI038AN06A0	2.9500	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）		i2pak（to-262）	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		60 V	17a	6V 、10V	3.8mohm @ 80a 、10V	4V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±20V	6400 PF @ 25 V	-	310W
FDMS8888	-	RFQ	4054	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）		8-PQFN	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		30 V	13.5a	4.5V 、10V	9.5mohm @ 13.5a 、10V	2.5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1585 PF @ 15 V	-	2.5W （Ta ）、42w（tc）
FQD30N06TF	-	RFQ	2403	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	21		nチャネル		60 V	22.7a	10V	45mohm @ 11.4a 、10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	945 PF @ 25 V	-	2.5W （TA ）、44W（TC）
MMBT6428	-	RFQ	4162	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3				350 MW	SOT-23-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1																								50 v	500 Ma						100NA			npn	600MV @ 5MA 、100mA	250 @ 100µA 、5V	700MHz
FQB5N40TM	0.4600	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak（to-263）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	800		nチャネル		400 V	4.5a	10V	1.6OHM @ 2.25A 、10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 PF @ 25 V	-	3.13W
BZX79C9V1-T50A	0.0200	RFQ	2197	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 100 MA		500 NA @ 6 V													9.1 v	15オーム
FQD630TF	0.3100	RFQ	207	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	2,000		nチャネル		200 v	7a（tc）	10V	400mohm @ 3.5a 、10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	550 PF @ 25 V	-	2.5W
FQP9N25C	1.0000	RFQ	4425	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		250 v	8.8a	10V	430mohm @ 4.4a 、10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	710 pf @ 25 v	-	74W
FQA16N50-F109	-	RFQ	9640	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-3p-3、SC-65-3			モスフェット（金属酸化物）		to-3pn	-				2156-FQA16N50-F109			1		nチャネル		500 V	16a（tc）	10V	320mohm @ 8a 、10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 v	-	200W （TC）
FLZ13VB	0.0200	RFQ	66	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±3％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80				500 MW	SOD-80	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	2,500																	1.2 V @ 200 mA		133 Na @ 10 V													12.9 v	11.4オーム
SB520	-	RFQ	1587	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-201AA			ショットキー		DO-2011	ダウンロード						0000.00.0000	1	高速回復= <500ns														20 v		550 mv @ 5 a		500 µA @ 20 V	-50°C〜150°C	5a	-
FDG410NZ	-	RFQ	3863	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363			モスフェット（金属酸化物）		SC-88	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1,787		nチャネル		20 v	2.2a（ta）	1.5V 、4.5V	70mohm @ 2.2a 、4.5V	1V @ 250µA	7.2 NC @ 4.5 v	±8V	535 PF @ 10 V	-	420MW
FQB3N60CTM	0.6100	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak（to-263）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	800		nチャネル		600 V	3a（tc）	10V	3.4OHM @ 1.5A 、10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	565 PF @ 25 V	-	75W
1N5234B	0.0300	RFQ	542	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して					500 MW	-	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	11,539																			5 µA @ 4 V													6.2 v	7オーム
FEP16CT	0.4700	RFQ	90	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3			標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns													1ペア共通カソード	150 v	16a	950 mv @ 8 a	35 ns	10 µA @ 150 v	-55°C〜150°C
BC547ATA	0.0300	RFQ	15	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3				500 MW	to-92-3	ダウンロード					ear99	8541.21.0075	8,959																								45 v	100 Ma						15NA			npn	600MV @ 5MA 、100mA	110 @ 2MA 、5V	300MHz
FDS6576	1.0000	RFQ	1383	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SOIC	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		pチャネル		20 v	11a（ta）	2.5V 、4.5V	14mohm @ 11a 、4.5v	1.5V @ 250µA	60 NC @ 4.5 v	±12V	4044 PF @ 10 V	-	2.5W
FFA10U40DNTU	0.8800	RFQ	515	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止			穴を通して	to-3p-3、SC-65-3			標準		to-3p	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	450	高速回復= <500ns													1ペア共通カソード	400 V	10a	1.4 V @ 10 a	50 ns	30 µA @ 400 V	-65°C〜150°C
S3G	1.0000	RFQ	4265	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc			標準		smc（do-214ab）	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns														400 V		1.15 V @ 3 a	1.5 µs	5 µA @ 1.7 v	-50°C〜150°C	3a	-
FDN339AN	-	RFQ	1417	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			モスフェット（金属酸化物）		SOT-23-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		20 v	3a（ta）	2.5V 、4.5V	35mohm @ 3a 、4.5V	1.5V @ 250µA	10 NC @ 4.5 v	±8V	700 pf @ 10 V	-	500MW
MM5Z4v3	0.0200	RFQ	112	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±7％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523F				200 MW	SOD-523F	-		未定義のベンダー	未定義のベンダー	2156-MM5Z4V3-600039			1																			3 µA @ 1 V													4.3 v	90オーム
FJY3007R	0.0200	RFQ	15	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止			表面マウント	SC-89 、SOT-490	FJY300			200 MW	SOT-523F	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	15,000																								50 v	100 Ma						100na（icbo）			npn-バイアス化	300MV @ 500µA 、10mA	68 @ 5MA 、5V	250 MHz	22 Kohms	47 Kohms
1N4735A	0.0800	RFQ	93	フェアチャイルド半導体	-	箱	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸				1 W	DO-41	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3845-1N4735A	ear99		1																			10 µA @ 3 V													6.2 v	2オーム
1N4733ATR	0.0300	RFQ	5700	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸				1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	2,351																			10 µA @ 1 V													5.1 v	7オーム
BCX799	0.0200	RFQ	3616	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-	穴を通して	TO-226-3				625 MW	to-92-3	-	適用できない				ear99	0000.00.0000	370																								45 v	500 Ma						10na			PNP	600MV @ 2.5MA 、100MA	80 @ 10ma、1V	-
FDZ293P	0.2400	RFQ	50	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	9-VFBGA			モスフェット（金属酸化物）		9-BGA （1.5x1.6）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	3,000		pチャネル		20 v	4.6a（ta）	2.5V 、4.5V	46mohm @ 4.6a 、4.5V	1.5V @ 250µA	11 NC @ 4.5 v	±12V	754 PF @ 10 V	-	1.7W
NDB6030L	1.7200	RFQ	580	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		30 V	52a（tc）	4.5V 、10V	13.5mohm @ 26a 、10v	3V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±16V	1350 PF @ 15 V	-	75W
FJC1386QTF	0.1000	RFQ	3	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA				500 MW	SOT-89-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	3,144																								20 v	5 a						500na（icbo）			PNP	1V @ 100MA 、4a	120 @ 500MA 、2V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²