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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
1N5226B.TA Fairchild Semiconductor 1N5226B.TA 0.0200
RFQ
 ECAD 3034 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 mA 25 µA @ 1 V 3.3 v 28オーム
FCU2250N80Z Fairchild Semiconductor FCU2250N80Z 0.7200
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 800 V 2.6a（tc） 10V 2.25OHM @ 1.3A 、10V 4.5V @ 260µA 14 NC @ 10 V ±20V 585 PF @ 100 V - 39W （TC）
KSC2785YBU Fairchild Semiconductor KSC2785YBU 0.0200
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 250 MW to-92 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 1MA 、6V 300MHz
FGB5N60UNDF Fairchild Semiconductor fgb5n60undf -
RFQ
 ECAD 9142 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 FGB5N60 標準 73.5 w TO-263AB ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 400V、5a 、10OHM 、15V 35 ns npt 600 V 10 a 15 a 2.4V @ 15V 、5a 80µj（オン）、70µj（オフ） 12.1 NC 5.4ns/25.4ns
FYPF2010DNTU Fairchild Semiconductor FYPF2010DNTU -
RFQ
 ECAD 7730 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3フルパック FYPF20 ショットキー TO-220F - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 20a 770 mV @ 10 a 100 µA @ 100 V -65°C〜150°C
FQB25N33TM Fairchild Semiconductor FQB25N33TM 1.3800
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード 適用できない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 330 v 25a（tc） 10V 230mohm @ 12.5a 、10V 5V @ 250µA 75 NC @ 15 V ±30V 2010 PF @ 25 V - 3.1W
1N5822 Fairchild Semiconductor 1N5822 -
RFQ
 ECAD 3355 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-201AA ショットキー 軸 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1,250 高速回復= <500ns 40 v 525 mV @ 3 a 2 MA @ 40 V -65°C〜125°C 3a -
HUFA75842P3 Fairchild Semiconductor Hufa75842p3 0.9200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 150 v 43a（tc） 10V 42mohm @ 43a 、10V 4V @ 250µA 175 NC @ 20 V ±20V 2730 PF @ 25 V - 230W
KSB601YTU Fairchild Semiconductor KSB601YTU 0.5200
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 1.5 w TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 100 V 5 a 10µa（icbo） pnp-ダーリントン 1.5V @ 3MA、3a 5000 @ 3a 、2V -
1N5231B Fairchild Semiconductor 1N5231B 0.0300
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW - ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 5 µA @ 2 V 5.1 v 17オーム
KSC5305DTU Fairchild Semiconductor KSC5305DTU 1.0000
RFQ
 ECAD 8536 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 KSC5305 75 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 400 V 5 a 10µa（icbo） npn 500MV @ 400MA 、2a 8 @ 2a、1V -
BD240CTU-FS Fairchild Semiconductor BD240CTU-FS 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 BD240 30 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 100 V 2 a PNP 700mv @ 200ma、1a 40 @ 200ma 、4V -
FQD2N60CTF Fairchild Semiconductor FQD2N60CTF -
RFQ
 ECAD 1877 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 510 nチャネル 600 V 1.9a（tc） 10V 4.7OHM @ 950MA 、10V 4V @ 250µA 12 NC @ 10 V ±30V 235 pf @ 25 v - 2.5W （TA ）、44W（TC）
FDMC2674 Fairchild Semiconductor FDMC2674 -
RFQ
 ECAD 3709 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-mlp （3.3x3.3） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 220 v 1a（タタ）、 7a（tc） 10V 366mohm @ 1a 、10v 4V @ 250µA 18 NC @ 10 V ±20V 1180 PF @ 100 V - 2.1W（Ta ）、42w（TC）
BC237BTA Fairchild Semiconductor BC237BTA 1.0000
RFQ
 ECAD 3236 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 Ma 15na npn 600MV @ 5MA 、100mA 180 @ 2MA 、5V 250MHz
FDPC8014AS Fairchild Semiconductor FDPC8014AS 1.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN FDPC8014 モスフェット（金属酸化物） 2.1W 、2.3W パワークリップ56 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 n チャネル（デュアル）非対称 25V 20a 、40a 3.8mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 250µA 35NC @ 10V 2375pf @ 13V -
SS34 Fairchild Semiconductor SS34 1.0000
RFQ
 ECAD 4445 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント do-214ab 、mc SS34 ショットキー smc（do-214ab） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 40 v 500 mV @ 3 a 500 µA @ 40 V -55°C〜150°C 3a -
KSB1116YTA Fairchild Semiconductor KSB1116yta 0.0500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 750 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 50 v 1 a 100na（icbo） PNP 300MV @ 50MA、1a 135 @ 100MA 、2V 120MHz
FDPF12N60NZ Fairchild Semiconductor FDPF12N60NZ -
RFQ
 ECAD 9919 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet-ii™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル 600 V 12a（tc） 10V 650mohm @ 6a 、10V 5V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±30V 1676 PF @ 25 V - 39W （TC）
FDPF12N50UT Fairchild Semiconductor FDPF12N50UT -
RFQ
 ECAD 5793 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 500 V 10a（tc） 10V 800mohm @ 5a、10V 5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±30V 1395 PF @ 25 V - 42W
FDP75N08 Fairchild Semiconductor FDP75N08 1.0400
RFQ
 ECAD 365 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 75 v 75a（tc） 10V 11mohm @ 37.5a 、10V 4V @ 250µA 104 NC @ 10 V ±20V 4468 PF @ 25 V - 131W
FQA90N08 Fairchild Semiconductor FQA90N08 -
RFQ
 ECAD 8478 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3pn - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FQA90N08 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 80 v 90a 10V 16mohm @ 45a 、10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±25V 3250 PF @ 25 V - 214W
FDB035AN06A0 Fairchild Semiconductor FDB035AN06A0 2.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 102 nチャネル 60 V 22a（タタ）、 80a（tc） 6V 、10V 3.5mohm @ 80a 、10V 4V @ 250µA 124 NC @ 10 V ±20V 6400 PF @ 25 V - 310W
SFW9Z24TM Fairchild Semiconductor SFW9Z24TM 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 pチャネル 60 V 9.7a（tc） 10V 280mohm @ 4.9a 、10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ±30V 600 PF @ 25 V - 3.8W
FQD2N90TF Fairchild Semiconductor FQD2N90TF 0.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 900 V 1.7a（tc） 10V 7.2OHM @ 850MA 、10V 5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 500 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、50W（TC）
SSS6N70A Fairchild Semiconductor SSS6N70A 0.8000
RFQ
 ECAD 950 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 700 V 4a（tc） 10V 1.8OHM @ 2A 、10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 V ±30V 1200 PF @ 25 V - 40W （TC）
HUF76009D3ST Fairchild Semiconductor huf76009d3st 0.2500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 20 v 20a（tc） 5V、10V 27mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 470 PF @ 20 V - 41W
FDMS0309AS Fairchild Semiconductor FDMS0309AS -
RFQ
 ECAD 9722 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 21a（タタ）、49a 4.5V 、10V 3.5mohm @ 21a 、10V 3V @ 1MA 47 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 15 v - 2.5W （TA ）、50W（TC）
IRF654BFP001 Fairchild Semiconductor IRF654BFP001 0.9200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 250 v 21a（tc） 10V 140mohm @ 10.5a 、10V 4V @ 250µA 123 NC @ 10 V ±30V 3400 PF @ 25 V - 156W
FSBS10CH60T Fairchild Semiconductor FSBS10CH60T -
RFQ
 ECAD 2019年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Motion-SPM® バルク アクティブ 穴を通して 27-POWERDIP モジュール（1.205 "、30.60mm） IGBT FSBS10 - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 3フェーズ 10 a 600 V 2500VRMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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