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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 現在 -マックス テスト条件 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） @ @ if、f トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
SSM3K72KCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72KCT 、L3f 0.2500
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K72 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 60 V 400ma（ta） 4.5V 、10V 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±20V 40 pf @ 10 v - 500MW
TK200F04N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK200F04N1L 、LXGQ 3.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント TO-263-3 TK200F04 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 3 （168 時間） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 40 v 200a（ta） 6V 、10V 0.9mohm @ 100a 、10V 3V @ 1MA 214 NC @ 10 V ±20V 14920 PF @ 10 V - 375W
TK40S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L 、LQ 0.9100
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK40S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 40a（ta） 4.5V 、10V 10.5mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 200µA 26 NC @ 10 V ±20V 1650 PF @ 10 V - 88.2W
MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111TU 、LF 0.5800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード MT3S111 800mw UFM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 12.5dB 6V 100mA npn 200 @ 30ma 、5v 10GHz 0.6db〜0.85db @ 500MHz〜1GHz
TK11A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A55D 2.5900
RFQ
 ECAD 5991 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK11A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 11a（ta） 10V 630mohm @ 5.5a 、10V 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±30V 1350 PF @ 25 V - 45W
TK2A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK2A65D 1.4400
RFQ
 ECAD 6893 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK2A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 2a（ta） 10V 3.26ohm @ 1a 、10V 4.4V @ 1MA 9 NC @ 10 V ±30V 380 PF @ 25 V - 30W （TC）
TPCA8018-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8018-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 8893 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8018 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 30a（ta） 4.5V 、10V 6.2mohm @ 15a 、10V 2.5V @ 1MA 34 NC @ 10 V ±20V 2846 PF @ 10 V - 1.6W
SSM3K72CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage ssm3k72ctc、l3f 0.3000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K72 モスフェット（金属酸化物） CST3C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 60 V 150ma（ta） 4.5V 、10V 3.9OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.35 NC @ 4.5 V ±20V 17 pf @ 10 v - 500MW
1SS315TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS315TPH3F 0.0600
RFQ
 ECAD 6355 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 125°C （TJ） SC-76、SOD-323 1SS315 USC - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 30 Ma 0.6pf @ 0.2V、1MHz Schottky-シングル 5V -
RN4990FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4990fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4990 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 、200MHz 4.7kohms -
RN2106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106MFV 0.1800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2106 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
TK4A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A55DA -
RFQ
 ECAD 7445 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK4A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 3.5a（ta） 10V 2.45OHM @ 1.8A 、10V 4.4V @ 1MA 9 NC @ 10 V ±30V 380 PF @ 25 V - 30W （TC）
TK31V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W 、LVQ 7.8500
RFQ
 ECAD 3694 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK31V60 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 30.8a 10V 98mohm @ 15.4a 、10V 3.7V @ 1.5MA 86 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 240W
HN2D01FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2D01FTE85LF 0.4700
RFQ
 ECAD 201 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 HN2D01 標準 SC-74 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 3独立 80 v 80ma 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
TK10P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10P50W、RQ 1.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 500 V 9.7a（ta） 10V 430mohm @ 4.9a 、10V 3.7V @ 500µA 20 NC @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 v - 80W
TK16J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W、S1VQ -
RFQ
 ECAD 8499 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK16J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 15.8a 10V 190mohm @ 7.9a 、10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 130W
SSM3K347R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K347R 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K347 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 38 v 2a（ta） 4V 、10V 340mohm @ 1a 、10V 2.4V @ 1MA 2.5 NC @ 10 V ±20V 86 PF @ 10 V - 2W （TA）
CUHS20F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs20f40、H3f 0.3600
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs20 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 540 mV @ 2 a 60 µA @ 40 V 150°C （最大） 2a 300pf @ 0V、1MHz
RN1111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1111 0.0355
RFQ
 ECAD 4214 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1111 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
RN4911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4911 100MW US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 、250MHz 10kohms -
TPCC8104,L1Q(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8104、L1Q（CM -
RFQ
 ECAD 2662 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8104 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） - 1 （無制限） 264-TPCC8104L1Q（CMTR ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 20a（ta） 4.5V 、10V 8.8mohm @ 10a 、10V 2V @ 500µA 58 NC @ 10 V +20V、-25V 2260 PF @ 10 V - 700MW
RN2901,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2901 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2901 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
GT50J121(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT50J121 -
RFQ
 ECAD 6353 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3pl GT50J121 標準 240 w to-3p - 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 100 300V、50A、13OHM、15V - 600 V 50 a 100 a 2.45V @ 15V 、50a 1.3mj（オン）、1.34MJ 90ns/300ns
1SS406,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS406、H3F 0.2000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 1SS406 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 20 v 550 mV @ 50 mA 500 NA @ 20 V 125°C （最大） 50ma 3.9pf @ 0V、1MHz
2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-y 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
SSM3J36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J36FS 、LF 0.2900
RFQ
 ECAD 479 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 SSM3J36 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 330ma（ta） 1.5V 、4.5V 1.31OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA 1.2 NC @ 4 V ±8V 43 PF @ 10 V - 150MW
RN2412,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412 、LF 0.0309
RFQ
 ECAD 8990 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ＆リール（ tr） アクティブ - ROHS3準拠 264-RN2412 、LFTR 3,000
TPC6009-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6009-H -
RFQ
 ECAD 2245 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6009 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 40 v 5.3a（ta） 4.5V 、10V 81mohm @ 2.7a 、10V 2.3V @ 100µA 4.7 NC @ 10 V ±20V 290 PF @ 10 V - 700MW
SSM3K341R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341R 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K341 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 6a（ta） 4V 、10V 36mohm @ 5a 、10V 2.5V @ 100µA 9.3 NC @ 10 V ±20V 550 PF @ 10 V - 1.2W
TPH3R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R506PL 、LQ 0.5263
RFQ
 ECAD 4366 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH3R506 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - 1 （無制限） 264-TPH3R506PLLQTR ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 94a（tc） 4.5V 、10V 3.5mohm @ 47a 、10V 2.5V @ 500µA 55 NC @ 10 V ±20V 4420 PF @ 30 V - 830MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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