画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TK39N60X s1f | 7.2100 | ![]() | 2761 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | dtmosiv-h | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | TK39N60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 600 V | 38.8a | 10V | 65mohm @ 12.5a 、10V | 3.5V @ 1.9ma | 85 NC @ 10 V | ±30V | 4100 pf @ 300 v | - | 270W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK25N60X s1f | 4.6600 | ![]() | 4357 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | dtmosiv-h | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | TK25N60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 600 V | 25a(ta) | 10V | 125mohm @ 7.5a 、10V | 3.5V @ 1.2MA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 2400 pf @ 300 v | - | 180W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPCC8136.LQ | - | ![]() | 7165 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPCC8136 | モスフェット(金属酸化物) | 8-TSON ADVANCE (3.1x3.1) | - | 1 (無制限) | 264-TPCC8136.LQTR | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 9.4a(ta) | 1.8V 、4.5V | 16mohm @ 9.4a 、4.5V | 1.2V @ 1MA | 36 NC @ 5 V | ±12V | 2350 pf @ 10 v | - | 700MW | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPH8R903NL 、LQ | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosviii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPH8R903 | モスフェット(金属酸化物) | 8 ソップアドバンス(5x5) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 20a(tc) | 10V | 8.9mohm @ 10a 、10V | 2.3V @ 1MA | 9.8 NC @ 10 V | ±20V | 820 PF @ 15 V | - | 1.6W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK20A25D、S5Q(M | - | ![]() | 8354 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | πmosvii | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK20A25 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 250 v | 20a(ta) | 10V | 100mohm @ 10a 、10V | 3.5V @ 1MA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 2550 PF @ 100 V | - | 45W | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPH1500CNH 、L1Q | 1.9800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosviii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPH1500 | モスフェット(金属酸化物) | 8 ソップアドバンス(5x5) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 150 v | 38a(tc) | 10V | 15.4mohm @ 19a 、10v | 4V @ 1MA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 2200 pf @ 75 v | - | 1.6W | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN4984 | 0.4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | RN4984 | 200mw | US6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500na | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250MHz 、200MHz | 47kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
CMS30I30A | 0.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-128 | CMS30 | ショットキー | m-flat(2.4x3.8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 490 mV @ 3 a | 100 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 3a | 82pf @ 10V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1111 | 0.3300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | RN1111 | 100 MW | SSM | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 100na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 120 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPCA8A01-H (TE12L、Q | - | ![]() | 3926 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPCA8A01 | モスフェット(金属酸化物) | 8 ソップアドバンス(5x5) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 36a(ta) | 4.5V 、10V | 5.6mohm @ 18a 、10V | 2.3V @ 1MA | 35 NC @ 10 V | ±20V | 1970 pf @ 10 v | - | 1.6W | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM6P35AFE 、LF | 0.4200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvii | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | SSM6p35 | モスフェット(金属酸化物) | 150MW | ES6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 250ma(ta) | 1.4OHM @ 150MA 、4.5V | 1V @ 100µA | - | 42pf @ 10V | ロジックレベルゲート、1.2Vドライブ | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS385 | 0.3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | 1SS385 | ショットキー | SSM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 10 v | 500 mV @ 100 Ma | 20 µA @ 10 V | 125°C (最大) | 100mA | 20pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPC8228-H 、LQ | - | ![]() | 6012 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | TPC8228 | モスフェット(金属酸化物) | 1.5W | 8ソップ | ダウンロード | 264-TPC8228-HLQTR | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 60V | 3.8a | 57mohm @ 1.9a 、10V | 2.3V @ 100µA | 11NC @ 10V | 640pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
crz12 | 0.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SOD-123F | CRZ12 | 700 MW | s-flat(1.6x3.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 mA | 10 µA @ 8 V | 12 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2301 、LXHF | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | RN2301 | 100 MW | SC-70 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 30 @ 10ma 、5v | 200 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM6J507NU 、LF | 0.4600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-wdfn露出パッド | SSM6J507 | モスフェット(金属酸化物) | 6-udfnb (2x2) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 10a(ta) | 4V 、10V | 20mohm @ 4a 、10V | 2.2V @ 250µA | 20.4 NC @ 4.5 v | +20V、-25V | 1150 PF @ 15 V | - | 1.25W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2504 (TE85L | 0.4800 | ![]() | 247 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-74A 、SOT-753 | RN2504 | 300MW | SMV | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 pnp- バイアス(デュアル)(エミッタ結合) | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200MHz | 47kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bav70、lm | 0.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | bav70 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 215ma | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 200 Na @ 80 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM3K309T (TE85L | - | ![]() | 1396 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | SSM3K309 | モスフェット(金属酸化物) | TSM | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 4.7a(ta) | 1.8V 、4V | 31mohm @ 4a 、4V | - | ±12V | 1020 PF @ 10 V | - | 700MW | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK72A12N1、S4x | 3.0100 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosviii-h | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK72A12 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 120 v | 72a(tc) | 10V | 4.5mohm @ 36a 、10V | 4V @ 1MA | 130 NC @ 10 V | ±20V | 8100 pf @ 60 v | - | 45W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK20A60U | - | ![]() | 5107 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | dtmosii | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK20A60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 20a(ta) | 10V | 190mohm @ 10a 、10V | 5V @ 1MA | 27 NC @ 10 V | ±30V | 1470 PF @ 10 V | - | 45W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | rn2102mfv | 0.3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | RN2102 | 150 MW | vesm | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300mv @ 500µa 、5ma | 50 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | rn1903fe | 0.3800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | RN1903 | 100MW | ES6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 500na | 2 npn- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 70 @ 10ma 、5v | 250MHz | 22kohms | 22kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1909 | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | RN1909 | 200mw | US6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500na | 2 npn- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 70 @ 10ma 、5v | 250MHz | 47kohms | 22kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tbav70 、lm | 0.2100 | ![]() | 280 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-23-3フラットリード | TBAV70 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 80 v | 215ma | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5096-r 、LF | - | ![]() | 8066 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 125°C (TJ) | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | 2SC5096 | 100MW | SSM | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 1.4db | 10V | 15ma | npn | 50 @ 7MA 、6V | 10GHz | 1.4db @ 1GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5087R (TE85L | 0.1270 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | SC-61AA | 2SC5087 | 150MW | SMQ | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | - | 12V | 80ma | npn | 120 @ 20MA 、10V | 8GHz | 1.1DB〜2DB @ 1GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK15A50D | 3.2300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | πmosvii | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK15A50 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 500 V | 15a(ta) | 10V | 300mohm @ 7.5a 、10V | 4V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 2300 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM3J66MFV 、L3XHF | 0.3900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | SOT-723 | モスフェット(金属酸化物) | vesm | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | pチャネル | 20 v | 800ma(ta) | 1.2V 、4.5V | 390mohm @ 800ma 、4.5V | 1V @ 1MA | 1.6 NC @ 4.5 v | +6V、 -8V | 100 pf @ 10 v | - | 150MW | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM3J133TU 、LF | 0.4600 | ![]() | 71 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、フラットリード | SSM3J133 | モスフェット(金属酸化物) | UFM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 5.5a(ta) | 1.5V 、4.5V | 29.8mohm @ 3a 、4.5V | 1V @ 1MA | 12.8 NC @ 4.5 v | ±8V | 840 PF @ 10 V | - | 500MW |
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