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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
1SS422(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS422 0.4000
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 1SS422 ショットキー SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 30 V 100mA 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大）
HN2D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2D02FU 、LF 0.4000
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN2D02 標準 US6 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 3独立 80 v 80ma 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
HN4D02JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4D02JU （TE85L 0.0721
RFQ
 ECAD 5848 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 HN4D02 標準 USV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
DSF01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC、L3F -
RFQ
 ECAD 4466 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 0201 （0603 メトリック） DSF01S30 ショットキー SC2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） DSF01S30SCL3F ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 100mA 9.3pf @ 0V、1MHz
TPCA8109(TE12L1,V Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8109 -
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8109 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - 1 （無制限） 264-TPCA8109（TE12L1VTR ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 24a（ta） 4.5V 、10V 9mohm @ 12a 、10V 2V @ 500µA 56 NC @ 10 V +20V、-25V 2400 PF @ 10 V - 1.6W
TPCC8105,L1Q(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105 -
RFQ
 ECAD 1963年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-vdfn露出パッド TPCC8105 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） - 1 （無制限） 264-TPCC8105L1Q（CMTR ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 23a（ta） 4.5V 、10V 7.8mohm @ 11.5a 、10V 2V @ 500µA 76 NC @ 10 V +20V、-25V 3240 PF @ 10 V - 700MW
TPCC8136.LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8136.LQ -
RFQ
 ECAD 7165 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8136 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） - 1 （無制限） 264-TPCC8136.LQTR ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 9.4a（ta） 1.8V 、4.5V 16mohm @ 9.4a 、4.5V 1.2V @ 1MA 36 NC @ 5 V ±12V 2350 pf @ 10 v - 700MW
TJ60S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L 、LXHQ 1.4100
RFQ
 ECAD 3162 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ60S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 60a（ta） 6V 、10V 6.3mohm @ 30a 、10V 3V @ 1MA 125 NC @ 10 V +10V、-20V 6510 PF @ 10 V - 90W
TJ40S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ40S04M3L 、LXHQ 1.0800
RFQ
 ECAD 9632 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ40S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 40a（ta） 6V 、10V 9.1mohm @ 20a 、10v 3V @ 1MA 83 NC @ 10 V +10V、-20V 4140 PF @ 10 V - 68W （TC）
XPW6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPW6R30ANB 、L1XHQ 1.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPW6R30 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 45a（ta） 6V 、10V 6.3mohm @ 22.5a 、10V 3.5V @ 500µA 52 NC @ 10 V ±20V 3240 PF @ 10 V - 960MW
TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L 、LXHQ 1.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ60S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 60a（ta） 6V 、10V 11.2mohm @ 30a 、10v 3V @ 1MA 156 NC @ 10 V +10V、-20V 7760 PF @ 10 V - 100W （TC）
TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK090U65Z、RQ 5.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERSFN モスフェット（金属酸化物） 通行料金 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 30a（ta） 10V 90mohm @ 15a 、10V 4V @ 1.27MA 47 NC @ 10 V ±30V 2780 PF @ 300 V - 230W
TK055U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK055U60Z1、RQ 5.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERSFN モスフェット（金属酸化物） 通行料金 - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 40a（ta） 10V 55mohm @ 15a 、10V 4V @ 1.69ma 65 NC @ 10 V ±30V 3680 PF @ 300 v - 270W
SSM3K56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56MFV 、L3F 0.4500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3K56 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 nチャネル 20 v 800ma（ta） 1.5V 、4.5V 235mohm @ 800ma 、4.5V 1V @ 1MA 1 NC @ 4.5 v ±8V 55 PF @ 10 V - 150MW
CRS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30A 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS10I30 ショットキー s-flat（1.6x3.5） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 390 mV @ 700 Ma 60 µA @ 30 V 150°C 1a 50pf @ 10V、1MHz
TPN3300ANH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN3300ANH 、LQ 0.9000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN3300 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 100 V 9.4a（tc） 10V 33mohm @ 4.7a 、10V 4V @ 100µA 11 NC @ 10 V ±20V 880 PF @ 50 V - 700MW
CLH02(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh02 （TE16L -
RFQ
 ECAD 5715 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH02 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 300 V 1.3 V @ 3 a 35 ns 10 µA @ 300 V -40°C〜150°C 3a -
RN1112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1112ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 9061 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1112 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 300 @ 1MA 、5V 22 Kohms
XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPJR6604PB 、LXHQ 2.7700
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 5-POWERSFN モスフェット（金属酸化物） S-TOGL™ - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 40 v 200a（ta） 6V 、10V 0.66mohm @ 100a 、10V 3V @ 1MA 128 NC @ 10 V ±20V 11380 PF @ 10 V - 375W
TPH9R00CQ5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQ5、LQ 2.5500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - ROHS3準拠 1 （無制限） 5,000 nチャネル 150 v 108a 8V 、10V 9mohm @ 32a 、10V 4.5V @ 1MA 44 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 75 v - 3W （TA）、210W（TC）
TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK42A12N1、S4x 1.4900
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK42A12 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 120 v 42a 10V 9.4mohm @ 21a 、10V 4V @ 1MA 52 NC @ 10 V ±20V 3100 PF @ 60 V - 35W （TC）
TK14N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W、S1F 3.3800
RFQ
 ECAD 8957 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK14N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 13.7a 10V 250mohm @ 6.9a 、10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 130W
RN2911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2911 -
RFQ
 ECAD 5354 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2911 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
RN1907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1907fe 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1907 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 47kohms
JDV2S09FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S09FSTPL3 0.0766
RFQ
 ECAD 7473 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 150°C （TJ） 表面マウント 2-SMD 、フラットリード JDV2S09 FSC - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 11.1pf @ 1V、1MHz シングル 10 v 2.1 C1/C4 -
RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2102mfv 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2102 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
RN2971(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2971 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2971 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
TK34A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK34A10N1、S4x 1.5500
RFQ
 ECAD 9909 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK34A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 34a（tc） 10V 9.5mohm @ 17a 、10V 4V @ 500µA 38 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 50 V - 35W （TC）
RN2964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2964fe -
RFQ
 ECAD 1932年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2964 100MW ES6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
RN2109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2109ACT （TPL3） 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2109 100 MW CST3 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 47 Kohms 22 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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