SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) 電圧-DC リバース( VR )(最大) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 電流に結合された電圧 - @ vr 電圧に結合された電流-worward vf )( max @ if
KSC2688YS Fairchild Semiconductor KSC2688ys 0.1900
RFQ
ECAD 2415 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1.25 w TO-126 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 419 300 V 200 ma 100µa(icbo) npn 1.5V @ 5MA 、50mA 100 @ 10ma 、10V 80MHz
FQPF16N25 Fairchild Semiconductor FQPF16N25 0.8500
RFQ
ECAD 79 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット(金属酸化物) TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 250 v 9.5a 10V 230mohm @ 4.75a 、10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 1200 PF @ 25 V - 50W (TC)
KSP27TA Fairchild Semiconductor KSP27TA 0.0200
RFQ
ECAD 2417 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 1,890 60 V 500 Ma 100na(icbo) npn-ダーリントン 1.5V @ 100µA 、100mA 10000 @ 100MA 、5V -
MMSZ5249B Fairchild Semiconductor MMSZ5249B -
RFQ
ECAD 2046 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 14 V 19 v 23オーム
FQH18N50V2 Fairchild Semiconductor FQH18N50V2 3.0300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット(金属酸化物) TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 450 nチャネル 500 V 20a(tc) 10V 265mohm @ 10a 、10V 5V @ 250µA 55 NC @ 10 V ±30V 3290 PF @ 25 V - 277W (TC)
FCP9N60N Fairchild Semiconductor FCP9N60N 1.5500
RFQ
ECAD 33 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SuperMos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 9a(tc) 10V 385mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±30V 1240 PF @ 100 V - 83.3W
BZX79C6V2 Fairchild Semiconductor BZX79C6V2 0.0300
RFQ
ECAD 61 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 1.5 V @ 100 MA 3 µA @ 4 V 6.2 v 10オーム
2N5550TF Fairchild Semiconductor 2N5550TF 0.0200
RFQ
ECAD 29 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 140 v 600 Ma 100na(icbo) npn 250mv @ 5ma 、50ma 60 @ 10ma 、5v 300MHz
FDD16AN08A0 Fairchild Semiconductor FDD16AN08A0 -
RFQ
ECAD 5862 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット(金属酸化物) ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 75 v 9a(タタ)、50a(tc) 6V 、10V 16mohm @ 50a 、10V 4V @ 250µA 47 NC @ 10 V ±20V 1874 PF @ 25 V - 135W
1N750ATR REEL Fairchild Semiconductor 1N750ATRリール -
RFQ
ECAD 4887 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW -204AHをします ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 mA 2 µA @ 1 V 4.7 v 19オーム
1N4735A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4735A-T50A 0.0300
RFQ
ECAD 45 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al(do-41) ダウンロード ear99 8541.10.0050 9,616 10 µA @ 3 V 6.2 v 2オーム
FJY4009R Fairchild Semiconductor FJY4009R 0.0200
RFQ
ECAD 14 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SC-89 、SOT-490 FJY400 200 MW SOT-523F ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 14,999 40 v 100 Ma 100na(icbo) pnp-前バイアス 300MV @ 1MA 、10ma 100 @ 1MA 、5V 200 MHz 4.7 Kohms
BZX85C6V8 Fairchild Semiconductor BZX85C6V8 0.0300
RFQ
ECAD 196 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% - 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85C6 1.3 w do-41g ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 4 V 6.8 v 3.5オーム
1N5260B-T50A Fairchild Semiconductor 1N5260B-T50A -
RFQ
ECAD 5225 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5260 500 MW DO-35 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 33 V 43 v 93オーム
FDP070AN06A0 Fairchild Semiconductor FDP070AN06A0 1.1600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 258 nチャネル 60 V 15a(タタ)、 80a(tc) 10V 7mohm @ 80a 、10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 25 v - 175W
SB320 Fairchild Semiconductor SB320 0.1500
RFQ
ECAD 14 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-201AA SB32 ショットキー DO-2011 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 8541.10.0080 2,049 高速回復= <500ns 20 v 490 mV @ 3 a 500 µA @ 20 V -50°C〜150°C 3a -
FDP2D3N10C Fairchild Semiconductor FDP2D3N10C -
RFQ
ECAD 6950 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 FDP2D3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 100 V 222a 10V 2.3mohm @ 100a 、10V 4V @ 700µA 152 NC @ 10 V ±20V 11180 PF @ 50 V - 214W
BZX79C3V3 Fairchild Semiconductor BZX79C3V3 0.0200
RFQ
ECAD 101 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 do-35 (do-204ah) ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.5 25 1 100
FJY3010R Fairchild Semiconductor FJY3010R 0.0200
RFQ
ECAD 1471 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SC-89 、SOT-490 FJY301 200 MW SOT-523F ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 40 v 100 Ma 100na(icbo) npn-バイアス化 300MV @ 1MA 、10ma 100 @ 1MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
FDMC2523P Fairchild Semiconductor FDMC2523P -
RFQ
ECAD 3416 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット(金属酸化物) 8-mlp (3.3x3.3) ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 150 v 3a(tc) 10V 1.5OHM @ 1.5A 、10V 5V @ 250µA 9 NC @ 10 V ±30V 270 PF @ 25 V - 42W
RHRG5060-F085 Fairchild Semiconductor RHRG5060-F085 -
RFQ
ECAD 4183 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ 穴を通して TO-247-2 RHRG5060 標準 TO-247-2 - 適用できない 3 (168 時間) 2156-RHRG5060-F085 ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 2.1 V @ 50 a 60 ns 250 µA @ 600 V -55°C〜175°C 50a -
FQPF7N65C Fairchild Semiconductor FQPF7N65C -
RFQ
ECAD 4619 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック FQPF7 モスフェット(金属酸化物) TO-220F ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 650 V 7a(tc) 10V 1.4OHM @ 3.5A 、10V 4V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±30V 1245 PF @ 25 V - 52W
BC337TF Fairchild Semiconductor BC337TF 0.0200
RFQ
ECAD 7350 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 7,930 45 v 800 Ma 100NA npn 700mv @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA、1V 100MHz
2N4401RP Fairchild Semiconductor 2N4401RP 0.0200
RFQ
ECAD 147 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 2N4401 625 MW to-92(to-226) ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 1 40 v 600 Ma 100NA npn 750mv @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma、1V 250MHz
BD433S Fairchild Semiconductor BD433S 0.2700
RFQ
ECAD 17 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-225AA、to-126-3 36 W TO-126-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 22 v 4 a 100µA npn 500MV @ 200MA 、2a 40 @ 10MA 、5V 3MHz
FQB1P50TM Fairchild Semiconductor fqb1p50tm -
RFQ
ECAD 1733 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak(to-263) ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 500 V 1.5a 10V 10.5OHM @ 750MA 、10V 5V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±30V 350 PF @ 25 V - 3.13W (TA )、63W(TC)
HUF75339S3S_TR4935 Fairchild Semiconductor HUF75339S3S_TR4935 0.7300
RFQ
ECAD 5377 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 0000.00.0000 123
SB540 Fairchild Semiconductor SB540 -
RFQ
ECAD 7476 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-201AA ショットキー DO-2011 ダウンロード 0000.00.0000 1 高速回復= <500ns 40 v 550 mv @ 5 a 500 µA @ 40 V -50°C〜150°C 5a -
2N4402TFR Fairchild Semiconductor 2N4402TFR 0.0200
RFQ
ECAD 6833 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,166 40 v 600 Ma - PNP 750mv @ 50ma 、500ma 50 @ 150ma 、2V -
KBU8A Fairchild Semiconductor KBU8A 1.2800
RFQ
ECAD 2854 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 178 1 V @ 8 a 10 µA @ 50 V 8 a 単相 50 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫