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離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
BZX79C3V3-T50A	0.0200	RFQ	35	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	DO-35	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けた	2156-BZX79C3V3-T50A-600039			1																		1.5 V @ 100 MA	25 µA @ 1 V										3.3 v	95オーム
ksc1623lmtf-fs	0.0200	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3		KSC1623		200 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	3,000																							50 v	100 Ma				100na（icbo）				npn	300MV @ 10MA 、100mA	300 @ 1MA 、6V	250MHz
FSB50550UTD	10.6200	RFQ	49	フェアチャイルド半導体	spm®5	バルク	アクティブ			穴を通して	23-powerdip モジュール（0.748 "、19.00mm）	モスフェット					ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		ear99	8542.39.0001	1	3相インバーター			2 a	500 V	1500VRMS
SS9014DBU	0.0200	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3				450 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	1																							45 v	100 Ma				50na（icbo）				npn	300MV @ 5MA 、100mA	60 @ 1MA 、5V	270MHz
hn1b01fdw1t1g	0.0400	RFQ	48	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	SC-74、SOT-457		HN1B01		380MW	SC-74	ダウンロード					ear99	8541.21.0095	7,474																							50V	200mA				2µA				NPN、PNP	250mv @ 10ma 、100ma / 300mv @ 10ma 、100ma	200 @ 2MA 、6V	-
FDS7088N3	2.6000	RFQ	4	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル				30 V	21a（ta）	4.5V 、10V	4mohm @ 21a 、10v	3V @ 250µA	48 NC @ 5 V	±20V	3845 PF @ 15 V	-	3w
FDMC3020DC	1.0000	RFQ	7001	フェアチャイルド半導体	Dual Cool™、PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）		Power33	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル				30 V	17a	4.5V 、10V	6.25mohm @ 12a 、10V	3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1385 PF @ 15 V	-	3W （TA）、50W（TC）
2N5366	0.0400	RFQ	21	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3				625 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	2,000																							40 v	500 Ma				100NA				PNP	1V @ 30MA 、300ma	100 @ 50ma、1V	-
BSS63	0.0300	RFQ	17	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3		BSS6		350 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	3,000																							100 V	200 ma				100na（icbo）				PNP	250MV @ 2.5MA 、25mA	30 @ 25MA、1V	50MHz
fqpf9n50ydtu	0.8800	RFQ	24	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3 フルパック、形成されたリード			モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	800			nチャネル				500 V	5.3a（tc）	10V	730mohm @ 2.65a 、10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1450 PF @ 25 V	-	50W （TC）
MBR735	-	RFQ	7294	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2			ショットキー		TO-220-2	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns															35 v	840 mV @ 15 a	100 µA @ 35 V	-65°C〜150°C	7.5a	-
FDS4080N7	1.5500	RFQ	11	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル				40 v	13a（ta）	10V	10mohm @ 13a 、10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 20 v	-	3.9W
FDP7030L	2.1300	RFQ	29	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	チューブ	廃止		-65°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	50			nチャネル				30 V	80a（ta）	4.5V 、10V	7mohm @ 40a 、10V	3V @ 250µA	33 NC @ 5 V	±20V	2440 PF @ 15 V	-	68W （TC）
IRF830B	0.5400	RFQ	9	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル				500 V	4.5a	10V	1.5OHM @ 2.25A 、10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1050 PF @ 25 V	-	73W
MM3Z3V3C	0.0200	RFQ	5724	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F				200 MW	SOD-323F	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	8,220																		1 V @ 10 mA	4.5 µA @ 1 V										3.3 v	89オーム
SFR9120TM	0.2500	RFQ	27	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.29.0095	2,500			pチャネル				100 V	4.9a（tc）	10V	600mohm @ 2.5a 、10V	4V @ 250µA	20 NC @ 10 V	±30V	550 PF @ 25 V	-	2.5W
FNB51560T1	9.2200	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	モーションSPM®55	バルク	アクティブ			穴を通して	20-POWERDIP モジュール（1.220 "、31.00mm）	IGBT	FNB51				ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		ear99	8542.39.0001	1	3相インバーター			15 a	600 V	1500VRMS
FQP9N30	-	RFQ	4894	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220-3	-				2156-FQP9N30			1			nチャネル				300 V	9a（tc）	10V	450mohm @ 4.5a 、10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	740 PF @ 25 V	-	98W （TC）
MMBFJ176	-	RFQ	5115	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3				225 MW	SOT-23-3	ダウンロード					ear99	8541.21.0095	1			pチャネル											-											30 V	2 MA @ 15 V	1 V @ 10 Na				250オーム
BZX55C3V3	0.0400	RFQ	35	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±6％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	1,000																		1.3 V @ 100 MA	2 µA @ 1 V										3.3 v	85オーム
1N4749A-T50R	0.0300	RFQ	2633	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		1N4749		1 W	DO-41	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1																			5 µA @ 18.2 v										24 v	25オーム
FDPF770N15A	-	RFQ	3901	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル				150 v	10a（tc）	10V	77mohm @ 10a 、10V	4V @ 250µA	11.2 NC @ 10 V	±20V	765 PF @ 75 V	-	21W （TC）
Hufa75545p3	0.8700	RFQ	345	フェアチャイルド半導体	ultrafet™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	345			nチャネル				80 v	75a（tc）	10V	10mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	235 NC @ 20 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	270W
FDMS0343S	0.1800	RFQ	4	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）		8-PQFN	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル				25 v	28a（タタ）、49a（tc）	4.5V 、10V	1.95mohm @ 28a 、10v	3V @ 1MA	69 NC @ 10 V	±20V	4515 PF @ 13 V	-	2.5W （TA ）、83W（TC）
FDMD86100	1.0000	RFQ	6636	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERWDFN		FDMD86	モスフェット（金属酸化物）	2.2W	8パワー5x6	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1	2 nチャンネル（デュアル）共通ソース						100V	10a		10.5mohm @ 10a 、10V	4V @ 250µA	30NC @ 10V		2060pf @ 50V	-
FDS8949	1.0000	RFQ	2329	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		FDS89	モスフェット（金属酸化物）	2W	8-SOIC	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1	2 nチャンネル（デュアル）						40V	6a		29mohm @ 6a 、10V	3V @ 250µA	11NC @ 5V		955pf @ 20V	ロジックレベルゲート
FDA62N28	3.6600	RFQ	854	フェアチャイルド半導体	unifet™	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-3p-3、SC-65-3			モスフェット（金属酸化物）		to-3pn	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	30			nチャネル				280 v	62a（tc）	10V	51mohm @ 31a 、10v	5V @ 250µA	100 NC @ 10 V	±30V	4630 PF @ 25 V	-	500W （TC）
SMC6280P	0.1800	RFQ	9	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ						SMC6280	-			-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	3,000															-
FDMC7664	1.0000	RFQ	2707	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERWDFN			モスフェット（金属酸化物）		8-mlp （3.3x3.3）	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル				30 V	18.8a	4.5V 、10V	4.2mohm @ 18.8a 、10V	3V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	4865 PF @ 15 V	-	2.3W
1N5231CTR	0.0300	RFQ	150	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	11,539																		1.1 V @ 200 mA	5 µA @ 2 V										5.1 v	17オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²