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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TK1P90A,LQ(CO Toshiba Semiconductor and Storage TK1P90A -
RFQ
 ECAD 9799 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 TK1P90 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TK1P90ALQ co ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 900 V 1a（ta） 10V 9OHM @ 500MA 、10V 4V @ 1MA 13 NC @ 10 V ±30V 320 PF @ 25 V - 20W （TC）
CRS20I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage crs20i30b 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS20I30 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mv @ 2 a 100 µA @ 30 V 150°C （最大） 2a 82pf @ 10V、1MHz
RN2423(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2423 0.4100
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2423 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 800 Ma 500na pnp-前バイアス 250mv @ 1ma 、50ma 70 @ 100MA、1V 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TPCA8A02-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A02-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8A02 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 34a（ta） 4.5V 、10V 5.3mohm @ 17a 、10V 2.3V @ 1MA 36 NC @ 10 V ±20V 3430 PF @ 10 V - 1.6W
RN1118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn1118 -
RFQ
 ECAD 3198 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1118 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 10 Kohms
SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K516NU 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6K516 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 6a（ta） 4.5V 、10V 46mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 100µA 2.5 NC @ 4.5 v +20V、 -12V 280 PF @ 15 V - 1.25W
SSM3K37CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37CT 、L3F 0.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K37 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 200ma（ta） 1.5V 、4.5V 2.2OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA ±10V 12 pf @ 10 v - 100MW
TK17A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A65W5、S5x 3.1400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK17A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 17.3a（ta） 10V 230mohm @ 8.7a 、10V 4.5V @ 900µA 50 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 300 v - 45W
RN1418(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1418 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1418 200 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 10 Kohms
CLH02(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh02 （TE16L -
RFQ
 ECAD 5715 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH02 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 300 V 1.3 V @ 3 a 35 ns 10 µA @ 300 V -40°C〜150°C 3a -
2SA2154CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-Y -
RFQ
 ECAD 5156 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 2SA2154 100 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K341NU lf 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6K341 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 6a（ta） 4V 、10V 36mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 100µA 9.3 NC @ 10 V ±20V 550 PF @ 10 V - 2.5W
TPC8A06-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A06-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 8606 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 - 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8A06 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） TPC8A06HTE12LQM ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 12a（ta） 4.5V 、10V 10.1mohm @ 6a 、10V 2.3V @ 1MA 19 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 10 v ショットキーダイオード（ボディ） -
TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8004PL 、L1Q 2.9700
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERWDFN TPWR8004 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 150a 4.5V 、10V 0.8mohm @ 50a 、10V 2.4V @ 1MA 103 NC @ 10 V ±20V 9600 PF @ 20 V - 1W （TA）、170W（TC）
2SC3225,T6ALPSF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3225、T6ALPSF（M -
RFQ
 ECAD 8797 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC3225 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 40 v 2 a 10µa（icbo） npn 500MV @ 1MA 、300MA 500 @ 400MA、1V 220MHz
RN4907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4907 -
RFQ
 ECAD 8660 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4907 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE 0.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1903 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 22kohms
CMS08(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS08 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS08 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 370 mV @ 3 a 1.5 mA @ 30 v -40°C〜125°C 1a 70pf @ 10V、1MHz
2SD2206(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206 -
RFQ
 ECAD 7464 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SD2206 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 100 V 2 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 100MHz
TPN30008NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN30008NH lq 0.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN30008 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 80 v 9.6a（tc） 10V 30mohm @ 4.8a 、10V 4V @ 100µA 11 NC @ 10 V ±20V 920 pf @ 40 v - 700MW
2SD2695(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 -
RFQ
 ECAD 9371 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SD2695 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 60 V 2 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 100MHz
2SA1020-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y（T6CanofM -
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SA1020YT6CANOFM ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-61AA RN2910 200mw SMQ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms -
2SC3668-Y,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3668-y、t2f（m -
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC3668 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TK12A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60W、S4VX 3.9800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK12A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 11.5a（ta） 10V 300mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 35W （TC）
RN1108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1108MFV 、L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1108 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 22 Kohms 47 Kohms
1SS367,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS367 、H3F 0.2000
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 1SS367 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 10 v 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C （最大） 100mA 40pf @ 0V、1MHz
2SB1375,CLARIONF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1375 -
RFQ
 ECAD 5769 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SB1375 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 60 V 3 a 10µa（icbo） PNP 1.5V @ 200MA 、2a 100 @ 500MA 、5V 9MHz
CMH08(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH08 -
RFQ
 ECAD 9412 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-128 CMH08 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS準拠 CMH08 （TE12LQM ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 400 V 1.3 V @ 2 a 100 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 2a -
SSM6N7002BFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU 、LF -
RFQ
 ECAD 3756 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N7002 モスフェット（金属酸化物） 300MW US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 60V 200mA 2.1OHM @ 500MA 、10V 3.1V @ 250µA - 17pf @ 25V ロジックレベルゲート
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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