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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
2SA1483-Y(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1483-Y （TE12L -
RFQ
 ECAD 6130 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2SA1483 pw-mini - 264-2SA1483-y （TE12LF ）TR 2,500 - 45V 200mA PNP 120 @ 10MA、1V 200MHz -
HN1B01FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage hn1b01fu-gr、lxhf 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1B01 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100na（icbo） NPN、PNP 300MV @ 10MA 、100MA / 250MV @ 10MA 、100MA 200 @ 2MA 、6V 120MHz、150MHz
TK16V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16V60W5、LVQ 3.4800
RFQ
 ECAD 3143 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 15.8a 10V 245mohm @ 7.9a 、10V 4.5V @ 790µA 43 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 139W
2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879-Y （TE85L 0.4200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SK879 100 MW USM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 8.2pf @ 10V 1.2 mA @ 10 v 400 mV @ 100 na
TK40P03M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1（T6RSS-Q -
RFQ
 ECAD 4208 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 - 表面マウント to-252-3 TK40P03 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 30 V 40a（ta） 4.5V 、10V 10.8mohm @ 20a 、10V 2.3V @ 100µA 17.5 NC @ 10 V ±20V 1150 PF @ 10 V - -
TK40S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L 、LQ 0.9100
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK40S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 40a（ta） 4.5V 、10V 10.5mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 200µA 26 NC @ 10 V ±20V 1650 PF @ 10 V - 88.2W
TK10J80E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E、S1E 3.0700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosviii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK10J80 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 800 V 10a（ta） 10V 1OHM @ 5A 、10V 4V @ 1MA 46 NC @ 10 V ±30V 2000 PF @ 25 V - 250W
RN2108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108CT -
RFQ
 ECAD 4145 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2108 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 10MA 、5V 22 Kohms 47 Kohms
TRS10E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65H、S1Q 2.8900
RFQ
 ECAD 340 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TRS10E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 10 a 0 ns 100 µA @ 650 V 175°C 10a 649PF @ 1V、1MHz
RN1901,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1901 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN2910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2910fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2910 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms -
RN4908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4908 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 22kohms 47kohms
TK090N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK090N65Z、S1F 6.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-3 TK090N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TK090N65ZS1F ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 30a（ta） 10V 90mohm @ 15a 、10V 4V @ 1.27MA 47 NC @ 10 V ±30V 2780 PF @ 300 V - 230W
2SA1020-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y（6MBH1、AF -
RFQ
 ECAD 3365 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
SSM6K819R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K819R 、LXHF 1.0200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K819 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 100 V 10a（ta） 4.5V 、10V 25.8mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 100µA 8.5 NC @ 4.5 v ±20V 1110 PF @ 15 V - 1.5W
RN2107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2107 0.3300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2107 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 47 Kohms
TRS6A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS6A65F 、S1Q 2.7600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2フルパック TRS6A65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220F-2L - ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.6 V @ 6 a 0 ns 30 µA @ 650 v 175°C （最大） 6a 22PF @ 650V、1MHz
TPCA8056-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8056-H -
RFQ
 ECAD 5127 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8056 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 48a（ta） 4.5V 、10V 2.2mohm @ 24a 、10V 2.3V @ 1MA 74 NC @ 10 V ±20V 6200 PF @ 10 V - 1.6W
SSM6K809R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K809R 、LF 0.7200
RFQ
 ECAD 5425 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K809 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 6a（ta） 4V 、10V 36mohm @ 5a 、10V 2.5V @ 100µA 9.3 NC @ 10 V ±20V 550 PF @ 10 V - 1.5W
2SJ168TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ168TE85LF 0.9000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SJ168 モスフェット（金属酸化物） SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 60 V 200ma（ta） 10V 2OHM @ 50MA 、10V - ±20V 85 pf @ 10 v - 200MW
RN2411,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2411 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2411 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 10 Kohms
XPH4R714MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH4R714MC、L1XHQ 1.7700
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SOIC （0.197 "、幅5.00mm） XPH4R714 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 40 v 60a（ta） 4.5V 、10V 4.7mohm @ 30a 、10V 2.1V @ 1MA 160 NC @ 10 V +10V、-20V 5640 PF @ 10 V - 960MW
RN2112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn2112act（tpl3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2112 100 MW CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 22 Kohms
RN4988,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4988 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 22kohms 47kohms
TPCA8102(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8102（TE12L -
RFQ
 ECAD 9323 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8102 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 40a（ta） 4V 、10V 6mohm @ 20a 、10V 2V @ 1MA 109 NC @ 10 V ±20V 4600 PF @ 10 V - 1.6W
SSM6L09FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L09FUTE85LF 0.4900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6L09 モスフェット（金属酸化物） 300MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 400MA 、200mA 700mohm @ 200ma 、10V 1.8V @ 100µA - 20pf @ 5V ロジックレベルゲート
TPC8038-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8038-H （TE12L -
RFQ
 ECAD 2841 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8038 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 12a（ta） 11.4mohm @ 6a 、10V 2.5V @ 1MA 21 NC @ 10 V 2150 PF @ 10 V - -
RN1413,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1413 lxhf 0.0645
RFQ
 ECAD 3620 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1413 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
CUHS15S60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs15s60、H3f 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 670 mV @ 1.5 a 450 µA @ 60 V 150°C 1.5a 130pf @ 0V、1MHz
RN2901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2901fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2901 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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