SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) 電圧-DC リバース( VR )(最大) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2) ノイズフィギュア(DBタイプ @ f)
TK14A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK14A45D 3.0300
RFQ
ECAD 4530 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ - 穴を通して TO-220-3フルパック TK14A45 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 14a 340mohm @ 7a 、10V - - -
SSM6N62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU 、LXHF 0.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N62 モスフェット(金属酸化物) 500MW UF6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル(デュアル) 20V 800ma(ta) 85mohm @ 800ma 、4.5v 1V @ 1MA 2NC @ 4.5V 177pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.2Vドライブ
TW107N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW107N65C、S1F 9.6200
RFQ
ECAD 96 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet (炭化シリコン) TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 20a(tc) 18V 145mohm @ 10a、18V 5V @ 1.2MA 21 NC @ 18 V +25V、-10V 600 pf @ 400 v - 76W (TC)
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K345R 、LF 0.4300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K345 モスフェット(金属酸化物) SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 4a(ta) 1.5V 、4.5V 33mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 3.6 NC @ 4.5 v ±8V 410 pf @ 10 v - 1W
2SC2873-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2873-Y (TE12L ZC 0.4200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-243AA 500 MW pw-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 1,000 50 v 2 a 100na(icbo) npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 120MHz
TPH1R405PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R405PL 、L1Q 1.5800
RFQ
ECAD 9110 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ&リール( tr) アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1R405 モスフェット(金属酸化物) 8 ソップアドバンス(5x5) ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 45 v 120a(tc) 4.5V 、10V 1.4mohm @ 50a、10V 2.4V @ 500µA 74 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 22.5 v - 960MW
TDTC114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC114Y 、LM 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTC114 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 79 @ 5MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
RN4908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4908 -
RFQ
ECAD 6703 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4908 200mw US6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na(icbo) 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
RN2109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2109 0.2000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2109 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 22 Kohms
SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J358R 、LF 0.4700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J358 モスフェット(金属酸化物) SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a(ta) 1.8V 、8V 22.1mohm @ 6a 、8v 1V @ 1MA 38.5 NC @ 8 V ±10V 1331 PF @ 10 V - 1W
RN2404TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404TE85LF -
RFQ
ECAD 6084 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2404 200 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN4901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4901 -
RFQ
ECAD 4562 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4901 200mw US6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 4.7kohms 4.7kohms
2SA1020-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y、T6KEHF (M -
RFQ
ECAD 1707 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa(icbo) PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SA1680(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680 -
RFQ
ECAD 5165 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SA1680 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa(icbo) PNP 500mv @ 50ma、1a 120 @ 100MA 、2V 100MHz
RN2907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907 0.2700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2907 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
2SC5201,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201 -
RFQ
ECAD 3172 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SC5201 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 1 600 V 50 Ma 1µa(icbo) npn 1V @ 500MA 、20MA 100 @ 20ma 、5v -
RN2965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2965fe -
RFQ
ECAD 7583 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2965 100MW ES6 - 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 pnp- バ​​イアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 2.2kohms 47kohms
CLS02(T6L,CLAR,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 (T6L 、Clar -
RFQ
ECAD 2894 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS02 ショットキー l-flat™(4x5.5) ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 10 a 1 MA @ 40 V -40°C〜125°C 10a 420pf @ 10V、1MHz
TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R203NL 、L1Q 1.2500
RFQ
ECAD 18 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 8-POWERVDFN TPH3R203 モスフェット(金属酸化物) 8 ソップアドバンス(5x5) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 47a(tc) 4.5V 、10V 3.2mohm @ 23.5a 、10V 2.3V @ 300µA 21 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 15 V - 1.6W
TPN2R503NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R503NC、L1Q -
RFQ
ECAD 1432 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント 8-POWERVDFN TPN2R503 モスフェット(金属酸化物) 8-TSON ADVANCE (3.1x3.1) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 40a(ta) 4.5V 、10V 2.5mohm @ 20a 、10V 2.3V @ 500µA 40 NC @ 10 V ±20V 2230 PF @ 15 V - 700MW
2SA1962-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1962-O -
RFQ
ECAD 6598 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SA1962 130 w to-3p ダウンロード ROHS準拠 適用できない ear99 8541.29.0075 50 230 v 15 a 5µa(icbo) PNP 3V @ 800MA 、8a 80 @ 1a 、5V 30MHz
TK65S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK65S04N1L lq 2.0100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ&リール( tr) アクティブ 175°C (TJ) 表面マウント to-252-3 TK65S04 モスフェット(金属酸化物) DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 65a(ta) 10V 4.3mohm @ 32.5a 、10V 2.5V @ 300µA 39 NC @ 10 V ±20V 2550 PF @ 10 V - 107W (TC)
RN2105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105 0.2000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2105 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
RN1116,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1116 0.3300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1116 100 MW SSM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
2SC4915-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4915-Y 、LF 0.4400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント SC-75、SOT-416 2SC4915 100MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 17db〜23db 30V 20ma npn 100 @ 1MA 、6V 550MHz 2.3DB〜5DB @ 100MHz
RN1103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103ACT -
RFQ
ECAD 8929 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1103 100 MW CST3 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 22 Kohms 22 Kohms
TK45P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK45P03M1 -
RFQ
ECAD 5821 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ&リール( tr) 廃止 - 表面マウント to-252-3 TK45P03 モスフェット(金属酸化物) dpak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 30 V 45a(ta) 4.5V 、10V 9.7mohm @ 22.5a 、10V 2.3V @ 200µA 25 NC @ 10 V ±20V 1500 PF @ 10 V - -
RN4982FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4982fe 0.3800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4982 100MW ES6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 10kohms 10kohms
RN2104(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104 0.2800
RFQ
ECAD 727 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2104 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R006PL 、L1Q 0.8500
RFQ
ECAD 22 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ&リール( tr) アクティブ 175°C (TJ) 表面マウント 8-POWERVDFN TPH7R006 モスフェット(金属酸化物) 8 ソップアドバンス(5x5) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 60a(tc) 4.5V 、10V 13.5mohm @ 10a 、4.5V 2.5V @ 200µA 22 NC @ 10 V ±20V 1875 pf @ 30 v - 81W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫