画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TK14A45D | 3.0300 | ![]() | 4530 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | チューブ | アクティブ | - | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK14A45 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 450 v | 14a | 340mohm @ 7a 、10V | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM6N62TU 、LXHF | 0.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | SSM6N62 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | UF6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 20V | 800ma(ta) | 85mohm @ 800ma 、4.5v | 1V @ 1MA | 2NC @ 4.5V | 177pf @ 10V | ロジックレベルゲート、1.2Vドライブ | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TW107N65C、S1F | 9.6200 | ![]() | 96 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | チューブ | アクティブ | 175°C | 穴を通して | TO-247-3 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 20a(tc) | 18V | 145mohm @ 10a、18V | 5V @ 1.2MA | 21 NC @ 18 V | +25V、-10V | 600 pf @ 400 v | - | 76W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SSM3K345R 、LF | 0.4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-3フラットリード | SSM3K345 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 4a(ta) | 1.5V 、4.5V | 33mohm @ 4a 、4.5V | 1V @ 1MA | 3.6 NC @ 4.5 v | ±8V | 410 pf @ 10 v | - | 1W | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SC2873-Y (TE12L ZC | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 500 MW | pw-mini | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 v | 2 a | 100na(icbo) | npn | 500mv @ 50ma、1a | 70 @ 500MA 、2V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPH1R405PL 、L1Q | 1.5800 | ![]() | 9110 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosix-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPH1R405 | モスフェット(金属酸化物) | 8 ソップアドバンス(5x5) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 45 v | 120a(tc) | 4.5V 、10V | 1.4mohm @ 50a、10V | 2.4V @ 500µA | 74 NC @ 10 V | ±20V | 6300 PF @ 22.5 v | - | 960MW | ||||||||||||||||||||||
![]() | TDTC114Y 、LM | 0.1800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | TDTC114 | 320 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 79 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RN4908 | - | ![]() | 6703 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | RN4908 | 200mw | US6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200MHz | 22kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2109 | 0.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | RN2109 | 100 MW | SSM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 70 @ 10ma 、5v | 200 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM3J358R 、LF | 0.4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvii | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-3フラットリード | SSM3J358 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 6a(ta) | 1.8V 、8V | 22.1mohm @ 6a 、8v | 1V @ 1MA | 38.5 NC @ 8 V | ±10V | 1331 PF @ 10 V | - | 1W | |||||||||||||||||||||
![]() | RN2404TE85LF | - | ![]() | 6084 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | RN2404 | 200 MW | s-mini | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RN4901 | - | ![]() | 4562 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | RN4901 | 200mw | US6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500na | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 30 @ 10ma 、5v | 200MHz 、250MHz | 4.7kohms | 4.7kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1020-Y、T6KEHF (M | - | ![]() | 1707 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SA1020 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µa(icbo) | PNP | 500mv @ 50ma、1a | 70 @ 500MA 、2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1680 | - | ![]() | 5165 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SA1680 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µa(icbo) | PNP | 500mv @ 50ma、1a | 120 @ 100MA 、2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2907 | 0.2700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | RN2907 | 200mw | US6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500na | 2 pnp- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200MHz | 10kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5201 | - | ![]() | 3172 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SC5201 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 600 V | 50 Ma | 1µa(icbo) | npn | 1V @ 500MA 、20MA | 100 @ 20ma 、5v | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | rn2965fe | - | ![]() | 7583 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | RN2965 | 100MW | ES6 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 pnp- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200MHz | 2.2kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CLS02 (T6L 、Clar | - | ![]() | 2894 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | l-flat™ | CLS02 | ショットキー | l-flat™(4x5.5) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mV @ 10 a | 1 MA @ 40 V | -40°C〜125°C | 10a | 420pf @ 10V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPH3R203NL 、L1Q | 1.2500 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosviii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPH3R203 | モスフェット(金属酸化物) | 8 ソップアドバンス(5x5) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 30 V | 47a(tc) | 4.5V 、10V | 3.2mohm @ 23.5a 、10V | 2.3V @ 300µA | 21 NC @ 10 V | ±20V | 2100 PF @ 15 V | - | 1.6W | |||||||||||||||||||||
![]() | TPN2R503NC、L1Q | - | ![]() | 1432 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosviii | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPN2R503 | モスフェット(金属酸化物) | 8-TSON ADVANCE (3.1x3.1) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 30 V | 40a(ta) | 4.5V 、10V | 2.5mohm @ 20a 、10V | 2.3V @ 500µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 2230 PF @ 15 V | - | 700MW | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1962-O | - | ![]() | 6598 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | トレイ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 2SA1962 | 130 w | to-3p | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 230 v | 15 a | 5µa(icbo) | PNP | 3V @ 800MA 、8a | 80 @ 1a 、5V | 30MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TK65S04N1L lq | 2.0100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosviii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | TK65S04 | モスフェット(金属酸化物) | DPAK+ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 40 v | 65a(ta) | 10V | 4.3mohm @ 32.5a 、10V | 2.5V @ 300µA | 39 NC @ 10 V | ±20V | 2550 PF @ 10 V | - | 107W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RN2105 | 0.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | RN2105 | 100 MW | SSM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200 MHz | 2.2 KOHMS | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1116 | 0.3300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | RN1116 | 100 MW | SSM | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 50 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4915-Y 、LF | 0.4400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | 2SC4915 | 100MW | SSM | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 17db〜23db | 30V | 20ma | npn | 100 @ 1MA 、6V | 550MHz | 2.3DB〜5DB @ 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1103ACT | - | ![]() | 8929 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | RN1103 | 100 MW | CST3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 v | 80 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 150MV @ 250µA 、5MA | 70 @ 10ma 、5v | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK45P03M1 | - | ![]() | 5821 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi-h | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 表面マウント | to-252-3 | TK45P03 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 30 V | 45a(ta) | 4.5V 、10V | 9.7mohm @ 22.5a 、10V | 2.3V @ 200µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 1500 PF @ 10 V | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | rn4982fe | 0.3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | RN4982 | 100MW | ES6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 500na | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 50 @ 10ma 、5v | 250MHz 、200MHz | 10kohms | 10kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2104 | 0.2800 | ![]() | 727 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | RN2104 | 100 MW | SSM | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TPH7R006PL 、L1Q | 0.8500 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosix-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPH7R006 | モスフェット(金属酸化物) | 8 ソップアドバンス(5x5) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 60 V | 60a(tc) | 4.5V 、10V | 13.5mohm @ 10a 、4.5V | 2.5V @ 200µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 1875 pf @ 30 v | - | 81W |
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