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離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	トライアックタイプ	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
MPS6515	0.0400	RFQ	39	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3				625 MW		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	2,000																																25 v	200 ma						50na（icbo）				npn	500MV @ 5MA 、50mA	250 @ 2MA 、10V	-
MMBZ5246B	0.0200	RFQ	525	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	TO-236-3	MMBZ52			300 MW		SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																									900 mV @ 10 Ma		100 na @ 12 v														16 v	17オーム
TIP41C	-	RFQ	7599	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	TO-220-3				65 W		TO-220	ダウンロード		未定義のベンダー	未定義のベンダー	2156-TIP41C-600039			1																																100 V	6 a						400µA				npn	1.5V @ 600MA 、6a	15 @ 3a 、4V	-
FDP61N20	-	RFQ	5036	フェアチャイルド半導体	unifet™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-220-3	ダウンロード						0000.00.0000	1			nチャネル			200 v	61a（tc）	10V	41mohm @ 30.5a 、10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	3380 PF @ 25 V	-	417W
BCP69	0.1500	RFQ	4	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	BCP69			1 W		SOT-223-4	ダウンロード					ear99	8541.29.0075	1																																20 v	1.5 a						100na（icbo）				PNP	500MV @ 100MA、1a	85 @ 500MA、1V	-
MMBZ5246B-NL	0.7100	RFQ	39	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				250 MW		SOT-23-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																									900 mV @ 10 Ma		100 na @ 12 v														16 v	17オーム
FKN08PN40S	0.1400	RFQ	19	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-	穴を通して	TO-226-3						to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.30.0080	1,000	シングル			15 Ma												ロジック -敏感なゲート	400 V	800 Ma	2 v	8a @ 60Hz	5 Ma
S3DB	-	RFQ	5629	フェアチャイルド半導体	aec-q101	バルク	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB			標準			do-214aa	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	1,017		標準回復> 500ns																					200 v		1.15 V @ 3 a	1.5 µs	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	3a	40pf @ 4V、1MHz
FMG1G200US60H	55.6300	RFQ	19	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール				695 w	標準	-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル																														-	600 V	200 a		2.7V @ 15V 、200A				250 µA	いいえ
hufa75309d3s	0.2400	RFQ	4	フェアチャイルド半導体	ultrafet™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	1,800			nチャネル			55 v	19a（tc）	10V	70mohm @ 19a 、10V	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 PF @ 25 V	-	55W （TC）
FDP7N50	-	RFQ	9668	フェアチャイルド半導体	unifet™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-220-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル			500 V	7a（tc）	10V	900mohm @ 3.5a 、10V	5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±30V	940 PF @ 25 V	-	89W
FDN360P	-	RFQ	1062	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			モスフェット（金属酸化物）			SOT-23-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			pチャネル			30 V	2a（ta）	4.5V 、10V	80mohm @ 2a 、10V	3V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	298 PF @ 15 V	-	500MW
FDP050AN06A0	-	RFQ	4914	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-220-3	ダウンロード						0000.00.0000	1			nチャネル			60 V	18a（タタ）、 80a（tc）	6V 、10V	5mohm @ 80a 、10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	245W
1N5226B.TA	0.0200	RFQ	3034	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW		DO-35	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	5,000																									1.2 V @ 200 mA		25 µA @ 1 V														3.3 v	28オーム
FCU2250N80Z	0.7200	RFQ	96	フェアチャイルド半導体	superfet®ii	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）			i-pak	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル			800 V	2.6a（tc）	10V	2.25OHM @ 1.3A 、10V	4.5V @ 260µA	14 NC @ 10 V	±20V	585 PF @ 100 V	-	39W （TC）
KSC2785YBU	0.0200	RFQ	33	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3				250 MW		to-92	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	1,000																																50 v	150 Ma						100na（icbo）				npn	300MV @ 10MA 、100mA	120 @ 1MA 、6V	300MHz
fgb5n60undf	-	RFQ	9142	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	FGB5N60	標準		73.5 w		TO-263AB	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1					400V、5a 、10OHM 、15V																					35 ns					npt	600 V	10 a	15 a	2.4V @ 15V 、5a	80µj（オン）、70µj（オフ）	12.1 NC	5.4ns/25.4ns
FYPF2010DNTU	-	RFQ	7730	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-220-3フルパック	FYPF20		ショットキー			TO-220F	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns																				1ペア共通カソード	100 V	20a	770 mV @ 10 a		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
FQB25N33TM	1.3800	RFQ	17	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）			d2pak（to-263）	ダウンロード	適用できない				ear99	8541.29.0095	800			nチャネル			330 v	25a（tc）	10V	230mohm @ 12.5a 、10V	5V @ 250µA	75 NC @ 15 V	±30V	2010 PF @ 25 V	-	3.1W
1N5822	-	RFQ	3355	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-201AA			ショットキー			軸	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	1,250		高速回復= <500ns																					40 v		525 mV @ 3 a		2 MA @ 40 V	-65°C〜125°C	3a	-
Hufa75842p3	0.9200	RFQ	6	フェアチャイルド半導体	ultrafet™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	400			nチャネル			150 v	43a（tc）	10V	42mohm @ 43a 、10V	4V @ 250µA	175 NC @ 20 V	±20V	2730 PF @ 25 V	-	230W
KSB601YTU	0.5200	RFQ	26	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3				1.5 w		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	1,000																																100 V	5 a						10µa（icbo）				pnp-ダーリントン	1.5V @ 3MA、3a	5000 @ 3a 、2V	-
1N5231B	0.0300	RFQ	17	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW		-	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	11,539																											5 µA @ 2 V														5.1 v	17オーム
KSC5305DTU	1.0000	RFQ	8536	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3	KSC5305			75 W		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1																																400 V	5 a						10µa（icbo）				npn	500MV @ 400MA 、2a	8 @ 2a、1V	-
BD240CTU-FS	0.3000	RFQ	3	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3	BD240			30 W		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1																																100 V	2 a										PNP	700mv @ 200ma、1a	40 @ 200ma 、4V	-
FQD2N60CTF	-	RFQ	1877	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	510			nチャネル			600 V	1.9a（tc）	10V	4.7OHM @ 950MA 、10V	4V @ 250µA	12 NC @ 10 V	±30V	235 pf @ 25 v	-	2.5W （TA ）、44W（TC）
FDMC2674	-	RFQ	3709	フェアチャイルド半導体	unifet™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERWDFN			モスフェット（金属酸化物）			8-mlp （3.3x3.3）	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル			220 v	1a（タタ）、 7a（tc）	10V	366mohm @ 1a 、10v	4V @ 250µA	18 NC @ 10 V	±20V	1180 PF @ 100 V	-	2.1W（Ta ）、42w（TC）
BC237BTA	1.0000	RFQ	3236	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3				500 MW		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	2,000																																45 v	100 Ma						15na				npn	600MV @ 5MA 、100mA	180 @ 2MA 、5V	250MHz
FDPC8014AS	1.2200	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERWDFN	FDPC8014		モスフェット（金属酸化物）	2.1W 、2.3W		パワークリップ56	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1	2 n チャネル（デュアル）非対称					25V	20a 、40a		3.8mohm @ 20a 、10V	2.5V @ 250µA	35NC @ 10V		2375pf @ 13V	-
SS34	1.0000	RFQ	4445	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SS34		ショットキー			smc（do-214ab）	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns																					40 v		500 mV @ 3 a		500 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	3a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²