SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2) ノイズフィギュア(DBタイプ @ f)
TK39N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60X s1f 7.2100
RFQ
ECAD 2761 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-247-3 TK39N60 モスフェット(金属酸化物) TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 38.8a 10V 65mohm @ 12.5a 、10V 3.5V @ 1.9ma 85 NC @ 10 V ±30V 4100 pf @ 300 v - 270W
TK25N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X s1f 4.6600
RFQ
ECAD 4357 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-247-3 TK25N60 モスフェット(金属酸化物) TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 25a(ta) 10V 125mohm @ 7.5a 、10V 3.5V @ 1.2MA 40 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 180W
TPCC8136.LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8136.LQ -
RFQ
ECAD 7165 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8136 モスフェット(金属酸化物) 8-TSON ADVANCE (3.1x3.1) - 1 (無制限) 264-TPCC8136.LQTR ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 9.4a(ta) 1.8V 、4.5V 16mohm @ 9.4a 、4.5V 1.2V @ 1MA 36 NC @ 5 V ±12V 2350 pf @ 10 v - 700MW
TPH8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R903NL 、LQ 0.8500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 8-POWERVDFN TPH8R903 モスフェット(金属酸化物) 8 ソップアドバンス(5x5) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 20a(tc) 10V 8.9mohm @ 10a 、10V 2.3V @ 1MA 9.8 NC @ 10 V ±20V 820 PF @ 15 V - 1.6W
TK20A25D,S5Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TK20A25D、S5Q(M -
RFQ
ECAD 8354 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK20A25 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 250 v 20a(ta) 10V 100mohm @ 10a 、10V 3.5V @ 1MA 55 NC @ 10 V ±20V 2550 PF @ 100 V - 45W
TPH1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1500CNH 、L1Q 1.9800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1500 モスフェット(金属酸化物) 8 ソップアドバンス(5x5) ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 150 v 38a(tc) 10V 15.4mohm @ 19a 、10v 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±20V 2200 pf @ 75 v - 1.6W
RN4984,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984 0.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4984 200mw US6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 47kohms 47kohms
CMS30I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I30A 0.5900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS30 ショットキー m-flat(2.4x3.8) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 490 mV @ 3 a 100 µA @ 30 V 150°C (最大) 3a 82pf @ 10V、1MHz
RN1111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1111 0.3300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1111 100 MW SSM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na(icbo) npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
TPCA8A01-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A01-H (TE12L、Q -
RFQ
ECAD 3926 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8A01 モスフェット(金属酸化物) 8 ソップアドバンス(5x5) ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 36a(ta) 4.5V 、10V 5.6mohm @ 18a 、10V 2.3V @ 1MA 35 NC @ 10 V ±20V 1970 pf @ 10 v - 1.6W
SSM6P35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35AFE 、LF 0.4200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6p35 モスフェット(金属酸化物) 150MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 2 P-Channel (デュアル) 20V 250ma(ta) 1.4OHM @ 150MA 、4.5V 1V @ 100µA - 42pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.2Vドライブ
1SS385,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS385 0.3500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 1SS385 ショットキー SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 10 v 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C (最大) 100mA 20pf @ 0V、1MHz
TPC8228-H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPC8228-H 、LQ -
RFQ
ECAD 6012 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) TPC8228 モスフェット(金属酸化物) 1.5W 8ソップ ダウンロード 264-TPC8228-HLQTR ear99 8541.29.0095 2,500 2 nチャンネル(デュアル) 60V 3.8a 57mohm @ 1.9a 、10V 2.3V @ 100µA 11NC @ 10V 640pf @ 10V -
CRZ12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz12 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ ±10% -40°C〜150°C (TJ 表面マウント SOD-123F CRZ12 700 MW s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 8 V 12 v 30オーム
RN2301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301 、LXHF 0.3900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2301 100 MW SC-70 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J507NU 、LF 0.4600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6J507 モスフェット(金属酸化物) 6-udfnb (2x2) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 10a(ta) 4V 、10V 20mohm @ 4a 、10V 2.2V @ 250µA 20.4 NC @ 4.5 v +20V、-25V 1150 PF @ 15 V - 1.25W
RN2504(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2504 (TE85L 0.4800
RFQ
ECAD 247 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN2504 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 pnp- バ​​イアス(デュアル)(エミッタ結合) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
BAV70,LM Toshiba Semiconductor and Storage bav70、lm 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 bav70 標準 SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 215ma 1.25 V @ 150 MA 4 ns 200 Na @ 80 V 150°C (最大)
SSM3K309T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K309T (TE85L -
RFQ
ECAD 1396 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 SSM3K309 モスフェット(金属酸化物) TSM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 4.7a(ta) 1.8V 、4V 31mohm @ 4a 、4V - ±12V 1020 PF @ 10 V - 700MW
TK72A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK72A12N1、S4x 3.0100
RFQ
ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK72A12 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 120 v 72a(tc) 10V 4.5mohm @ 36a 、10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 V ±20V 8100 pf @ 60 v - 45W
TK20A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60U -
RFQ
ECAD 5107 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosii バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK20A60 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 20a(ta) 10V 190mohm @ 10a 、10V 5V @ 1MA 27 NC @ 10 V ±30V 1470 PF @ 10 V - 45W
RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2102mfv 0.3400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2102 150 MW vesm ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
RN1903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1903fe 0.3800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1903 100MW ES6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 22kohms
RN1909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909 0.2700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1909 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 22kohms
TBAV70,LM Toshiba Semiconductor and Storage tbav70 、lm 0.2100
RFQ
ECAD 280 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-23-3フラットリード TBAV70 標準 SOT-23-3 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0070 3,000 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 80 v 215ma -
2SC5096-R,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5096-r 、LF -
RFQ
ECAD 8066 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 125°C (TJ) 表面マウント SC-75、SOT-416 2SC5096 100MW SSM - 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 1.4db 10V 15ma npn 50 @ 7MA 、6V 10GHz 1.4db @ 1GHz
2SC5087R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5087R (TE85L 0.1270
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント SC-61AA 2SC5087 150MW SMQ - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80ma npn 120 @ 20MA 、10V 8GHz 1.1DB〜2DB @ 1GHz
TK15A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK15A50D 3.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK15A50 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 15a(ta) 10V 300mohm @ 7.5a 、10V 4V @ 1MA 40 NC @ 10 V ±30V 2300 PF @ 25 V - 50W (TC)
SSM3J66MFV,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J66MFV 、L3XHF 0.3900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント SOT-723 モスフェット(金属酸化物) vesm ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 8,000 pチャネル 20 v 800ma(ta) 1.2V 、4.5V 390mohm @ 800ma 、4.5V 1V @ 1MA 1.6 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 100 pf @ 10 v - 150MW
SSM3J133TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J133TU 、LF 0.4600
RFQ
ECAD 71 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J133 モスフェット(金属酸化物) UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.5a(ta) 1.5V 、4.5V 29.8mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v ±8V 840 PF @ 10 V - 500MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫