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離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
FDMC2512SDC	-	RFQ	2558	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）			8-PQFN （3.3x3.3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル		25 v	32a	4.5V 、10V	2mohm @ 27a 、10V	2.5V @ 1MA	68 NC @ 10 V	±20V	4410 PF @ 13 V	-	3W （TA ）、66W（TC）
DF06S2	-	RFQ	2935	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼			標準			4-sdip	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	1																1.1 V @ 1 a		5 µA @ 600 v		2 a										単相	600 V
FMM7G50US60N	28.1700	RFQ	39	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	モジュール				139 w	三相ブリッジ整流器	-	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	2156-FMM7G50US60N	ear99	8541.29.0095	11	ブレーキ付きの3相インバーター																					-	600 V	50 a		2.7V @ 15V 、50a						250 µA	はい			3.565 NF @ 30 V
NDS356AP-NB8L005A	0.1800	RFQ	89	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			モスフェット（金属酸化物）			SOT-23-3	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156S356AP-NB8L005A-600039			1,707			pチャネル		30 V	1.1a（ta）	4.5V 、10V	200mohm @ 1.3a 、10V	2.5V @ 250µA	4.4 NC @ 5 V	±20V	280 pf @ 10 v	-	500MW
FQPF2N50	0.3400	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）			TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル		500 V	1.3a（tc）	10V	5.3OHM @ 650MA 、10V	5V @ 250µA	8 NC @ 10 V	±30V	230 PF @ 25 V	-	20W （TC）
FQP55N06	1.3100	RFQ	3	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル		60 V	55a（tc）	10V	20mohm @ 27.5a 、10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±25V	1690 PF @ 25 V	-	133W
1N5257BTR	0.0200	RFQ	241	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000																1.2 V @ 200 mA		100 Na @ 25 V																33 v	58オーム
FCPF290N80	3.0800	RFQ	8	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	FCPF290		モスフェット（金属酸化物）			TO-220F	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	98			nチャネル		800 V	17a（tc）	10V	290mohm @ 8.5a 、10V	4.5V @ 1.7MA	75 NC @ 10 V	±20V	3205 PF @ 100 V	-	40W （TC）
RS1KFP	-	RFQ	8408	フェアチャイルド半導体	aec-q101	バルク	アクティブ			表面マウント	SOD-123H	rs1k		標準			SOD-123HE	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns													800 V	1.3 V @ 1.2 a	300 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1.2a	18pf @ 0V、1MHz
SGF80N60UFTU	4.7500	RFQ	22	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	to-3p-3フルパック	SGF80N60	標準		110 w		to-3pf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1				300V 、40A 、5OHM、15V																		-	600 V	80 a	220 a	2.6V @ 15V 、40a	570µj（on 590µj （オフ）	175 NC	23ns/90ns
ffb20up20stm	1.0000	RFQ	4609	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-263-3			標準			d2pak（to-263）	ダウンロード						0000.00.0000	1		高速回復= <500ns													200 v	1.15 V @ 20 a	45 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	20a	-
flz9v1b	0.0200	RFQ	4948	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±3％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80				500 MW		SOD-80	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	5,433																1.2 V @ 200 mA		300 Na @ 6 V																8.8 v	6.6オーム
MMPQ2222	0.6800	RFQ	133	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	MMPQ22			1W		16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0075	2,500																							30V	500mA								50na（icbo）					4 npn	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma、1V	300MHz
FGPF70N33BTTU	0.9700	RFQ	3	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック		標準		48 w		TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	50				-																		溝	330 v		220 a	1.7V @ 15V 、70a	-	49 NC	-
FPN660A	0.1800	RFQ	11	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3				1 W		TO-226	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0075	1,500																							60 V	3 a								100na（icbo）					PNP	400mv @ 200ma 、2a	250 @ 500MA 、2V	75MHz
FQPF7N40	0.5500	RFQ	552	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）			TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	552			nチャネル		400 V	4.6a（tc）	10V	800mohm @ 2.3a 、10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	780 PF @ 25 V	-	42W
FDMC7572S	-	RFQ	4065	フェアチャイルド半導体	Powertrench®、Syncfet™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）			Power33	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		25 v	22.5a	4.5V 、10V	3.15mohm @ 22.5a 、10V	3V @ 1MA	44 NC @ 10 V	±20V	2705 PF @ 13 V	-	2.3W
FQT3P20TF_SB82100	-	RFQ	7758	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			モスフェット（金属酸化物）			SOT-223-4	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1			pチャネル		200 v	670ma	10V	2.7OHM @ 335MA 、10V	5V @ 250µA	8 NC @ 10 V	±30V	250 PF @ 25 V	-	2.5W
KSC2310YTA	0.0800	RFQ	14	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3				800 MW		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	2,000																							150 v	50 Ma								100na（icbo）					npn	500MV @ 1MA 、10ma	120 @ 10MA 、5V	100MHz
FQPF3P20	0.2900	RFQ	4	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）			TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	1,000			pチャネル		200 v	2.2a（tc）	10V	2.7OHM @ 1.1A 、10V	5V @ 250µA	8 NC @ 10 V	±30V	250 PF @ 25 V	-	32W
ISL9V5036S3	-	RFQ	1273	フェアチャイルド半導体	ecospark®	チューブ	廃止		-40°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		論理		250 W		TO-262AA	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	50				300V、1KOHM																		-	390 v	46 a		1.6V @ 4V 、10a	-	32 NC	-/10.8µs
fjx3007rtf	0.0200	RFQ	488	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-70、SOT-323	FJX300			200 MW		SC-70 （SOT323）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	3,000																							50 v	100 Ma								100na（icbo）					npn-バイアス化	300MV @ 500µA 、10mA	68 @ 5MA 、5V	250 MHz	22 Kohms	47 Kohms
TIP116	0.2000	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-65°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3				50 W		TO-220-3	ダウンロード	ROHS非準拠				ear99	8541.29.0095	1,200																							80 v	2 a								2MA					pnp-ダーリントン	2.5V @ 8MA 、2a	1000 @ 1a 、4V	25MHz
MM3Z62VB	0.0200	RFQ	3951	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	MM3Z62			200 MW		SOD-323F	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1																1 V @ 10 mA		45 Na @ 43.4 v																62 v	202オーム
FDD6670AL	1.0100	RFQ	48	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル		30 V	84a（ta）	4.5V 、10V	5mohm @ 18a 、10V	3V @ 250µA	56 NC @ 5 V	±20V	3845 PF @ 15 V	-	83W
1N4755A-T50A	0.0500	RFQ	33	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4755			1 W		DO-41	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	6,354																		5 µA @ 32.7 v																43 v	70オーム
1N747ATR	-	RFQ	3449	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	適用できない				ear99	8541.10.0050	5,000																1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V																3.6 v	24オーム
SB130	0.0900	RFQ	60	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸			ショットキー			do15/do204ac	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	3,386		高速回復= <500ns													30 V	500 mV @ 1 a		500 µA @ 30 V	-50°C〜150°C	1a	-
BZX79C5V1	0.0300	RFQ	203	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	11,539																1.5 V @ 100 MA		2 µA @ 2 V																5.1 v	60オーム
fqa7n80l	-	RFQ	5467	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ											-						0000.00.0000	1

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²