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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TPW1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R104PB、L1XHQ 2.2600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPW1R104 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 120a（ta） 6V 、10V 1.14mohm @ 60a 、10V 3V @ 500µA 55 NC @ 10 V ±20V 4560 PF @ 10 V - 960MW
RN1418,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1418 lf 0.1800
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1418 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 10 Kohms
TK17E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK17E80W、S1x 4.5900
RFQ
 ECAD 4719 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3 TK17E80 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 17a（ta） 10V 290mohm @ 8.5a 、10V 4V @ 850µA 32 NC @ 10 V ±20V 2050 PF @ 300 v - 180W
SSM5N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N16FUTE85LF -
RFQ
 ECAD 5880 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 SSM5N16 モスフェット（金属酸化物） 5スソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 1.5V 、4V 3OHM @ 10MA 、4V - ±10V 9.3 PF @ 3 V - 200MW
2SK3127(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3127 -
RFQ
 ECAD 2581 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK3127 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 45a（ta） 10V 12mohm @ 25a 、10V 3V @ 1MA 66 NC @ 10 V ±20V 2300 pf @ 10 v - 65W
RN2402,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2402 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2402 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
RN1601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1601 0.4700
RFQ
 ECAD 6159 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1601 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN2901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2901fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2901 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
CUHS15S60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs15s60、H3f 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 670 mV @ 1.5 a 450 µA @ 60 V 150°C 1.5a 130pf @ 0V、1MHz
RN1408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1408 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1408 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
TPCA8102(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8102（TE12L -
RFQ
 ECAD 9323 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8102 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 40a（ta） 4V 、10V 6mohm @ 20a 、10V 2V @ 1MA 109 NC @ 10 V ±20V 4600 PF @ 10 V - 1.6W
SSM6L09FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L09FUTE85LF 0.4900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6L09 モスフェット（金属酸化物） 300MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 400MA 、200mA 700mohm @ 200ma 、10V 1.8V @ 100µA - 20pf @ 5V ロジックレベルゲート
RN2103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2103 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 22 Kohms
TPC8038-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8038-H （TE12L -
RFQ
 ECAD 2841 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8038 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 12a（ta） 11.4mohm @ 6a 、10V 2.5V @ 1MA 21 NC @ 10 V 2150 PF @ 10 V - -
GT50N322A Toshiba Semiconductor and Storage GT50N322A 4.7800
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 156 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-GT50N322A ear99 8541.29.0095 50 - 800 ns - 1000 V 50 a 120 a 2.8V @ 15V 、60a - -
TPH8R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R008NH l1q 1.6400
RFQ
 ECAD 5756 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH8R008 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 80 v 34a（tc） 10V 8mohm @ 17a 、10v 4V @ 500µA 35 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 40 v - 1.6W
RN1413,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1413 lxhf 0.0645
RFQ
 ECAD 3620 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1413 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
RN2901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2901fe 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2901 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN2109,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2109 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2109 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 22 Kohms
RN4982,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4982 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4982 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 10kohms 10kohms
CUS10S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10S30 、H3F 0.3500
RFQ
 ECAD 195 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS10S30 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 230 mV @ 100 Ma 500 µA @ 30 V 125°C （最大） 1a 135pf @ 0V、1MHz
RN1113,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1113 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1113 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
TK15S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L 、LQ 1.6400
RFQ
 ECAD 4104 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK15S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 15a（ta） 4.5V 、10V 17.8mohm @ 7.5a 、10V 2.5V @ 100µA 10 NC @ 10 V ±20V 610 pf @ 10 v - 46W
TK2R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R9E10PL 、S1x 2.9000
RFQ
 ECAD 9020 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 100a（ta） 4.5V 、10V 2.9mohm @ 50a 、10V 2.5V @ 1MA 161 NC @ 10 V ±20V 9500 PF @ 50 V - 306W
SSM3J118TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J118TU 、LF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 1.4a（ta） 4V 、10V 240mohm @ 650ma 、10V 2.6V @ 1MA ±20V 137 PF @ 15 V - 500MW
SSM6N813R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R 、LF 0.5500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N813 モスフェット（金属酸化物） 1.5W 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 100V 3.5a（ta） 112mohm @ 3.5a 、10V 2.5V @ 100µA 3.6NC @ 4.5V 242pf @ 15V -
GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Semiconductor and Storage gt40qr21 3.6200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 GT40QR21 標準 230 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-GT40QR21 ear99 8541.29.0095 25 280V 、40A 、10OHM 、20V 600 ns - 1200 v 40 a 80 a 2.7V @ 15V 、40a -、290µJ -
TPW1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW1500CNH 、L1Q 2.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 150 v 38a（tc） 10V 15.4mohm @ 19a 、10v 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±20V 2200 pf @ 75 v - 800MW
SSM5N16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N16FU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 SSM5N16 モスフェット（金属酸化物） 200MW USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 100ma（ta） 3OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V -
CMG03A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMG03A -
RFQ
 ECAD 7420 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - 箱 アクティブ 表面マウント SOD-128 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 2 a 5 µA @ 600 v 150°C 2a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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