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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
RN2308(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2308 （TE85L 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2308 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
CRZ39(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz39（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 7342 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ39 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 31.2 v 39 v 35オーム
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-BL （TE85L 0.5900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SK880 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 13pf @ 10V 50 v 6 ma @ 10 v 1.5 V @ 100 Na
RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101ACT （TPL3） -
RFQ
 ECAD 6910 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1101 100 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 500µA、5MA 30 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 4.7 Kohms
CMZ20(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cmz20（TE12L 0.5400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-128 CMZ20 2 W m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 14 V 20 v 30オーム
TK12J60W,S1VE(S Toshiba Semiconductor and Storage TK12J60W、S1ve -
RFQ
 ECAD 8348 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK12J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p - 1 （無制限） 264-TK12J60WS1VE（s ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 11.5a（ta） 10V 300mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 110W
2SJ438,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438 -
RFQ
 ECAD 2689 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-220-3フルパック 2SJ438 TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 5a（tj）
CRS14(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crs14（TE85L 0.1462
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS14 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 490 mV @ 2 a 50 µA @ 30 V -40°C〜150°C 2a 90pf @ 10V、1MHz
TPC8032-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8032-H （TE12LQM） -
RFQ
 ECAD 9260 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8032 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 15a（ta） 6.5mohm @ 7.5a 、10V 2.5V @ 1MA 33 NC @ 10 V 2846 PF @ 10 V - -
TK10A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60D -
RFQ
 ECAD 1128 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK10A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TK10A60DSTA4QM ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 10a（ta） 10V 750mohm @ 5a 、10V 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±30V 1350 PF @ 25 V - 45W
TPCA8018-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8018-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 8893 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8018 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 30a（ta） 4.5V 、10V 6.2mohm @ 15a 、10V 2.5V @ 1MA 34 NC @ 10 V ±20V 2846 PF @ 10 V - 1.6W
MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111TU 、LF 0.5800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード MT3S111 800mw UFM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 12.5dB 6V 100mA npn 200 @ 30ma 、5v 10GHz 0.6db〜0.85db @ 500MHz〜1GHz
TK11A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A55D 2.5900
RFQ
 ECAD 5991 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK11A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 11a（ta） 10V 630mohm @ 5.5a 、10V 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±30V 1350 PF @ 25 V - 45W
TK2A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK2A65D 1.4400
RFQ
 ECAD 6893 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK2A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 2a（ta） 10V 3.26ohm @ 1a 、10V 4.4V @ 1MA 9 NC @ 10 V ±30V 380 PF @ 25 V - 30W （TC）
TK6A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK6A60W、S4VX 2.2500
RFQ
 ECAD 9900 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK6A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 6.2a（ta） 10V 750mohm @ 3.1a 、10V 3.7V @ 310µA 12 NC @ 10 V ±30V 390 pf @ 300 v - 30W （TC）
2SA2142(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2142（TE16L1 0.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 1 W pw-mold ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 2,000 600 V 500 Ma 10µa（icbo） PNP 1V @ 10MA 、100mA 100 @ 50ma 、5v 35MHz
SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P15FU 、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6P15 モスフェット（金属酸化物） 200MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 30V 100mA 12OHM @ 10MA 、4V 1.7V @ 100µA - 9.1pf @ 3V -
TPCC8009,LQ(O Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8009 -
RFQ
 ECAD 6494 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8009 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 24a（ta） 7mohm @ 12a 、10V 3V @ 200µA 26 NC @ 10 V 1270 PF @ 10 V - -
RN1415,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1415 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 7792 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1415 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
2SC2881-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2881-Y （TE12L ZC 0.4900
RFQ
 ECAD 851 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 500 MW pw-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1,000 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 120 @ 100MA 、5V 120MHz
CMZ36(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ36 0.5800
RFQ
 ECAD 2937 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-128 2 W m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 28.8 v 36 v 30オーム
SSM3J35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CT 、L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3J35 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 pチャネル 20 v 100ma（ta） 1.2V 、4V 8OHM @ 50MA 、4V 1V @ 1MA ±10V 12.2 pf @ 3 v - 100MW
RN1711,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1711 0.3100
RFQ
 ECAD 1202 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN1711 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
CLH07(TE16L,NMB,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh07 -
RFQ
 ECAD 5501 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH07 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 400 V 1.8 V @ 5 a 35 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 5a -
1SV281(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV281 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-79、SOD-523 1SV281 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 8.7pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 2 C1/C4 -
2SC5086-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-Y 、LF -
RFQ
 ECAD 9674 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 2SC5086 100MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80ma npn 120 @ 20MA 、10V 7GHz 1DB @ 500MHz
RN4905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4905 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 2.2kohms 47kohms
SSM3K35AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35AFS 、LF 0.2500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 SSM3K35 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 250ma（ta） 1.2V 、4.5V 1.1OHM @ 150MA 、4.5V 1V @ 100µA 0.34 NC @ 4.5 v ±10V 36 pf @ 10 v - 500MW
CES388,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CES388 、L3f 0.2000
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 CES388 ショットキー ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大） 100mA 25pf @ 0V、1MHz
SSM3K344R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K344R 、LF 0.4400
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K344 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 3a（ta） 1.5V 、4.5V 71mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 2 NC @ 4 V ±8V 153 PF @ 10 V - 1W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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