SIC
close

離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f
1SS372(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS372 0.3700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS372 ショットキー USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 10 v 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C （最大） 100mA 20pf @ 0V、1MHz
1SS385,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS385 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 1SS385 ショットキー SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 10 v 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C （最大） 100mA 20pf @ 0V、1MHz
1SS422(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS422 0.4000
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 1SS422 ショットキー SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 30 V 100mA 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大）
HN2D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2D02FU 、LF 0.4000
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN2D02 標準 US6 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 3独立 80 v 80ma 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
HN4D02JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4D02JU （TE85L 0.0721
RFQ
 ECAD 5848 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 HN4D02 標準 USV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
TPCA8109(TE12L1,V Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8109 -
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8109 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - 1 （無制限） 264-TPCA8109（TE12L1VTR ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 24a（ta） 4.5V 、10V 9mohm @ 12a 、10V 2V @ 500µA 56 NC @ 10 V +20V、-25V 2400 PF @ 10 V - 1.6W
TPCC8105,L1Q(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105 -
RFQ
 ECAD 1963年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-vdfn露出パッド TPCC8105 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） - 1 （無制限） 264-TPCC8105L1Q（CMTR ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 23a（ta） 4.5V 、10V 7.8mohm @ 11.5a 、10V 2V @ 500µA 76 NC @ 10 V +20V、-25V 3240 PF @ 10 V - 700MW
TPCC8136.LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8136.LQ -
RFQ
 ECAD 7165 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8136 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） - 1 （無制限） 264-TPCC8136.LQTR ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 9.4a（ta） 1.8V 、4.5V 16mohm @ 9.4a 、4.5V 1.2V @ 1MA 36 NC @ 5 V ±12V 2350 pf @ 10 v - 700MW
TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60F10N1L 、LXGQ 2.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント TO-263-3 TK60F10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM - 3 （168 時間） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 100 V 60a（ta） 6V 、10V 6.11mohm @ 30a 、10V 3.5V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 4320 PF @ 10 V - 205W
XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH6R30ANB 、L1XHQ 1.8400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SOIC （0.197 "、幅5.00mm） XPH6R30 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 45a（ta） 6V 、10V 6.3mohm @ 22.5a 、10V 3.5V @ 500µA 52 NC @ 10 V ±20V 3240 PF @ 10 V - 960MW
TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L 、LXGQ 3.7000
RFQ
 ECAD 4476 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント TO-263-3 TK160F10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM - 3 （168 時間） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 100 V 160a（ta） 6V 、10V 2.4mohm @ 80a 、10V 3.5V @ 1MA 122 NC @ 10 V ±20V 10100 PF @ 10 V - 375W
SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K516NU 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6K516 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 6a（ta） 4.5V 、10V 46mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 100µA 2.5 NC @ 4.5 v +20V、 -12V 280 PF @ 15 V - 1.25W
SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K518NU 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6K518 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 33mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 3.6 NC @ 4.5 v ±8V 410 pf @ 10 v - 1.25W
CUHS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs15s40、H3f 0.4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs15 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 510 mv @ 1.5 a 200 µA @ 40 V 150°C （最大） 1.5a 170pf @ 0V、1MHz
TRS12N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65FB、S1Q 4.9600
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 TRS12N65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247 - 1 （無制限） 264-TRS12N65FBS1Q ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 650 V 6a （DC） 1.6 V @ 6 a 0 ns 30 µA @ 650 v 175°C
TRS16N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65FB、S1Q 6.0900
RFQ
 ECAD 238 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 TRS16N65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247 - 1 （無制限） 264-TRS16N65FBS1Q ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 650 V 8a（dc） 1.6 V @ 8 a 0 ns 40 µA @ 650 v 175°C
TRS20N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS20N65FB、S1Q 6.4400
RFQ
 ECAD 9973 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 TRS20N65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247 - 1 （無制限） 264-TRS20N65FBS1Q ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 650 V 10a （dc） 1.6 V @ 10 a 0 ns 50 µA @ 650 v 175°C
XPH2R106NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH2R106NC 、L1XHQ 2.1700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101、u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SOIC （0.197 "、幅5.00mm） XPH2R106 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 110a（ta） 2.1mohm @ 55a 、10V 2.5V @ 1MA 104 NC @ 10 V ±20V 6900 PF @ 10 V - 960MW
TK110A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A65Z、S4x 4.2300
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK110A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 24a（ta） 10V 110mohm @ 12a 、10V 4V @ 1.02MA 40 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 300 v - 45W
SSM3J372R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J372R 、LXHF 0.4600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 6a（ta） 1.8V 、10V 42mohm @ 5a、10V 1.2V @ 1MA 8.2 NC @ 4.5 v +6V、 -12V 560 PF @ 15 V - 1W
SSM3K341R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341R 、LXHF 0.6000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101、u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 6a（ta） 4V 、10V 36mohm @ 5a 、10V 2.5V @ 100µA 9.3 NC @ 10 V ±20V 550 PF @ 10 V - 1.2W
TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK090U65Z、RQ 5.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERSFN モスフェット（金属酸化物） 通行料金 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 30a（ta） 10V 90mohm @ 15a 、10V 4V @ 1.27MA 47 NC @ 10 V ±30V 2780 PF @ 300 V - 230W
SSM6N7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002KFU 、LXH 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N7002 モスフェット（金属酸化物） 285MW US6 ダウンロード 1 （無制限） 264-SSM6N7002KFULXHCT ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 60V 300ma（ta） 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 40pf @ 10V -
SSM3J140TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU 、LXHF 0.5500
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 4.4a（ta） 1.5V 、4.5V 25.8mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 24.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 1800 pf @ 10 v - 500MW
SSM3J143TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J143TU 、LXHF 0.4600
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.5a（ta） 1.5V 、4.5V 29.8mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 840 PF @ 10 V - 500MW
SSM6N62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU 、LXHF 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N62 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 800ma（ta） 85mohm @ 800ma 、4.5v 1V @ 1MA 2NC @ 4.5V 177pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.2Vドライブ
SSM3K7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KFU 、LXH 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 400ma（ta） 4.5V 、10V 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±20V 40 pf @ 10 v - 150MW
TPH4R50ANH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH1、LQ 1.5400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5.75） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 92a（tc） 10V 4.5mohm @ 46a 、10V 4V @ 1MA 58 NC @ 10 V ±20V 5200 PF @ 50 V - 800MW
TPH1R204PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PL1、LQ 1.6600
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5.75） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 150a 4.5V 、10V 1.24mohm @ 50a 、10V 2.4V @ 500µA 74 NC @ 10 V ±20V 7200 PF @ 20 V - 960MW
TPH1R306PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL1、LQ 2.4200
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5.75） - 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 100a（tc） 4.5V 、10V 1.34mohm @ 50a 、10V 2.5V @ 1MA 91 NC @ 10 V ±20V 8100 PF @ 30 V - 960MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます