SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) 電圧-DC リバース( VR )(最大) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
MMSZ5235B Fairchild Semiconductor MMSZ5235B 0.0200
RFQ
ECAD 361 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% 150°C (TJ) 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 5 V 6.8 v 5オーム
FDD8453LZ-F085 Fairchild Semiconductor FDD8453LZ-F085 0.5800
RFQ
ECAD 3248 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット(金属酸化物) TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 40 v 50a(tc) 4.5V 、10V 6.7mohm @ 15a 、10V 3V @ 250µA 64 NC @ 10 V ±20V 3515 PF @ 20 V - 118W
KSB772YSTU Fairchild Semiconductor KSB772YSTU 0.1900
RFQ
ECAD 814 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1 W TO-126-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1,576 30 V 3 a 1µa(icbo) PNP 500MV @ 200MA 、2a 160 @ 1a 、2V 80MHz
FQI13N06TU Fairchild Semiconductor FQI13N06TU 0.3100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット(金属酸化物) i2pak(to-262) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 60 V 13a(tc) 10V 135mohm @ 6.5a 、10V 4V @ 250µA 7.5 NC @ 10 V ±25V 310 pf @ 25 v - 3.75W (TA )、45W(TC)
SS8550DTA Fairchild Semiconductor SS8550DTA -
RFQ
ECAD 2789 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 1 W to-92-3 ダウンロード ear99 8541.29.0075 1 25 v 1.5 a 100NA PNP 500mv @ 80ma 、800ma 160 @ 100MA、1V 200MHz
1N5995B Fairchild Semiconductor 1N5995B 1.8400
RFQ
ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 4 V 6.2 v 10オーム
FQP5N50C Fairchild Semiconductor FQP5N50C 0.4400
RFQ
ECAD 62 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 5a(tc) 10V 1.4OHM @ 2.5A 、10V 4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±30V 625 PF @ 25 V - 73W
BZX79C7V5-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C7V5-T50A 0.0300
RFQ
ECAD 80 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 MA 1 µA @ 5 V 7.5 v 15オーム
SS9011HBU Fairchild Semiconductor SS9011HBU 0.0200
RFQ
ECAD 100 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 400 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 1,000 30 V 30 Ma 100na(icbo) npn 300MV @ 1MA 、10ma 97 @ 1MA 、5V 2MHz
FQP9N50 Fairchild Semiconductor FQP9N50 -
RFQ
ECAD 1680 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 500 V 9a(tc) 10V 730mohm @ 4.5a 、10V 5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±30V 1450 PF @ 25 V - 147W
BC859B Fairchild Semiconductor BC859B 0.0800
RFQ
ECAD 75 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 220 @ 2MA 、5V 100MHz
FQP4N80 Fairchild Semiconductor FQP4N80 1.0000
RFQ
ECAD 7505 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 800 V 3.9a(tc) 10V 3.6OHM @ 1.95A 、10V 5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±30V 880 PF @ 25 V - 130W
MMSZ5247B Fairchild Semiconductor MMSZ5247B 1.0000
RFQ
ECAD 8792 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% 150°C (TJ) 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 13 V 17 v 19オーム
FQP9N30 Fairchild Semiconductor FQP9N30 -
RFQ
ECAD 4894 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 - 2156-FQP9N30 1 nチャネル 300 V 9a(tc) 10V 450mohm @ 4.5a 、10V 5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±30V 740 PF @ 25 V - 98W (TC)
BZX55C3V3 Fairchild Semiconductor BZX55C3V3 0.0400
RFQ
ECAD 35 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 2 µA @ 1 V 3.3 v 85オーム
MBR0520L Fairchild Semiconductor MBR0520L -
RFQ
ECAD 1880 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SOD-123 ショットキー SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 1 高速回復= <500ns 20 v 385 mV @ 500 Ma 250 µA @ 20 V -65°C〜125°C 500mA -
FJA4210OTU Fairchild Semiconductor fja4210otu -
RFQ
ECAD 7629 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 100 W to-3p ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 140 v 10 a 10µa(icbo) PNP 500MV @ 500MA 、5a 70 @ 3a 、4V 30MHz
FDP86363_F085 Fairchild Semiconductor FDP86363_F085 -
RFQ
ECAD 3136 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 80 v 110a(tc) 10V 2.8mohm @ 80a 、10V 4V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 40 V - 300W (TJ)
HUFA75852G3 Fairchild Semiconductor hufa75852g3 -
RFQ
ECAD 1363 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット(金属酸化物) TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 150 nチャネル 150 v 75a(tc) 10V 16mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 480 NC @ 20 V ±20V 7690 PF @ 25 V - 500W (TC)
BC549B Fairchild Semiconductor BC549B 0.0400
RFQ
ECAD 41 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 300MHz
MMBZ5230B Fairchild Semiconductor MMBZ5230B 0.0200
RFQ
ECAD 84 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 350 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 2 V 4.7 v 19オーム
BZX85C8V2.TA Fairchild Semiconductor bzx85c8v2.ta -
RFQ
ECAD 3841 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6.1% -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 5 V 8.2 v 5オーム
TIP31 Fairchild Semiconductor TIP31 0.3300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -65°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 2 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,200 40 v 3 a 300µA npn 1.2V @ 375MA、3a 10 @ 3a 、4V 3MHz
SFS9630YDTU Fairchild Semiconductor SFS9630YDTU 0.2700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ SFS9630 - - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 -
HUF76429S3ST_Q Fairchild Semiconductor HUF76429S3ST_Q -
RFQ
ECAD 8101 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 0000.00.0000 150
BZX85C10 Fairchild Semiconductor BZX85C10 0.0300
RFQ
ECAD 98 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al(do-41) ダウンロード ear99 8541.10.0050 9,072 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 7 V 10 v 7オーム
ISL9N304AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N304AP3 0.6000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 75a(tc) 4.5V 、10V 4.5mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 105 NC @ 10 V ±20V 4075 PF @ 15 V - 145W
HUF75321S3S Fairchild Semiconductor HUF75321S3S 0.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak(to-263) ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 55 v 35a(tc) 34mohm @ 35a 、10V 4V @ 250µA 44 NC @ 20 V ±20V 680 PF @ 25 V - 93W
FDB6690S Fairchild Semiconductor FDB6690S 0.7000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak(to-263) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 42a(ta) 4.5V 、10V 15.5mohm @ 21a 、10V 3V @ 1MA 15 NC @ 5 V ±20V 1238 PF @ 15 V - 48W (TC)
FQI8N60CTU Fairchild Semiconductor fqi8n60ctu 1.1800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads FQI8N60 モスフェット(金属酸化物) i2pak(to-262) ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 600 V 7.5a 10V 1.2OHM @ 3.75A 、10V 4V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±30V 1255 PF @ 25 V - 3.13W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫