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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
TPCP8005-H(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8005-H （TE85L f -
RFQ
 ECAD 2162 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8005 モスフェット（金属酸化物） PS-8（2.9x2.4） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 11a（ta） 4.5V 、10V 12.9mohm @ 5.5a 、10V 2.5V @ 1MA 20 NC @ 10 V ±20V 2150 PF @ 10 V - 840MW
CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz13（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 3970 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ13 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 9 V 13 v 30オーム
2SD1223(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1223 0.9000
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SD1223 1 W pw-mold ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 80 v 4 a 20µa（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 6MA、3a 1000 @ 3a 、2V -
RN2307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307 -
RFQ
 ECAD 3221 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2307 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 47 Kohms
RN4901,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901 0.4400
RFQ
 ECAD 6357 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4901 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 4.7kohms 4.7kohms
TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110FNH 、L1Q 1.8400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1110 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 250 v 10a（ta） 10V 112mohm @ 5a 、10V 4V @ 300µA 11 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 100 V - 1.6W
CRG02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crg02（TE85L -
RFQ
 ECAD 1132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-123F CRG02 標準 s-flat（1.6x3.5） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 700 Ma 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 700MA -
2SC2655-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y（t6cn、a f -
RFQ
 ECAD 8602 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
SSM6J409TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J409TU -
RFQ
 ECAD 3544 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J409 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 9.5a（ta） 1.5V 、4.5V 22.1mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 15 NC @ 4.5 v ±8V 1100 PF @ 10 V - 1W
TK40E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E06N1、S1X 1.0400
RFQ
 ECAD 9091 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK40E06 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 40a（ta） 10V 10.4mohm @ 20a 、10v 4V @ 300µA 23 NC @ 10 V ±20V 1700 pf @ 30 v - 67W
TTA004B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTA004B、Q 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 TTA004 10 W 〜126n ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 250 160 v 1.5 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 50MA 、500MA 140 @ 100MA 、5V 100MHz
2SC5930(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5930 -
RFQ
 ECAD 5521 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC5930 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 600 V 1 a 100µa（icbo） npn 1V @ 75MA 、600mA 40 @ 200ma 、5v -
2SC4793,HFEF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 -
RFQ
 ECAD 2472 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC4793 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） npn 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 100MHz
RN4904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4904fe、lf（ ct 0.2600
RFQ
 ECAD 1676 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4904 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 47kohms 47kohms
MT3S20TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20TU （TE85L） -
RFQ
 ECAD 2541 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード MT3S20 900MW UFM - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 12db 12V 80ma npn 100 @ 50ma 、5v 7GHz 1.45db @ 20ma 、5v
BAS516,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS516 、H3F 0.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 BAS516 標準 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 高速回復= <500ns 100 V 1.25 V @ 150 MA 3 ns 200 Na @ 80 V 150°C （最大） 250ma 0.35pf @ 0V、1MHz
TK5Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK5Q65W、S1Q 1.2700
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TK5Q65 モスフェット（金属酸化物） i-pak - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 650 V 5.2a（ta） 10V 1.22OHM @ 2.6A 、10V 3.5V @ 170µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 60W （TC）
1SS372(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS372 0.3700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS372 ショットキー USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 10 v 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C （最大） 100mA 20pf @ 0V、1MHz
SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N58NU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 139 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6N58 モスフェット（金属酸化物） 1W 6-udfn （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 4a 84mohm @ 2a 、4.5v 1V @ 1MA 1.8NC @ 4.5V 129pf @ 15V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
RN1409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1409 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
HN4D02JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4D02JU （TE85L 0.0721
RFQ
 ECAD 5848 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 HN4D02 標準 USV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
DSF07S30U(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage DSF07S30U -
RFQ
 ECAD 5138 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 DSF07 ショットキー USC ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 700 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 700MA 170pf @ 0V、1MHz
TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1600ANH -L1Q 0.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN1600 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 17a（tc） 10V 16mohm @ 8.5a 、10V 4V @ 200µA 19 NC @ 10 V ±20V 1600 PF @ 50 V - 700MW
2SC2705-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-O -
RFQ
 ECAD 6177 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆ボックス（ TB） 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2705 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 1MA 、10ma 80 @ 10ma 、5v 200MHz
SSM3K16FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FS 、LF 0.2300
RFQ
 ECAD 6974 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-75、SOT-416 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 1.5V 、4V 3OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA ±10V 9.3 PF @ 3 V - 100MW
2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-O 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 70 @ 2MA 、6V 80MHz
2SK2989,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 -
RFQ
 ECAD 9148 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2989 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 5a（tj）
CUS521,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS521 、H3F 0.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS521 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 200 mA 30 µA @ 30 V 125°C （最大） 200mA 26PF @ 0V、1MHz
2SC5066-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5066-O 、LF -
RFQ
 ECAD 9564 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 2SC5066 100MW SSM - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 30ma npn 80 @ 10ma 、5v 7GHz 1DB @ 500MHz
CRY75(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cry75 -
RFQ
 ECAD 7359 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F cry75 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 4.5 v 7.5 v 30オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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