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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
2SC2712-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-GR 、LXHF 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント TO-236-3 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
TK7S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z 、LQ 1.4900
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK7S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 7a（ta） 10V 48mohm @ 3.5a 、10V 4V @ 100µA 7.1 NC @ 10 V ±20V 470 PF @ 10 V - 50W （TC）
TRS3E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS3E65H、S1Q 1.6100
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TRS3E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 3 a 0 ns 45 µA @ 650 v 175°C 3a 199pf @ 1V、1MHz
RN1902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902 0.3500
RFQ
 ECAD 3188 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1902 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 10kohms
RN2116,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2116 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2116 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
TK090N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK090N65Z、S1F 6.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-3 TK090N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TK090N65ZS1F ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 30a（ta） 10V 90mohm @ 15a 、10V 4V @ 1.27MA 47 NC @ 10 V ±30V 2780 PF @ 300 V - 230W
RN4902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902 0.4400
RFQ
 ECAD 1969年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4902 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 10kohms 10kohms
RN1410,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1410 、LF 0.1900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1410 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
RN1106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1106 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 1MA 、5V 4.7 Kohms 47 Kohms
RN2110,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2110 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2110 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 4.7 Kohms
RN4908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4908 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 22kohms 47kohms
RN1119MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1119mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 6434 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1119 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 1 KOHMS
TK50E06K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50E06K3（S1SS-Q） -
RFQ
 ECAD 5965 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv チューブ 廃止 - 穴を通して TO-220-3 TK50E06 - TO-220-3 - ROHS準拠 1 （無制限） TK50E06K3S1SSQ ear99 8541.29.0095 50 - - - - - -
TK16J60W,S1VE Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W、S1ve 5.0500
RFQ
 ECAD 5490 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK16J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 15.8a 10V 190mohm @ 7.9a 、10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 130W
RN2308,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2308 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2308 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
SSM6K819R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K819R 、LXHF 1.0200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K819 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 100 V 10a（ta） 4.5V 、10V 25.8mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 100µA 8.5 NC @ 4.5 v ±20V 1110 PF @ 15 V - 1.5W
2SA1020-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y（6MBH1、AF -
RFQ
 ECAD 3365 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TRS10E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65H、S1Q 2.8900
RFQ
 ECAD 340 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TRS10E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 10 a 0 ns 100 µA @ 650 V 175°C 10a 649PF @ 1V、1MHz
RN2910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2910fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2910 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms -
RN2108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108CT -
RFQ
 ECAD 4145 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2108 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 10MA 、5V 22 Kohms 47 Kohms
RN1901,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1901 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
TDTA143Z,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA143Z 、LM 0.1800
RFQ
 ECAD 7848 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTA143 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms
SSM6N48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N48 モスフェット（金属酸化物） 300MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 100ma（ta） 3.2OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA - 15.1pf @ 3V -
TRS3E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS3E65F 、S1Q 1.9400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 TRS3E65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.6 V @ 3 a 0 ns 20 µA @ 650 v 175°C （最大） 3a 12pf @ 650V、1MHz
SSM3J46CTB(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage ssm3j46ctb（tpl3） 0.4000
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、リードなし SSM3J46 モスフェット（金属酸化物） CST3B ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 10,000 pチャネル 20 v 2a（ta） 1.5V 、4.5V 103mohm @ 1.5a 、4.5V 1V @ 1MA 4.7 NC @ 4.5 v ±8V 290 PF @ 10 V - -
RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4911 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 、250MHz 10kohms -
1SV314(TPL3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV314 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-79、SOD-523 1SV314 ESC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 8,000 3.4PF @ 2.5V、1MHz シングル 10 v 2.5 C0.5/C2.5 -
RN2309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2309 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 22 Kohms
TK6A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK6A60W、S4VX 2.2500
RFQ
 ECAD 9900 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK6A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 6.2a（ta） 10V 750mohm @ 3.1a 、10V 3.7V @ 310µA 12 NC @ 10 V ±30V 390 pf @ 300 v - 30W （TC）
2SA2142(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2142（TE16L1 0.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 1 W pw-mold ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 2,000 600 V 500 Ma 10µa（icbo） PNP 1V @ 10MA 、100mA 100 @ 50ma 、5v 35MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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