画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMSZ5235B | 0.0200 | ![]() | 361 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 5 V | 6.8 v | 5オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD8453LZ-F085 | 0.5800 | ![]() | 3248 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 40 v | 50a(tc) | 4.5V 、10V | 6.7mohm @ 15a 、10V | 3V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ±20V | 3515 PF @ 20 V | - | 118W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB772YSTU | 0.1900 | ![]() | 814 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-225AA、to-126-3 | 1 W | TO-126-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1,576 | 30 V | 3 a | 1µa(icbo) | PNP | 500MV @ 200MA 、2a | 160 @ 1a 、2V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI13N06TU | 0.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット(金属酸化物) | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 60 V | 13a(tc) | 10V | 135mohm @ 6.5a 、10V | 4V @ 250µA | 7.5 NC @ 10 V | ±25V | 310 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA )、45W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | SS8550DTA | - | ![]() | 2789 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 1 W | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 25 v | 1.5 a | 100NA | PNP | 500mv @ 80ma 、800ma | 160 @ 100MA、1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5995B | 1.8400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 4 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP5N50C | 0.4400 | ![]() | 62 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 500 V | 5a(tc) | 10V | 1.4OHM @ 2.5A 、10V | 4V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±30V | 625 PF @ 25 V | - | 73W | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C7V5-T50A | 0.0300 | ![]() | 80 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 MA | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9011HBU | 0.0200 | ![]() | 100 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 400 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 30 V | 30 Ma | 100na(icbo) | npn | 300MV @ 1MA 、10ma | 97 @ 1MA 、5V | 2MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP9N50 | - | ![]() | 1680 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 500 V | 9a(tc) | 10V | 730mohm @ 4.5a 、10V | 5V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±30V | 1450 PF @ 25 V | - | 147W | |||||||||||||||||||||||
![]() | BC859B | 0.0800 | ![]() | 75 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 220 @ 2MA 、5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP4N80 | 1.0000 | ![]() | 7505 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 800 V | 3.9a(tc) | 10V | 3.6OHM @ 1.95A 、10V | 5V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 880 PF @ 25 V | - | 130W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5247B | 1.0000 | ![]() | 8792 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 13 V | 17 v | 19オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP9N30 | - | ![]() | 4894 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | - | 2156-FQP9N30 | 1 | nチャネル | 300 V | 9a(tc) | 10V | 450mohm @ 4.5a 、10V | 5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±30V | 740 PF @ 25 V | - | 98W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C3V3 | 0.0400 | ![]() | 35 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±6% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 MA | 2 µA @ 1 V | 3.3 v | 85オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR0520L | - | ![]() | 1880 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | SOD-123 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 20 v | 385 mV @ 500 Ma | 250 µA @ 20 V | -65°C〜125°C | 500mA | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | fja4210otu | - | ![]() | 7629 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 100 W | to-3p | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 140 v | 10 a | 10µa(icbo) | PNP | 500MV @ 500MA 、5a | 70 @ 3a 、4V | 30MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP86363_F085 | - | ![]() | 3136 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 80 v | 110a(tc) | 10V | 2.8mohm @ 80a 、10V | 4V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±20V | 10000 PF @ 40 V | - | 300W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | hufa75852g3 | - | ![]() | 1363 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 150 | nチャネル | 150 v | 75a(tc) | 10V | 16mohm @ 75a 、10V | 4V @ 250µA | 480 NC @ 20 V | ±20V | 7690 PF @ 25 V | - | 500W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BC549B | 0.0400 | ![]() | 41 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 200 @ 2MA 、5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5230B | 0.0200 | ![]() | 84 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ52 | 350 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 v | 19オーム | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | bzx85c8v2.ta | - | ![]() | 3841 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±6.1% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 5 V | 8.2 v | 5オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP31 | 0.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | 2 W | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,200 | 40 v | 3 a | 300µA | npn | 1.2V @ 375MA、3a | 10 @ 3a 、4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFS9630YDTU | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | SFS9630 | - | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76429S3ST_Q | - | ![]() | 8101 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 0000.00.0000 | 150 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C10 | 0.0300 | ![]() | 98 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 9,072 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 7 V | 10 v | 7オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N304AP3 | 0.6000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 30 V | 75a(tc) | 4.5V 、10V | 4.5mohm @ 75a 、10V | 3V @ 250µA | 105 NC @ 10 V | ±20V | 4075 PF @ 15 V | - | 145W | |||||||||||||||||||||
![]() | HUF75321S3S | 0.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS非準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 55 v | 35a(tc) | 34mohm @ 35a 、10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 20 V | ±20V | 680 PF @ 25 V | - | 93W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB6690S | 0.7000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Powertrench®、Syncfet™ | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 30 V | 42a(ta) | 4.5V 、10V | 15.5mohm @ 21a 、10V | 3V @ 1MA | 15 NC @ 5 V | ±20V | 1238 PF @ 15 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | fqi8n60ctu | 1.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | FQI8N60 | モスフェット(金属酸化物) | i2pak(to-262) | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 600 V | 7.5a | 10V | 1.2OHM @ 3.75A 、10V | 4V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±30V | 1255 PF @ 25 V | - | 3.13W |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫