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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
ULN2803AFWG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage ULN2803AFWG -
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 18-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） ULN2803 1.31W 18ソップ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1,000 50V 500mA - 8 npnダーリントン 1.6V @ 500µA、350MA 1000 @ 350MA 、2V -
SSM6L36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36TU 、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L36 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 20V 500MA 630MOHM @ 200MA 、5V 1V @ 1MA 1.23NC @ 4V、1.2NC @ 4V 46pf @ 10V 、43pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ
TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1600ANH -L1Q 0.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN1600 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 17a（tc） 10V 16mohm @ 8.5a 、10V 4V @ 200µA 19 NC @ 10 V ±20V 1600 PF @ 50 V - 700MW
2SA949-Y(T6JVC1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y（T6JVC1 、FM -
RFQ
 ECAD 6789 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA949 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） PNP 800mv @ 1ma 、10a 70 @ 10ma 、5v 120MHz
TK16J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W5、S1VQ 5.2000
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK16J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 15.8a 10V 230mohm @ 7.9a 、10V 4.5V @ 790µA 43 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 130W
2SC2235-Y(MBSH1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y（mbsh1、fm -
RFQ
 ECAD 5908 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2961fe -
RFQ
 ECAD 9441 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2961 100MW ES6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
TK1K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K2A60F、S4x 1.0400
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK1K2A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 6a（ta） 10V 1.2OHM @ 3A 、10V 4V @ 630µA 21 NC @ 10 V ±30V 740 PF @ 300 V - 35W （TC）
2SK2962,T6WNLF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 -
RFQ
 ECAD 5951 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2962 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 1a（tj）
RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV 、L3F 0.1700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1104 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 47 Kohms 47 Kohms
TRS8E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65F 、S1Q 3.7200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 TRS8E65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.6 V @ 8 a 0 ns 40 µA @ 650 v 175°C （最大） 8a 28pf @ 650V、1MHz
SSM3J353F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J353F 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 SSM3J353 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 2a（ta） 4V 、10V 150mohm @ 2a 、10V 2.2V @ 250µA 3.4 NC @ 4.5 v +20V、-25V 159 PF @ 15 V - 600MW
SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H12TU -
RFQ
 ECAD 5864 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-smd（5 リード）、フラットリード SSM5H12 モスフェット（金属酸化物） UFV ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 1.9a（ta） 1.8V 、4V 133mohm @ 1a 、4V 1V @ 1MA 1.9 NC @ 4 V ±12V 123 PF @ 15 V ショットキーダイオード（分離） 500MW
TK16A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A45D -
RFQ
 ECAD 9568 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ - 穴を通して TO-220-3フルパック TK16A45 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 16a 270mohm @ 8a、10V - - -
RN1909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1909 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 22kohms
RN1970(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1970 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 4.7kohms -
2SA1587-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1587-BL 、LF 0.2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SA1587 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 1MA 、10ma 350 @ 2MA 、6V 100MHz
TK9A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A45D 1.7100
RFQ
 ECAD 8473 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK9A45 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 9a（ta） 10V 770mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 800 PF @ 25 V - 40W （TC）
RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn1110 -
RFQ
 ECAD 5975 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1110 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
TK14A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK14A45D 3.0300
RFQ
 ECAD 4530 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ - 穴を通して TO-220-3フルパック TK14A45 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 14a 340mohm @ 7a 、10V - - -
TPW2R508NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW2R508NH 、L1Q 2.8100
RFQ
 ECAD 1661 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 75 v 150a（ta） 10V 2.5mohm @ 50a 、10V 4V @ 1MA 72 NC @ 10 V ±20V 6000 pf @ 37.5 v - 800MW
SSM6N62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU 、LXHF 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N62 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 800ma（ta） 85mohm @ 800ma 、4.5v 1V @ 1MA 2NC @ 4.5V 177pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.2Vドライブ
TW107N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW107N65C、S1F 9.6200
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 20a（tc） 18V 145mohm @ 10a、18V 5V @ 1.2MA 21 NC @ 18 V +25V、-10V 600 pf @ 400 v - 76W （TC）
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K345R 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K345 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4.5V 33mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 3.6 NC @ 4.5 v ±8V 410 pf @ 10 v - 1W
2SC2873-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2873-Y （TE12L ZC 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 500 MW pw-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1,000 50 v 2 a 100na（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 120MHz
TPH1R405PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R405PL 、L1Q 1.5800
RFQ
 ECAD 9110 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1R405 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 45 v 120a（tc） 4.5V 、10V 1.4mohm @ 50a、10V 2.4V @ 500µA 74 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 22.5 v - 960MW
TDTC114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC114Y 、LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTC114 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 79 @ 5MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
2SA1020-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y 、T6F （J -
RFQ
 ECAD 9446 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN4908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4908 -
RFQ
 ECAD 6703 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4908 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
RN2109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2109 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2109 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 22 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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