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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TK5A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A50D 1.2500
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK5A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 5a（ta） 10V 1.5OHM @ 2.5A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 25 V - 35W （TC）
XPH4R714MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH4R714MC、L1XHQ 1.7700
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SOIC （0.197 "、幅5.00mm） XPH4R714 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 40 v 60a（ta） 4.5V 、10V 4.7mohm @ 30a 、10V 2.1V @ 1MA 160 NC @ 10 V +10V、-20V 5640 PF @ 10 V - 960MW
RN2112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn2112act（tpl3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2112 100 MW CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 22 Kohms
RN4988,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4988 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 22kohms 47kohms
TPCA8102(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8102（TE12L -
RFQ
 ECAD 9323 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8102 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 40a（ta） 4V 、10V 6mohm @ 20a 、10V 2V @ 1MA 109 NC @ 10 V ±20V 4600 PF @ 10 V - 1.6W
SSM6L09FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L09FUTE85LF 0.4900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6L09 モスフェット（金属酸化物） 300MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 400MA 、200mA 700mohm @ 200ma 、10V 1.8V @ 100µA - 20pf @ 5V ロジックレベルゲート
TPC8038-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8038-H （TE12L -
RFQ
 ECAD 2841 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8038 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 12a（ta） 11.4mohm @ 6a 、10V 2.5V @ 1MA 21 NC @ 10 V 2150 PF @ 10 V - -
RN1413,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1413 lxhf 0.0645
RFQ
 ECAD 3620 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1413 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
CUHS15S60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs15s60、H3f 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 670 mV @ 1.5 a 450 µA @ 60 V 150°C 1.5a 130pf @ 0V、1MHz
RN2901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2901fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2901 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN1408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1408 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1408 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
SSM6N48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N48 モスフェット（金属酸化物） 300MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 100ma（ta） 3.2OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA - 15.1pf @ 3V -
RN2103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2103 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 22 Kohms
TRS3E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS3E65F 、S1Q 1.9400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 TRS3E65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.6 V @ 3 a 0 ns 20 µA @ 650 v 175°C （最大） 3a 12pf @ 650V、1MHz
SSM3J46CTB(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage ssm3j46ctb（tpl3） 0.4000
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、リードなし SSM3J46 モスフェット（金属酸化物） CST3B ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 10,000 pチャネル 20 v 2a（ta） 1.5V 、4.5V 103mohm @ 1.5a 、4.5V 1V @ 1MA 4.7 NC @ 4.5 v ±8V 290 PF @ 10 V - -
RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4911 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 、250MHz 10kohms -
RN1426TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1426TE85LF 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1426 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 800 Ma 500na npn-バイアス化 250mv @ 1ma 、50ma 90 @ 100MA、1V 300 MHz 1 KOHMS 10 Kohms
GT50N322A Toshiba Semiconductor and Storage GT50N322A 4.7800
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 156 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-GT50N322A ear99 8541.29.0095 50 - 800 ns - 1000 V 50 a 120 a 2.8V @ 15V 、60a - -
TPH8R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R008NH l1q 1.6400
RFQ
 ECAD 5756 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH8R008 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 80 v 34a（tc） 10V 8mohm @ 17a 、10v 4V @ 500µA 35 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 40 v - 1.6W
TPW1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R104PB、L1XHQ 2.2600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPW1R104 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 120a（ta） 6V 、10V 1.14mohm @ 60a 、10V 3V @ 500µA 55 NC @ 10 V ±20V 4560 PF @ 10 V - 960MW
TPH3R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R506PL 、LQ 0.5263
RFQ
 ECAD 4366 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH3R506 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - 1 （無制限） 264-TPH3R506PLLQTR ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 94a（tc） 4.5V 、10V 3.5mohm @ 47a 、10V 2.5V @ 500µA 55 NC @ 10 V ±20V 4420 PF @ 30 V - 830MW
TK17E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK17E80W、S1x 4.5900
RFQ
 ECAD 4719 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3 TK17E80 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 17a（ta） 10V 290mohm @ 8.5a 、10V 4V @ 850µA 32 NC @ 10 V ±20V 2050 PF @ 300 v - 180W
SSM5N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N16FUTE85LF -
RFQ
 ECAD 5880 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 SSM5N16 モスフェット（金属酸化物） 5スソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 1.5V 、4V 3OHM @ 10MA 、4V - ±10V 9.3 PF @ 3 V - 200MW
RN1601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1601 0.4700
RFQ
 ECAD 6159 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1601 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
TDTA143Z,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA143Z 、LM 0.1800
RFQ
 ECAD 7848 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTA143 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms
TK7S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z 、LQ 1.4900
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK7S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 7a（ta） 10V 48mohm @ 3.5a 、10V 4V @ 100µA 7.1 NC @ 10 V ±20V 470 PF @ 10 V - 50W （TC）
2SC2712-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-GR 、LXHF 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント TO-236-3 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
2SA1931,NIKKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931 -
RFQ
 ECAD 1734 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1931 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1µa（icbo） PNP 400mv @ 200ma 、2a 100 @ 1a、1V 60MHz
RN1710,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1710 、LF 0.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN1710 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 4.7kohms -
1SS321,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS321、LF 0.3200
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS321 ショットキー s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 10 v 1 V @ 50 mA 500 NA @ 10 V 125°C （最大） 50ma 3.2pf @ 0V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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