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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN2106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106 0.3300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2106 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
HN1B04FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage hn1b04fu-gr、lxhf 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1B04 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100na（icbo） NPN、PNP 250mv @ 10ma 、100ma / 300mv @ 10ma 、100ma 200 @ 2MA 、6V 150MHz、120MHz
RN2105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2105mfv 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2105 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
RN2113,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2113 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2113 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 47 Kohms
SSM3K131TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K131TU 、LF 0.5000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K131 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 6a（ta） 4.5V 、10V 27.6mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 1MA 10.1 NC @ 10 V ±20V 450 PF @ 15 V - 500MW
TK3R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R3A06PL 、S4x 1.8000
RFQ
 ECAD 8105 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK3R3A06 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 80a（tc） 4.5V 、10V 3.3mohm @ 40a 、10V 2.5V @ 700µA 71 NC @ 10 V ±20V 5000 pf @ 30 V - 42W
TPH2R104PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R104PL 、LQ 1.1600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH2R104 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 40 v 100a（tc） 4.5V 、10V 2.1mohm @ 50a 、10V 2.4V @ 500µA 78 NC @ 10 V ±20V 6230 PF @ 20 V - 830MW
TK49N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK49N65W、S1F 11.1100
RFQ
 ECAD 83 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-3 TK49N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 49.2a 10V 55mohm @ 24.6a 、10V 3.5V @ 2.5MA 160 NC @ 10 V ±30V 6500 PF @ 300 V - 400W （TC）
TK33S10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L 、LQ 1.9000
RFQ
 ECAD 7785 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK33S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TK33S10N1LLQCT ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 33a（ta） 4.5V 、10V 9.7mohm @ 16.5a 、10V 2.5V @ 500µA 33 NC @ 10 V ±20V 2250 PF @ 10 V - 125W
TPCP8107,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8107 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8107 モスフェット（金属酸化物） PS-8 - 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 40 v 8a（ta） 6V 、10V 18mohm @ 4a 、10V 3V @ 1MA 44.6 NC @ 10 V +10V、-20V 2160 PF @ 10 V - 1W
TJ15S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L 、LXHQ 0.9500
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ15S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 15a（ta） 6V 、10V 50mohm @ 7.5a 、10V 3V @ 1MA 36 NC @ 10 V +10V、-20V 1770 pf @ 10 v - 41W
XK1R9F10QB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage XK1R9F10QB 、LXGQ 3.9000
RFQ
 ECAD 4008 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント TO-263-3 XK1R9F10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 3 （168 時間） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 100 V 160a（ta） 6V 、10V 1.92mohm @ 80a 、10V 3.5V @ 1MA 184 NC @ 10 V ±20V 11500 PF @ 10 V - 375W
TPHR7904PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR7904PB、L1XHQ 2.8200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SOIC （0.197 "、幅5.00mm） TPHR7904 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 5,000 nチャネル 40 v 150a（ta） 6V 、10V 0.79mohm @ 75a 、10V 3V @ 1MA 85 NC @ 10 V ±20V 6650 PF @ 10 V - 960MW
TK33S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z、LXHQ 1.4200
RFQ
 ECAD 8142 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK33S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 33a（ta） 10V 9.7mohm @ 16.5a 、10V 4V @ 500µA 28 NC @ 10 V ±20V 2050 PF @ 10 V - 125W
SSM10N961L,ELF Toshiba Semiconductor and Storage ssm10n961l、elf 0.8700
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 10-xflga csp モスフェット（金属酸化物） 880MW TCSPAG-341501 - ROHS3準拠 1 （無制限） 10,000 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） 30V 9a（ta） 2.3V @ 250µA 17.3NC @ 10V - -
TW060Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW060Z120C、S1F 17.8200
RFQ
 ECAD 7048 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-4 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-247-4L - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 36a（tc） 18V 82mohm @ 18a、18V 5V @ 4.2MA 46 NC @ 18 V +25V、-10V 1530 pf @ 800 v - 170W
GT30J65MRB,S1E Toshiba Semiconductor and Storage gt30j65mrb、S1e 2.5800
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 GT30J65 標準 200 W to-3p - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 400V、15a 、56ohm、15V 200 ns - 650 V 60 a 1.8V @ 15V 、30a 1.4MJ （オン）、220µJ 70 NC 75ns/400ns
SSM6N68NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N68NU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6N68 モスフェット（金属酸化物） 2W （TA） 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 4a（ta） 84mohm @ 2a 、4.5v 1V @ 1MA 1.8NC @ 4.5V 129pf @ 15V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
TK5R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5R3A06PL 、S4x 1.3300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK5R3A06 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 56a（tc） 4.5V 、10V 5.3mohm @ 28a 、10v 2.5V @ 300µA 36 NC @ 10 V ±20V 2380 PF @ 30 V - 36W （TC）
RN1426TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1426TE85LF 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1426 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 800 Ma 500na npn-バイアス化 250mv @ 1ma 、50ma 90 @ 100MA、1V 300 MHz 1 KOHMS 10 Kohms
2SA1931,NIKKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931 -
RFQ
 ECAD 1734 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1931 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1µa（icbo） PNP 400mv @ 200ma 、2a 100 @ 1a、1V 60MHz
1SS321,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS321、LF 0.3200
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS321 ショットキー s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 10 v 1 V @ 50 mA 500 NA @ 10 V 125°C （最大） 50ma 3.2pf @ 0V、1MHz
RN1710,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1710 、LF 0.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN1710 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 4.7kohms -
TK110P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK110P10PL 、RQ 0.9600
RFQ
 ECAD 8728 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK110P10 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 100 V 40a（tc） 4.5V 、10V 10.6mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 300µA 33 NC @ 10 V ±20V 2040 PF @ 50 V - 75W
RN1910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910 0.2700
RFQ
 ECAD 8287 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1910 100MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 4.7kohms -
SSM3K62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K62TU 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K62 モスフェット（金属酸化物） UFM - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 800ma（ta） 1.2V 、4.5V 57mohm @ 800ma 、4.5v 1V @ 1MA 2 NC @ 4.5 v ±8V 177 pf @ 10 v - 1W
TK15J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage TK15J60U -
RFQ
 ECAD 2207 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosii トレイ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK15J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 15a（ta） 10V 300mohm @ 7.5a 、10V 5V @ 1MA 17 NC @ 10 V ±30V 950 PF @ 10 V - 170W
TK56A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK56A12N1、S4x 2.0900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK56A12 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 120 v 56a（tc） 10V 7.5mohm @ 28a 、10V 4V @ 1MA 69 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 60 V - 45W
CMF01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF01 -
RFQ
 ECAD 3559 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-128 CMF01 標準 m-flat（2.4x3.8） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 2 a 100 ns 50 µA @ 600 V -40°C〜150°C 2a -
2SA2195,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2195、LF 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード 2SA2195 500 MW UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 1.7 a 100na（icbo） PNP 200mV @ 33MA、1a 200 @ 300MA 、2V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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