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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
KSD5018TU Fairchild Semiconductor KSD5018TU 0.3000
RFQ
 ECAD 4851 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 40 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 811 275 v 4 a 1ma npn-ダーリントン 1.5V @ 20MA、3a - -
MM3Z3V3C Fairchild Semiconductor MM3Z3V3C 0.0200
RFQ
 ECAD 5724 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 8,220 1 V @ 10 mA 4.5 µA @ 1 V 3.3 v 89オーム
HN1B01FDW1T1G Fairchild Semiconductor hn1b01fdw1t1g 0.0400
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-74、SOT-457 HN1B01 380MW SC-74 ダウンロード ear99 8541.21.0095 7,474 50V 200mA 2µA NPN、PNP 250mv @ 10ma 、100ma / 300mv @ 10ma 、100ma 200 @ 2MA 、6V -
SFR9120TM Fairchild Semiconductor SFR9120TM 0.2500
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 100 V 4.9a（tc） 10V 600mohm @ 2.5a 、10V 4V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±30V 550 PF @ 25 V - 2.5W
FDMC3020DC Fairchild Semiconductor FDMC3020DC 1.0000
RFQ
 ECAD 7001 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Dual Cool™、PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） Power33 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 17a 4.5V 、10V 6.25mohm @ 12a 、10V 3V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±20V 1385 PF @ 15 V - 3W （TA）、50W（TC）
2N5366 Fairchild Semiconductor 2N5366 0.0400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 40 v 500 Ma 100NA PNP 1V @ 30MA 、300ma 100 @ 50ma、1V -
FDP7030L Fairchild Semiconductor FDP7030L 2.1300
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -65°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 30 V 80a（ta） 4.5V 、10V 7mohm @ 40a 、10V 3V @ 250µA 33 NC @ 5 V ±20V 2440 PF @ 15 V - 68W （TC）
IRF830B Fairchild Semiconductor IRF830B 0.5400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 500 V 4.5a 10V 1.5OHM @ 2.25A 、10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 1050 PF @ 25 V - 73W
FQP6N80 Fairchild Semiconductor FQP6N80 1.0000
RFQ
 ECAD 4193 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 5.8a（tc） 10V 1.95OHM @ 2.9A 、10V 5V @ 250µA 31 NC @ 10 V ±30V 1500 PF @ 25 V - 158W
MMSZ5241B Fairchild Semiconductor MMSZ5241B 0.0200
RFQ
 ECAD 5588 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 2 µA @ 8.4 v 11 v 22オーム
IRF710B Fairchild Semiconductor IRF710B 0.1700
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 400 V 2a（tc） 10V 3.4OHM @ 1A 、10V 4V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±30V 330 PF @ 25 V - 36W （TC）
FDS7764S Fairchild Semiconductor FDS7764S 1.8100
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 13.5a 4.5V 、10V 7.5mohm @ 13.5a 、10V 2V @ 1MA 35 NC @ 5 V ±16V 2800 PF @ 15 V - 2.5W
FDS6875 Fairchild Semiconductor FDS6875 -
RFQ
 ECAD 4871 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS68 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード 0000.00.0000 1 2 P-Channel （デュアル） 20V 6a 30mohm @ 6a 、4.5V 1.5V @ 250µA 31NC @ 5V 2250pf @ 10V ロジックレベルゲート
FQPF19N20 Fairchild Semiconductor FQPF19N20 0.9900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 200 v 11.8a（tc） 10V 150mohm @ 5.9a 、10V 5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±30V 1600 pf @ 25 v - 50W （TC）
FCH170N60 Fairchild Semiconductor FCH170N60 3.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ear99 8542.39.0001 102 nチャネル 600 V 22a（tc） 10V 170mohm @ 11a 、10V 3.5V @ 250µA 55 NC @ 10 V ±20V 2860 PF @ 380 v - 227W
BC80740MTF Fairchild Semiconductor BC80740MTF -
RFQ
 ECAD 8447 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 310 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 45 v 800 Ma 100NA PNP 700mv @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA、1V 100MHz
FQD1N60TF Fairchild Semiconductor FQD1N60TF 0.2900
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 1a（tc） 10V 11.5OHM @ 500MA 、10V 5V @ 250µA 6 NC @ 10 V ±30V 150 PF @ 25 V - 2.5w
KSC2333YTU-FS Fairchild Semiconductor ksc2333ytu-fs 1.0000
RFQ
 ECAD 9839 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 15 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 400 V 2 a 1ma npn 1V @ 100MA 、500MA 20 @ 100MA 、5V -
1N756ATR Fairchild Semiconductor 1N756ATR 0.0500
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 8.2 v 8オーム
FDU8580 Fairchild Semiconductor FDU8580 0.6000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 20 v 35a（tc） 4.5V 、10V 9mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±20V 1445 PF @ 10 V - 49.5W
FDA62N28 Fairchild Semiconductor FDA62N28 3.6600
RFQ
 ECAD 854 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3pn ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 280 v 62a（tc） 10V 51mohm @ 31a 、10v 5V @ 250µA 100 NC @ 10 V ±30V 4630 PF @ 25 V - 500W （TC）
FES16JT Fairchild Semiconductor FES16JT 0.8700
RFQ
 ECAD 7947 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 標準 TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 2156-FES16JT-FS ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 600 V 1.5 V @ 8 a 50 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜150°C 16a 145pf @ 4V、1MHz
FDS8949 Fairchild Semiconductor FDS8949 1.0000
RFQ
 ECAD 2329 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS89 モスフェット（金属酸化物） 2W 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 nチャンネル（デュアル） 40V 6a 29mohm @ 6a 、10V 3V @ 250µA 11NC @ 5V 955pf @ 20V ロジックレベルゲート
FQPF9N50YDTU Fairchild Semiconductor fqpf9n50ydtu 0.8800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 フルパック、形成されたリード モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 500 V 5.3a（tc） 10V 730mohm @ 2.65a 、10V 5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±30V 1450 PF @ 25 V - 50W （TC）
FNB51560T1 Fairchild Semiconductor FNB51560T1 9.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 モーションSPM®55 バルク アクティブ 穴を通して 20-POWERDIP モジュール（1.220 "、31.00mm） IGBT FNB51 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.39.0001 1 3相インバーター 15 a 600 V 1500VRMS
FSAB20PH60 Fairchild Semiconductor FSAB20PH60 9.3500
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して 27-POWERDIP モジュール（1.205 "、30.60mm） IGBT ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 60 1フェーズ 11 a 600 V 2500VRMS
MBR735 Fairchild Semiconductor MBR735 -
RFQ
 ECAD 7294 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 ショットキー TO-220-2 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 35 v 840 mV @ 15 a 100 µA @ 35 V -65°C〜150°C 7.5a -
FDS7088N3 Fairchild Semiconductor FDS7088N3 2.6000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 21a（ta） 4.5V 、10V 4mohm @ 21a 、10v 3V @ 250µA 48 NC @ 5 V ±20V 3845 PF @ 15 V - 3w
BSS63 Fairchild Semiconductor BSS63 0.0300
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BSS6 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 100 V 200 ma 100na（icbo） PNP 250MV @ 2.5MA 、25mA 30 @ 25MA、1V 50MHz
FDS4080N7 Fairchild Semiconductor FDS4080N7 1.5500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 40 v 13a（ta） 10V 10mohm @ 13a 、10V 5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±20V 1750 pf @ 20 v - 3.9W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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