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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 現在 -平均修正（ io） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FQD1N60TF Fairchild Semiconductor FQD1N60TF 0.2900
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 1a（tc） 10V 11.5OHM @ 500MA 、10V 5V @ 250µA 6 NC @ 10 V ±30V 150 PF @ 25 V - 2.5w
FCH170N60 Fairchild Semiconductor FCH170N60 3.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ear99 8542.39.0001 102 nチャネル 600 V 22a（tc） 10V 170mohm @ 11a 、10V 3.5V @ 250µA 55 NC @ 10 V ±20V 2860 PF @ 380 v - 227W
HUF76009D3ST Fairchild Semiconductor huf76009d3st 0.2500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 20 v 20a（tc） 5V、10V 27mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 470 PF @ 20 V - 41W
HUF76437P3 Fairchild Semiconductor HUF76437P3 1.1600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 71a（tc） 4.5V 、10V 14mohm @ 71a 、10v 3V @ 250µA 71 NC @ 10 V ±16V 2230 PF @ 25 V - 155W
SI3457DV Fairchild Semiconductor SI3457DV -
RFQ
 ECAD 9186 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 30 V 4a（ta） 4.5V 、10V 50mohm @ 4a 、10V 3V @ 250µA 8.1 NC @ 5 V ±25V 470 PF @ 25 V - 1.6W
FDD6N50TM Fairchild Semiconductor FDD6N50TM -
RFQ
 ECAD 3527 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 500 V 6a（tc） 10V 900mohm @ 3a、10V 5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 V ±30V 9400 PF @ 25 V - 89W
HUF76445S3ST Fairchild Semiconductor HUF76445S3ST 1.4000
RFQ
 ECAD 385 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 60 V 75a（tc） 4.5V 、10V 6.5mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±16V 4965 PF @ 25 V - 310W
HGT1S10N120BNS Fairchild Semiconductor HGT1S10N120BNS -
RFQ
 ECAD 2471 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 HGT1S10 標準 298 w TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 960V 、10A、10OHM、15V npt 1200 v 35 a 80 a 2.7V @ 15V 、10a 320µJ（800µJオフ） 100 NC 23ns/165ns
1N4731A Fairchild Semiconductor 1N4731a 0.0300
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±0.5％ - 穴を通して 軸 1N4731 1 W do-41g ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 100 MA 10 µA @ 1 V 4.3 v 9オーム
TIP32A Fairchild Semiconductor tip32a -
RFQ
 ECAD 8033 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TIP32 2 W TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 60 V 3 a 200µA PNP 1.2V @ 375MA、3a 10 @ 3a 、4V -
FDP16N50 Fairchild Semiconductor FDP16N50 1.2000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 16a（tc） 10V 380mohm @ 8a 、10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±30V 1945 PF @ 25 V - 200W （TC）
ISL9N304AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N304AP3 0.6000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 75a（tc） 4.5V 、10V 4.5mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 105 NC @ 10 V ±20V 4075 PF @ 15 V - 145W
FDB24AN06LA0 Fairchild Semiconductor FDB24AN06LA0 1.0000
RFQ
 ECAD 4278 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 60 V 7.8a 5V、10V 19mohm @ 40a 、10V 3V @ 250µA 21 NC @ 5 V ±20V 1850 pf @ 25 v - 75W
HUF76429S3ST_Q Fairchild Semiconductor HUF76429S3ST_Q -
RFQ
 ECAD 8101 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 0000.00.0000 150
TIP31 Fairchild Semiconductor TIP31 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -65°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 2 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,200 40 v 3 a 300µA npn 1.2V @ 375MA、3a 10 @ 3a 、4V 3MHz
BZX85C10 Fairchild Semiconductor BZX85C10 0.0300
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ear99 8541.10.0050 9,072 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 7 V 10 v 7オーム
KSD471ACYBU Fairchild Semiconductor ksd471acybu 1.0000
RFQ
 ECAD 6110 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 800 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 30 V 1 a 100na（icbo） npn 500MV @ 100MA、1a 120 @ 100MA、1V 130MHz
2KBP06M Fairchild Semiconductor 2kbp06m 0.2900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 600 v 2 a 単相 600 V
HUFA75852G3 Fairchild Semiconductor hufa75852g3 -
RFQ
 ECAD 1363 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 150 nチャネル 150 v 75a（tc） 10V 16mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 480 NC @ 20 V ±20V 7690 PF @ 25 V - 500W （TC）
BC549B Fairchild Semiconductor BC549B 0.0400
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 300MHz
MMBZ5230B Fairchild Semiconductor MMBZ5230B 0.0200
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 350 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 2 V 4.7 v 19オーム
BZX85C8V2.TA Fairchild Semiconductor bzx85c8v2.ta -
RFQ
 ECAD 3841 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6.1％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 5 V 8.2 v 5オーム
SFS9630YDTU Fairchild Semiconductor SFS9630YDTU 0.2700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ SFS9630 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 -
BC80740MTF Fairchild Semiconductor BC80740MTF -
RFQ
 ECAD 8447 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 310 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 45 v 800 Ma 100NA PNP 700mv @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA、1V 100MHz
FDP86363_F085 Fairchild Semiconductor FDP86363_F085 -
RFQ
 ECAD 3136 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 80 v 110a（tc） 10V 2.8mohm @ 80a 、10V 4V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 40 V - 300W （TJ）
FJAF6810DTU Fairchild Semiconductor FJAF6810DTU 1.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3フルパック 60 W to-3pf ダウンロード 適用できない ear99 8541.29.0095 30 750 V 10 a 1ma npn 3V @ 1.5a 、6a 5 @ 6a 、5V -
HGTG20N60B3 Fairchild Semiconductor HGTG20N60B3 -
RFQ
 ECAD 9298 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-247-3 標準 165 W TO-247 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-HGTG20N60B3-600039 1 - - 600 V 40 a 160 a 2V @ 15V、 20a - 135 NC -
2N5551TF Fairchild Semiconductor 2N5551TF 1.0000
RFQ
 ECAD 5575 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 160 v 600 Ma 50na（icbo） npn 200mV @ 5MA 、50mA 80 @ 10ma 、5v 100MHz
HUF75321S3S Fairchild Semiconductor HUF75321S3S 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 55 v 35a（tc） 34mohm @ 35a 、10V 4V @ 250µA 44 NC @ 20 V ±20V 680 PF @ 25 V - 93W
TIP100 Fairchild Semiconductor TIP100 0.4400
RFQ
 ECAD 759 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2 W TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 60 V 5 a 50µA npn-ダーリントン 2.5V @ 80ma 、8a 1000 @ 3a 、4V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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