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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
SSM6N36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36TU 、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N36 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 500ma（ta） 630mohm @ 200ma 、5v 1V @ 1MA 1.23NC @ 4V 46pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ
2SA2154MFV-GR(TPL3 Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFV-GR （TPL3 -
RFQ
 ECAD 6607 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 2SA2154 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
SSM6L820R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L820R 、LF 0.5300
RFQ
 ECAD 2581 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L820 モスフェット（金属酸化物） 1.4W 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 、20V 4a（ta） 39.1mohm @ 2a 、4.5v 、45mohm @ 3.5a 、10v 1V @ 1MA 、1.2V @ 1MA 3.2NC @ 4.5V、6.7NC @ 4.5V 310pf @ 15V 、480pf @ 10V -
1SV305,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV305、H3F -
RFQ
 ECAD 5855 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-79、SOD-523 1SV305 ESC ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 4,000 6.6pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 3 C1/C4 -
TPCC8002-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8002-H （TE12L Q -
RFQ
 ECAD 2822 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-vdfn露出パッド TPCC8002 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 22a（ta） 4.5V 、10V 8.3mohm @ 11a 、10V 2.5V @ 1MA 27 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 10 V - 700MW
1SV311(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV311 0.0886
RFQ
 ECAD 4129 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-79、SOD-523 1SV311 ESC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 4,000 5.45pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 2.1 C1/C4 -
RN4985FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4985fe 0.2400
RFQ
 ECAD 259 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4985 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 2.2kohms 47kohms
2SK2962(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 -
RFQ
 ECAD 1303 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2962 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 1a（tj）
TPC8018-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8018-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 5235 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8018 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 18a（ta） 4.5V 、10V 4.6mohm @ 9a、10V 2.3V @ 1MA 38 NC @ 10 V ±20V 2265 PF @ 10 V - 1W
U1GWJ49(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage u1gwj49 -
RFQ
 ECAD 1338 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-243AA U1GWJ49 ショットキー pw-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 1 a 500 µA @ 40 V -40°C〜125°C 1a -
2SC2235-O(T6FJT,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O -
RFQ
 ECAD 6710 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
2SA965-Y(T6CANO,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y（T6CANO 、FM -
RFQ
 ECAD 3779 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA965 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） PNP 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
2SA1020-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y、f（J -
RFQ
 ECAD 8744 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SC5200N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200N 2.2100
RFQ
 ECAD 3081 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SC5200 150 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 2SC5200N ear99 8541.29.0075 25 230 v 15 a 5µa（icbo） npn 3V @ 800MA 、8a 80 @ 1a 、5V 30MHz
RN1107MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107MFV 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1107 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 10 Kohms 47 Kohms
TK3A65DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65DA 1.5200
RFQ
 ECAD 4118 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK3A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 2.5a（ta） 10V 2.51OHM @ 1.3A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 25 V - 35W （TC）
SSM6K514NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K514NU 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6K514 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 40 v 12a（ta） 4.5V 、10V 11.6mohm @ 4a 、10V 2.4V @ 100µA 7.5 NC @ 4.5 v ±20V 1110 pf @ 20 v - 2.5W
TK5Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5Q60W、S1VQ 1.8600
RFQ
 ECAD 2135 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TK5Q60 モスフェット（金属酸化物） i-pak - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 600 V 5.4a（ta） 10V 900mohm @ 2.7a 、10V 3.7V @ 270µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 60W （TC）
1SS424(TPL3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS424 0.2200
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 1SS424 ショットキー ESC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 20 v 500 mV @ 200 mA 50 µA @ 20 V 125°C （最大） 200mA 20pf @ 0V、1MHz
RN1307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1307 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
TRS20N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS20N65FB -
RFQ
 ECAD 1932年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 TRS20N65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247 - ROHS準拠 1 （無制限） TRS20N65FBS1F（s ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 650 V 10a （dc） 1.7 V @ 10 a 0 ns 90 µA @ 650 v 175°C （最大）
RN1442ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage rn1442ate85lf -
RFQ
 ECAD 4776 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-236-3 RN1442 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 100MV @ 3MA 、30MA 200 @ 4MA 、2V 30 MHz 10 Kohms
TPH1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R104PB、L1XHQ 2.0900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SOIC （0.197 "、幅5.00mm） TPH1R104 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 5,000 nチャネル 40 v 120a（ta） 6V 、10V 1.14mohm @ 60a 、10V 3V @ 500µA 55 NC @ 10 V ±20V 4560 PF @ 10 V - 960MW
HN1A01FE-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage hn1a01fe-y、lxhf 0.4500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN1A01 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN4911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4911 -
RFQ
 ECAD 9993 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4911 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L 2.2100
RFQ
 ECAD 3396 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TJ60S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 60a（ta） 6V 、10V 11.2mohm @ 30a 、10v 3V @ 1MA 156 NC @ 10 V +10V、-20V 7760 PF @ 10 V - 100W （TC）
RN1412,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1412 、LF 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1412 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 22 Kohms
2SC2235-Y(DNSO,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y （DNSO -
RFQ
 ECAD 8875 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
CMS04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS04 0.7800
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS04 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 370 mV @ 5 a 8 ma @ 30 v -40°C〜125°C 5a 330pf @ 10V、1MHz
SSM6K819R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K819R 、LF 0.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K819 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 100 V 10a（ta） 4.5V 、10V 25.8mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 100µA 8.5 NC @ 4.5 v ±20V 1110 PF @ 15 V - 1.5W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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