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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
TK33S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z、LXHQ 1.4200
RFQ
 ECAD 8142 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK33S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 33a（ta） 10V 9.7mohm @ 16.5a 、10V 4V @ 500µA 28 NC @ 10 V ±20V 2050 PF @ 10 V - 125W
TK33S10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L 、LQ 1.9000
RFQ
 ECAD 7785 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK33S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TK33S10N1LLQCT ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 33a（ta） 4.5V 、10V 9.7mohm @ 16.5a 、10V 2.5V @ 500µA 33 NC @ 10 V ±20V 2250 PF @ 10 V - 125W
TPCP8107,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8107 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8107 モスフェット（金属酸化物） PS-8 - 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 40 v 8a（ta） 6V 、10V 18mohm @ 4a 、10V 3V @ 1MA 44.6 NC @ 10 V +10V、-20V 2160 PF @ 10 V - 1W
SSM3K62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K62TU 、LXHF 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 800ma（ta） 1.2V 、4.5V 57mohm @ 800ma 、4.5v 1V @ 1MA 2 NC @ 4.5 v ±8V 177 pf @ 10 v - 500MW
CMG03A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMG03A -
RFQ
 ECAD 7420 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - 箱 アクティブ 表面マウント SOD-128 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 2 a 5 µA @ 600 v 150°C 2a -
HN1B04FE-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage hn1b04fe-y、lxhf 0.4500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN1B04 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100na（icbo） NPN、PNP 250mv @ 10ma 、100ma / 300mv @ 10ma 、100ma 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN1402,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1402 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
RN2106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106 0.3300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2106 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
HN1B04FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage hn1b04fu-gr、lxhf 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1B04 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100na（icbo） NPN、PNP 250mv @ 10ma 、100ma / 300mv @ 10ma 、100ma 200 @ 2MA 、6V 150MHz、120MHz
RN2105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2105mfv 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2105 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
SSM5N16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N16FU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 SSM5N16 モスフェット（金属酸化物） 200MW USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 100ma（ta） 3OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V -
TK2R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R9E10PL 、S1x 2.9000
RFQ
 ECAD 9020 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 100a（ta） 4.5V 、10V 2.9mohm @ 50a 、10V 2.5V @ 1MA 161 NC @ 10 V ±20V 9500 PF @ 50 V - 306W
SSM3J118TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J118TU 、LF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 1.4a（ta） 4V 、10V 240mohm @ 650ma 、10V 2.6V @ 1MA ±20V 137 PF @ 15 V - 500MW
SSM6N813R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R 、LF 0.5500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N813 モスフェット（金属酸化物） 1.5W 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 100V 3.5a（ta） 112mohm @ 3.5a 、10V 2.5V @ 100µA 3.6NC @ 4.5V 242pf @ 15V -
GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Semiconductor and Storage gt40qr21 3.6200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 GT40QR21 標準 230 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-GT40QR21 ear99 8541.29.0095 25 280V 、40A 、10OHM 、20V 600 ns - 1200 v 40 a 80 a 2.7V @ 15V 、40a -、290µJ -
GT30J65MRB,S1E Toshiba Semiconductor and Storage gt30j65mrb、S1e 2.5800
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 GT30J65 標準 200 W to-3p - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 400V、15a 、56ohm、15V 200 ns - 650 V 60 a 1.8V @ 15V 、30a 1.4MJ （オン）、220µJ 70 NC 75ns/400ns
TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TK8S06K3L 1.2600
RFQ
 ECAD 4739 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK8S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 8a（ta） 6V 、10V 54mohm @ 4a 、10V 3V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 400 pf @ 10 V - 25W （TC）
TW060Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW060Z120C、S1F 17.8200
RFQ
 ECAD 7048 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-4 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-247-4L - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 36a（tc） 18V 82mohm @ 18a、18V 5V @ 4.2MA 46 NC @ 18 V +25V、-10V 1530 pf @ 800 v - 170W
SSM10N961L,ELF Toshiba Semiconductor and Storage ssm10n961l、elf 0.8700
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 10-xflga csp モスフェット（金属酸化物） 880MW TCSPAG-341501 - ROHS3準拠 1 （無制限） 10,000 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） 30V 9a（ta） 2.3V @ 250µA 17.3NC @ 10V - -
TKR74F04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TKR74F04PB、LXGQ 4.5400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント TO-263-3 TKR74F04 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 3 （168 時間） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 40 v 250a（ta） 6V 、10V 0.74mohm @ 125a 、10V 3V @ 1MA 227 NC @ 10 V ±20V 14200 PF @ 10 V - 375W
TK200F04N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK200F04N1L 、LXGQ 3.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント TO-263-3 TK200F04 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 3 （168 時間） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 40 v 200a（ta） 6V 、10V 0.9mohm @ 100a 、10V 3V @ 1MA 214 NC @ 10 V ±20V 14920 PF @ 10 V - 375W
SSM3K72KCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72KCT 、L3f 0.2500
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K72 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 60 V 400ma（ta） 4.5V 、10V 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±20V 40 pf @ 10 v - 500MW
1SV314(TPL3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV314 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-79、SOD-523 1SV314 ESC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 8,000 3.4PF @ 2.5V、1MHz シングル 10 v 2.5 C0.5/C2.5 -
RN2309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2309 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 22 Kohms
TPHR9003NL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL1、LQ 1.5900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5.75） - 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 150a 4.5V 、10V 0.9mohm @ 50a 、10V 2.3V @ 1MA 74 NC @ 10 V ±20V 6900 PF @ 15 V - 800MW
TK100A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK100A10N1、S4x 3.9800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK100A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 100a（tc） 10V 3.8mohm @ 50a 、10V 4V @ 1MA 140 NC @ 10 V ±20V 8800 PF @ 50 V - 45W
RN1906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906fe 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1906 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 47kohms
TK17V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK17V65W 、LQ 3.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK17V65 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 17.3a（ta） 10V 210mohm @ 8.7a 、10V 3.5V @ 900µA 45 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 300 v - 156W
SSM5H16TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H16TU 、LF 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-smd（5 リード）、フラットリード SSM5H16 モスフェット（金属酸化物） UFV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 1.9a（ta） 1.8V 、4V 133mohm @ 1a 、4V 1V @ 1MA 1.9 NC @ 4 V ±12V 123 PF @ 15 V ショットキーダイオード（分離） 500MW
TPN2R903PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R903PL 、L1Q 0.8300
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPN2R903 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 70a 4.5V 、10V 2.9mohm @ 35a 、10V 2.1V @ 200µA 26 NC @ 10 V ±20V 2300 PF @ 15 V - 630MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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