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離散半導体製品（6716）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	テスト条件	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	scrタイプ	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
3EZ56D5E3/TR8	-	RFQ	9710	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	3EZ56			3 W		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	1,500																								1.2 V @ 200 mA	500 NA @ 42.6 v														56 v	50オーム
1N5263BDO35	-	RFQ	4428	Microsemi Corporation	-	バッグ	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5263			500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	10,000																								1.5 V @ 200 mA	100 Na @ 43 v														56 v	150オーム
1N5528B （DO35）	-	RFQ	2773	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5528			500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	1																								1.1 V @ 200 mA	500 na @ 7.5 v														8.2 v	40オーム
1N5363C/TR12	-	RFQ	8248	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5363			5 W		T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000																								1.2 V @ 1 a	500 NA @ 21.6 v														30 V	8オーム
MS106E3/TR12	-	RFQ	2557	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	MS106		ショットキー			do-204al（do-41）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	4,000		高速回復= <500ns																					60 V	690 mV @ 1 a	100 µA @ 60 V	-55°C〜175°C	1a	-
10A060	-	RFQ	9392	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		200°C （TJ）	スタッドマウント	55フィート				21W		55フィート	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1						8db〜8.5db																								24V	3a											npn	20 @ 400MA 、5V	1GHz	-
2N6798	-	RFQ	6311	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C （TJ	穴を通して	To-205af Metal Can			モスフェット（金属酸化物）			to-39	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル				200 v	5.5a（tc）	10V	400mohm @ 3.5a 、10V	4V @ 250µA	5.29 NC @ 10 V	±20V		-	800MW
1N5385CE3/TR13	-	RFQ	3576	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5385			5 W		T-18	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	1,250																								1.2 V @ 1 a	500 NA @ 122 v														170 v	380オーム
2EZ3.9D2/TR12	-	RFQ	5458	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	2ez3.9			2 W		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	4,000																								1.2 V @ 200 mA	30 µA @ 1 V														3.9 v	5オーム
1 PMT5918BE3/TR7	-	RFQ	5169	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5918			3 W		DO-216AA	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000																								1.2 V @ 200 mA	5 µA @ 2 V														5.1 v	4オーム
1N5384AE3/TR8	-	RFQ	3444	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5384			5 W		T-18	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	1,000																								1.2 V @ 1 a	500 NA @ 115 V														160 v	350オーム
2EZ24D5/TR8	-	RFQ	7868	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	2EZ24			2 W		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	1,500																								1.2 V @ 200 mA	500 NA @ 18.2 v														24 v	13オーム
aptm10tdum19pg	-	RFQ	9406	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM10		モスフェット（金属酸化物）	208W		SP6-P	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	6 N-Channel（3 フェーズブリッジ）						100V	70a		21mohm @ 35a 、10V	4V @ 1MA	200NC @ 10V		5100pf @ 25V	-
SMBG4753E3/TR13	-	RFQ	2238	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG4753			2 W		SMBG （DO-215AA	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000																								1.2 V @ 200 mA	5 µA @ 27.4 v														36 v	50オーム
2EZ3.6D5E3/TR8	-	RFQ	1480	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	2ez3.6			2 W		do-204al（do-41）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	1,500																								1.2 V @ 200 mA	80 µA @ 1 V														3.6 v	5オーム
aptgt75a170d1g	-	RFQ	4082	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-	シャーシマウント	D1				520 W	標準	D1	-		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ																												トレンチフィールドストップ	1700 v	120 a		2.4V @ 15V 、75a				5 Ma	いいえ			6.5 nf @ 25 v
jantxv2n2323as	-	RFQ	8439	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/276	バルク	廃止		-65°C〜125°C	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶						to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.30.0080	100				2 Ma													50 v	600 mv	-	20 µA	220 Ma	敏感なゲート
75060A	-	RFQ	8447	Microsemi Corporation	*	バルク	廃止											-		1 （無制限）		廃止	0000.00.0000	1
1 PMT4624E3/TR13	-	RFQ	5985	Microsemi Corporation	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA				1 W		DO-216	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	12,000																								1.1 V @ 200 mA	10 µA @ 3 V														4.7 v	1600オーム
1N5337A/TR12	-	RFQ	8573	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5337			5 W		T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000																								1.2 V @ 1 a	5 µA @ 1 V														4.7 v	2オーム
APT75GN60B2DQ3G	-	RFQ	9775	Microsemi Corporation	-	チューブ	廃止		-	穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT75GN60	標準		536 w		-	-		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	30					400V 、75a、1OHM、15V																								-	600 V	155 a	225 a	1.85V @ 15V 、75a	2500µj（on ）、2140µj （オフ）	485 NC	47ns/385ns
2EZ100D2/TR8	-	RFQ	9217	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	2EZ100			2 W		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	1,500																								1.2 V @ 200 mA	500 NA @ 76 v														100 V	175オーム
3EZ47D10E3/TR12	-	RFQ	8422	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	3EZ47			3 W		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	4,000																								1.2 V @ 200 mA	500 NA @ 35.6 v														47 v	38オーム
82092H	-	RFQ	3338	Microsemi Corporation	*	バルク	廃止											-		1 （無制限）		廃止	0000.00.0000	1
1N5236BDO35	-	RFQ	9972	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5236			500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	10,000																								1.5 V @ 200 mA	3 µA @ 6 V														7.5 v	6オーム
APTM08TDUM04PG	-	RFQ	5382	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM08		モスフェット（金属酸化物）	138W		SP6-P	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	6 N-Channel（3 フェーズブリッジ）						75V	120a		4.5mohm @ 60a 、10V	4V @ 1MA	153NC @ 10V		4530pf @ 25V	-
1N5952P/TR12	-	RFQ	2393	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±20％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5952			1.5 w		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	4,000																								1.2 V @ 200 mA	1 µA @ 98.8 v														130 v	450オーム
MDS140L	-	RFQ	6833	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		200°C （TJ）	シャーシマウント	55aw				500W		55aw	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1						9.5dB																								70V	12a											npn	20 @ 1a 、5V	1.03GHz1.09GHz	-
1090mp	-	RFQ	8052	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		200°C （TJ）	シャーシマウント	55FW-1				250W		55FW-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1						8.08db〜8.5db																								65V	6.5a											npn	15 @ 500MA 、5V	1.025GHz1.15GHz	-
APTGF250DA60D3G	-	RFQ	4520	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-	シャーシマウント	D-3モジュール				1250 w	標準	D3	-		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1	シングル																												npt	600 V	400 a		2.45V @ 15V、300A				500 µA	いいえ			13 nf @ 25 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（6716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²