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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
1SS374(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS374 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS374 ショットキー SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 10 v 100mA 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C （最大）
RN4986(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn4986 0.3000
RFQ
 ECAD 483 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4986 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µa（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 4.7kohms 47kohms
RN1911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1911 -
RFQ
 ECAD 2298 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1911 100MW US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 4.7kohms -
RN2610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2610 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN2610 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms -
TPH1R405PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R405PL 、L1Q 1.5800
RFQ
 ECAD 9110 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1R405 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 45 v 120a（tc） 4.5V 、10V 1.4mohm @ 50a、10V 2.4V @ 500µA 74 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 22.5 v - 960MW
RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2306 、LF 0.1900
RFQ
 ECAD 2146 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2306 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
RN1968(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1968 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1968 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2714-y（te85l 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC2714 100MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 23dB 30V 20ma npn 100 @ 1MA 、6V 550MHz 2.5db @ 100MHz
RN1405,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1405 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1405 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
TK6A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK6A80E、S4x 1.8900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosviii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK6A80 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 6a（ta） 10V 1.7OHM @ 3A 、10V 4V @ 600µA 32 NC @ 10 V ±30V 1350 PF @ 25 V - 45W
TPC8092,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8092 -
RFQ
 ECAD 8376 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8092 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 15a（ta） 4.5V 、10V 9mohm @ 7.5a 、10V 2.3V @ 200µA 25 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 10 v - 1W
TK16E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W5、S1VX 3.1200
RFQ
 ECAD 9278 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK16E60 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 15.8a 10V 230mohm @ 7.9a 、10V 4.5V @ 790µA 43 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 130W
TPCC8105,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105、L1Q 0.8200
RFQ
 ECAD 3350 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-vdfn露出パッド モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 23a（ta） 4.5V 、10V 7.8mohm @ 11.5a 、10V 2V @ 500µA 76 NC @ 10 V +20V、-25V 3240 PF @ 10 V - 700MW
HN1A01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1a01fu-y、lf 0.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1A01 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
TRS12A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12A65F 、S1Q 5.4900
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2フルパック TRS12A65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220F-2L - ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.6 V @ 12 a 0 ns 60 µA @ 650 v 175°C （最大） 12a 44pf @ 650v、1MHz
TPCA8028-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8028-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 9696 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv-h カットテープ（CT） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8028 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 50a（ta） 4.5V 、10V 2.8mohm @ 25a 、10V 2.3V @ 1MA 88 NC @ 10 V ±20V 7800 PF @ 10 V - 1.6W
TPC8134,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8134 0.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8134 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 40 v 5a（ta） 4.5V 、10V 52mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 100µA 20 NC @ 10 V +20V、-25V 890 PF @ 10 V - 1W
GT40WR21,Q Toshiba Semiconductor and Storage gt40wr21、q 11.0200
RFQ
 ECAD 7358 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 375 w to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 100 - - 1350 v 40 a 80 a 5.9V @ 15V 、40a - -
2SC4793(LBSAN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC4793 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） npn 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 100MHz
SSM6P47NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P47NU 、LF 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6P47 モスフェット（金属酸化物） 1W 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 4a 95mohm @ 1.5a 、4.5V 1V @ 1MA 4.6NC @ 4.5V 290pf @ 10V ロジックレベルゲート
RN4607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4607 0.4700
RFQ
 ECAD 795 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN4607 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R203NC、L1Q 1.2200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN2R203 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 45a（tc） 10V 2.2mohm @ 22.5a 、10V 2.3V @ 500µA 34 NC @ 10 V ±20V 2230 PF @ 15 V - 700MW
2SA1020-Y(T6TR1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y（T6TR1、AF -
RFQ
 ECAD 8896 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN1706,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1706 lf 0.3000
RFQ
 ECAD 939 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN1706 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 47kohms
SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R 、LF 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J808 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 40 v 7a（ta） 4V 、10V 35mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 100µA 24.2 NC @ 10 V +10V、-20V 1020 PF @ 10 V - 1.5W
HN2D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2D02FU 、LF 0.4000
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN2D02 標準 US6 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 3独立 80 v 80ma 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
2SC2712-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-Y 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント TO-236-3 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
TPHR6503PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1、LQ 2.2000
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5.75） - 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 150a 4.5V 、10V 0.65mohm @ 50a 、10V 2.1V @ 1MA 110 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 15 V - 960MW
RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2311 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2311 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 10 Kohms
2SC6000(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6000 （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SC6000 20 W pw-mold - 264-2SC6000 ear99 8541.29.0095 2,000 50 v 7 a 100na（icbo） npn 180mv @ 83ma 、2.5a 250 @ 2.5a 、2V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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