画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 電流に結合された電圧 - @ vr | 電圧に結合された電流-worward vf )( max @ if |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KSC2688ys | 0.1900 | ![]() | 2415 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-225AA、to-126-3 | 1.25 w | TO-126 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0075 | 419 | 300 V | 200 ma | 100µa(icbo) | npn | 1.5V @ 5MA 、50mA | 100 @ 10ma 、10V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF16N25 | 0.8500 | ![]() | 79 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 250 v | 9.5a | 10V | 230mohm @ 4.75a 、10V | 5V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±30V | 1200 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP27TA | 0.0200 | ![]() | 2417 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 1,890 | 60 V | 500 Ma | 100na(icbo) | npn-ダーリントン | 1.5V @ 100µA 、100mA | 10000 @ 100MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
MMSZ5249B | - | ![]() | 2046 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 14 V | 19 v | 23オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQH18N50V2 | 3.0300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 450 | nチャネル | 500 V | 20a(tc) | 10V | 265mohm @ 10a 、10V | 5V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±30V | 3290 PF @ 25 V | - | 277W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP9N60N | 1.5500 | ![]() | 33 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | SuperMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 600 V | 9a(tc) | 10V | 385mohm @ 4.5a 、10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ±30V | 1240 PF @ 100 V | - | 83.3W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C6V2 | 0.0300 | ![]() | 61 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 MA | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5550TF | 0.0200 | ![]() | 29 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 140 v | 600 Ma | 100na(icbo) | npn | 250mv @ 5ma 、50ma | 60 @ 10ma 、5v | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD16AN08A0 | - | ![]() | 5862 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 75 v | 9a(タタ)、50a(tc) | 6V 、10V | 16mohm @ 50a 、10V | 4V @ 250µA | 47 NC @ 10 V | ±20V | 1874 PF @ 25 V | - | 135W | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N750ATRリール | - | ![]() | 4887 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | -204AHをします | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 4.7 v | 19オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4735A-T50A | 0.0300 | ![]() | 45 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 9,616 | 10 µA @ 3 V | 6.2 v | 2オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4009R | 0.0200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | FJY400 | 200 MW | SOT-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 14,999 | 40 v | 100 Ma | 100na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 1MA 、10ma | 100 @ 1MA 、5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C6V8 | 0.0300 | ![]() | 196 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85C6 | 1.3 w | do-41g | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 4 V | 6.8 v | 3.5オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5260B-T50A | - | ![]() | 5225 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5260 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 33 V | 43 v | 93オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP070AN06A0 | 1.1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 258 | nチャネル | 60 V | 15a(タタ)、 80a(tc) | 10V | 7mohm @ 80a 、10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ±20V | 3000 pf @ 25 v | - | 175W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB320 | 0.1500 | ![]() | 14 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-201AA | SB32 | ショットキー | DO-2011 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 2,049 | 高速回復= <500ns | 20 v | 490 mV @ 3 a | 500 µA @ 20 V | -50°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP2D3N10C | - | ![]() | 6950 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | FDP2D3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 100 V | 222a | 10V | 2.3mohm @ 100a 、10V | 4V @ 700µA | 152 NC @ 10 V | ±20V | 11180 PF @ 50 V | - | 214W | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C3V3 | 0.0200 | ![]() | 101 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 | 25 | 1 | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY3010R | 0.0200 | ![]() | 1471 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | FJY301 | 200 MW | SOT-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 100 Ma | 100na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 1MA 、10ma | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC2523P | - | ![]() | 3416 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERWDFN | モスフェット(金属酸化物) | 8-mlp (3.3x3.3) | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | pチャネル | 150 v | 3a(tc) | 10V | 1.5OHM @ 1.5A 、10V | 5V @ 250µA | 9 NC @ 10 V | ±30V | 270 PF @ 25 V | - | 42W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RHRG5060-F085 | - | ![]() | 4183 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | RHRG5060 | 標準 | TO-247-2 | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 2156-RHRG5060-F085 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.1 V @ 50 a | 60 ns | 250 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 50a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF7N65C | - | ![]() | 4619 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | FQPF7 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 650 V | 7a(tc) | 10V | 1.4OHM @ 3.5A 、10V | 4V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±30V | 1245 PF @ 25 V | - | 52W | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337TF | 0.0200 | ![]() | 7350 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 7,930 | 45 v | 800 Ma | 100NA | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 100 @ 100MA、1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4401RP | 0.0200 | ![]() | 147 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 2N4401 | 625 MW | to-92(to-226) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 v | 600 Ma | 100NA | npn | 750mv @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma、1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD433S | 0.2700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-225AA、to-126-3 | 36 W | TO-126-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 22 v | 4 a | 100µA | npn | 500MV @ 200MA 、2a | 40 @ 10MA 、5V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqb1p50tm | - | ![]() | 1733 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | pチャネル | 500 V | 1.5a | 10V | 10.5OHM @ 750MA 、10V | 5V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±30V | 350 PF @ 25 V | - | 3.13W (TA )、63W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75339S3S_TR4935 | 0.7300 | ![]() | 5377 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 0000.00.0000 | 123 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB540 | - | ![]() | 7476 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-201AA | ショットキー | DO-2011 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 40 V | -50°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4402TFR | 0.0200 | ![]() | 6833 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,166 | 40 v | 600 Ma | - | PNP | 750mv @ 50ma 、500ma | 50 @ 150ma 、2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBU8A | 1.2800 | ![]() | 2854 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 178 | 1 V @ 8 a | 10 µA @ 50 V | 8 a | 単相 | 50 v |
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