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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -マックス 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） @ @ if、f トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2714-y（te85l 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC2714 100MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 23dB 30V 20ma npn 100 @ 1MA 、6V 550MHz 2.5db @ 100MHz
2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-A 、LF 0.4000
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC3326 150 MW TO-236 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 Ma 100na（icbo） npn 100MV @ 3MA 、30MA 200 @ 4MA 、2V 30MHz
2SC4207-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4207-y（te85l 0.3500
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 2SC4207 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 NPN （デュアル）マッチングペア、一般的なエミッター 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc5095-r（te85l -
RFQ
 ECAD 9694 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC5095 100MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 13db〜7.5db 10V 15ma npn 50 @ 7MA 、6V 10GHz 1.8db @ 2GHz
2SK2035(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2035 -
RFQ
 ECAD 1230 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 2SK2035 モスフェット（金属酸化物） SSM - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 2.5V 12OHM @ 10MA 、2.5V - 10V 8.5 PF @ 3 V - 100MW
2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-BL （TE85L f 0.6800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 2SK2145 300 MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 13pf @ 10V 6 ma @ 10 v 200 mV @ 100 Na
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-BL （TE85L 0.5900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SK880 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 13pf @ 10V 50 v 6 ma @ 10 v 1.5 V @ 100 Na
3SK291(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK291 -
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 12.5 v 表面マウント SC-61AA 3SK291 800MHz モスフェット SMQ - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネルデュアルゲート 30ma 10 Ma - 22.5dB 2.5dB 6 v
CUS521,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS521 、H3F 0.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS521 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 200 mA 30 µA @ 30 V 125°C （最大） 200mA 26PF @ 0V、1MHz
HN2S03T(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03T （TE85L） -
RFQ
 ECAD 3763 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 4-SMD 、フラットリード HN2S03 ショットキー TESQ - 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2独立 20 v 50ma 550 mV @ 50 mA 500 NA @ 20 V 125°C （最大）
JDP2S02AFS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S02AFS 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 2-SMD 、フラットリード JDP2S02 FSC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 50 Ma 0.4pf @ 1V、1MHz ピン -シングル 30V 1.5OHM @ 10MA 、100MHz
JDV2S10FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S10FS 0.4100
RFQ
 ECAD 398 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 2-SMD 、フラットリード JDV2S10 FSC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 3.4PF @ 2.5V、1MHz シングル 10 v 2.55 C0.5/C2.5 -
RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM04U6P （TE12L 1.5493
RFQ
 ECAD 7126 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 16 v 表面マウント TO-243AA RFM04U6 470MHz モスフェット pw-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 2a 500 Ma 4.3W 13.3db - 6 v
RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV 、L3F 0.1700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1104 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 47 Kohms 47 Kohms
RN1107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107 0.2000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1107 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
RN1108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1108 0.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1108 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn1131mfv 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1131 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 100 Kohms
RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1310 （TE85L 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1310 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2711 -
RFQ
 ECAD 1334 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2711 200mw 5スソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 400 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
RN4603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4603 0.3800
RFQ
 ECAD 7481 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN4603 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 22kohms 22kohms
TK16C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16C60W、S1VQ -
RFQ
 ECAD 7901 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して To-262-3 Long Leads TK16C60 モスフェット（金属酸化物） i2pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 15.8a 10V 190mohm @ 7.9a 、10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 130W
TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11003NL 、LQ 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN11003 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 11a（tc） 4.5V 、10V 11mohm @ 5.5a 、10V 2.3V @ 100µA 7.5 NC @ 10 V ±20V 660 PF @ 15 V - 700MW （TA ）、19W（TC）
TPH8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R903NL 、LQ 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH8R903 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 20a（tc） 10V 8.9mohm @ 10a 、10V 2.3V @ 1MA 9.8 NC @ 10 V ±20V 820 PF @ 15 V - 1.6W
TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1600ANH -L1Q 0.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN1600 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 17a（tc） 10V 16mohm @ 8.5a 、10V 4V @ 200µA 19 NC @ 10 V ±20V 1600 PF @ 50 V - 700MW
TP89R103NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TP89R103NL 、LQ 0.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TP89R103 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 15a（tc） 4.5V 、10V 9.1mohm @ 7.5a 、10V 2.3V @ 100µA 9.8 NC @ 10 V ±20V 820 PF @ 15 V - 1W （TC）
TP86R203NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TP86R203NL 、LQ 0.9000
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TP86R203 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 19a（ta） 4.5V 、10V 6.2mohm @ 9a、10v 2.3V @ 200µA 17 NC @ 10 V ±20V 1400 PF @ 15 V - 1W （TC）
1SS360(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS360 -
RFQ
 ECAD 2413 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 1SS360 標準 SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
1SS367,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS367 、H3F 0.2000
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 1SS367 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 10 v 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C （最大） 100mA 40pf @ 0V、1MHz
1SS394TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS394TE85LF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS394 ショットキー SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 10 v 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C （最大） 100mA 40pf @ 0V、1MHz
2SC6026CT-GR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026CT-GR 、L3F 0.3700
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 2SC6026 100 MW CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 60MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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