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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -マックス 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） @ @ if、f トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
TK099V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK099V65Z 、LQ 5.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK099v65 モスフェット（金属酸化物） 5-dfn （8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 30a（ta） 10V 99mohm @ 15a 、10V 4V @ 1.27MA 47 NC @ 10 V ±30V 2780 PF @ 300 V - 230W
SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R 、LF 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J808 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 40 v 7a（ta） 4V 、10V 35mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 100µA 24.2 NC @ 10 V +10V、-20V 1020 PF @ 10 V - 1.5W
TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1600ANH -L1Q 0.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN1600 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 17a（tc） 10V 16mohm @ 8.5a 、10V 4V @ 200µA 19 NC @ 10 V ±20V 1600 PF @ 50 V - 700MW
SSM6L36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36TU 、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L36 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 20V 500MA 630MOHM @ 200MA 、5V 1V @ 1MA 1.23NC @ 4V、1.2NC @ 4V 46pf @ 10V 、43pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ
RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2961fe -
RFQ
 ECAD 9441 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2961 100MW ES6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
TPC8208(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208 （TE12L -
RFQ
 ECAD 2448 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8208 モスフェット（金属酸化物） 450MW 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 5a 50mohm @ 2.5a 、4V 1.2V @ 200µA 9.5NC @ 5V 780pf @ 10V ロジックレベルゲート
RN4903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4903fe 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4903 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バイアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 22kohms 22kohms
TK30E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK30E06N1、S1X 0.9400
RFQ
 ECAD 6995 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK30E06 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 43a（ta） 10V 15mohm @ 15a 、10V 4V @ 200µA 16 NC @ 10 V ±20V 1050 PF @ 30 V - 53W
TK17A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A65W5、S5x 3.1400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK17A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 17.3a（ta） 10V 230mohm @ 8.7a 、10V 4.5V @ 900µA 50 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 300 v - 45W
TPW4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R008NH 、L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 4510 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERWDFN TPW4R008 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 80 v 116a（tc） 10V 4mohm @ 50a 、10V 4V @ 1MA 59 NC @ 10 V ±20V 5300 PF @ 40 V - 800MW
1SV279,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV279 、H3F 0.4800
RFQ
 ECAD 1082 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-79、SOD-523 1SV279 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 4,000 6.5pf @ 10V、1MHz シングル 15 V 2.5 C2/C10 -
TK5P53D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK5P53D（T6RSS-Q） 1.3400
RFQ
 ECAD 4199 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK5P53 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 525 v 5a（ta） 10V 1.5OHM @ 2.5A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 80W
XPH2R106NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH2R106NC 、L1XHQ 2.1700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101、u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SOIC （0.197 "、幅5.00mm） XPH2R106 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 110a（ta） 2.1mohm @ 55a 、10V 2.5V @ 1MA 104 NC @ 10 V ±20V 6900 PF @ 10 V - 960MW
RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM04U6P （TE12L 1.5493
RFQ
 ECAD 7126 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 16 v 表面マウント TO-243AA RFM04U6 470MHz モスフェット pw-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 2a 500 Ma 4.3W 13.3db - 6 v
RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1116 0.2800
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1116 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
CUS520,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS520 、H3F 0.2000
RFQ
 ECAD 707 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS520 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 30 V 280 mV @ 10 Ma 5 µA @ 30 V 125°C （最大） 200mA 17pf @ 0V、1MHz
JDH2S02FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S02FSTPL3 0.4600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 125°C （TJ） 2-SMD 、フラットリード JDH2S02 FSC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 10 Ma 0.3pf @ 0.2V、1MHz Schottky-シングル 10V -
RN1401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1401 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TK17N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK17N65W、S1F 3.8600
RFQ
 ECAD 7047 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK17N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 17.3a（ta） 10V 200mohm @ 8.7a、10V 3.5V @ 900µA 45 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 300 v - 165W
JDH2S01FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S01FSTPL3 -
RFQ
 ECAD 7312 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 2-SMD 、フラットリード JDH2S01 FSC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 25 Ma 0.6pf @ 0.2V、1MHz Schottky-シングル 4V -
TK16N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK16N60W、S1VF 4.1900
RFQ
 ECAD 7281 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK16N60 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 15.8a 10V 190mohm @ 7.9a 、10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 130W
TK20P04M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK20P04M1 -
RFQ
 ECAD 3613 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK20P04 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 20a（ta） 4.5V 、10V 29mohm @ 10a 、10V 2.3V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 985 PF @ 10 V - 27W （TC）
JDV2S07FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S07FSTPL3 0.0718
RFQ
 ECAD 6225 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 2-SMD 、フラットリード JDV2S07 FSC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 4.9pf @ 1V、1MHz 標準 -シングル 10V -
SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU -
RFQ
 ECAD 2761 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J114 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 1.8a（ta） 1.5V 、4V 149mohm @ 600ma 、4V 1V @ 1MA 7.7 NC @ 4 V ±8V 331 PF @ 10 V - 500MW
SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU 、LXHF 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 3.2a（ta） 1.5V 、4.5V 93mohm @ 1.5a 、4.5V 1V @ 1MA 4.7 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 290 PF @ 10 V - 500MW
SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6p35fe 0.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6p35 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 100mA 8OHM @ 50MA 、4V 1V @ 1MA - 12.2pf @ 3V ロジックレベルゲート
TK9A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK9A65W、S5x 2.2200
RFQ
 ECAD 1169 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK9A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 9.3a（ta） 10V 500mohm @ 4.6a 、10V 3.5V @ 350µA 20 NC @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 v - 30W （TC）
JDH3D01STE85LF Toshiba Semiconductor and Storage JDH3D01STE85LF -
RFQ
 ECAD 3604 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） SC-75、SOT-416 JDH3D01 SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 25 Ma 0.6pf @ 0.2V、1MHz ショットキー 4V -
2SK3342(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3342（TE16L1 -
RFQ
 ECAD 3368 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK3342 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 250 v 4.5a（ta） 10V 1OHM @ 2.5A 、10V 3.5V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 440 PF @ 10 V - 20W （TC）
TJ60S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L 、LXHQ 1.4100
RFQ
 ECAD 3162 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ60S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 60a（ta） 6V 、10V 6.3mohm @ 30a 、10V 3V @ 1MA 125 NC @ 10 V +10V、-20V 6510 PF @ 10 V - 90W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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