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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R506PL 、L1Q 1.6300
RFQ
 ECAD 8490 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH2R506 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 100a（tc） 4.5V 、10V 4.4mohm @ 30a 、4.5V 2.5V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 5435 PF @ 30 V - 132W
2SB1457(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457 -
RFQ
 ECAD 8231 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SB1457 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 100 V 2 a 10µa（icbo） PNP 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 50MHz
CUS357,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS357 、H3F 0.1900
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS357 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大） 100mA 11pf @ 0V、1MHz
TPW3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW3R70APL 、L1Q 2.9000
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 90a 4.5V 、10V 3.7mohm @ 45a 、10V 2.5V @ 1MA 67 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 50 V - 960MW
TPC8125,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8125 0.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8125 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 30 V 10a（ta） 4.5V 、10V 13mohm @ 5a 、10V 2V @ 500µA 64 NC @ 10 V +20V、-25V 2580 PF @ 10 V - 1W
TTD1409B,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TTD1409B 、S4x 1.6000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TTD1409 2 W TO-220SIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 400 V 6 a 20µa（icbo） npn-ダーリントン 2V @ 40ma 、4a 600 @ 2a 、2V -
SSM3J377R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J377R 、LXHF 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 3.9a（ta） 1.5V 、4.5V 93mohm @ 1.5a 、4.5V 1V @ 1MA 4.6 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 290 PF @ 10 V - 1W
CUHS15F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F40 、H3F 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs15 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 630 mV @ 1.5 a 50 µA @ 40 V 150°C （最大） 1.5a 130pf @ 0V、1MHz
CRS10I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage crs10i30b 0.4100
RFQ
 ECAD 9920 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 420 mv @ 1 a 60 µA @ 30 V 150°C 1a 50pf @ 10V、1MHz
RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn2906 lf 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2906 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN4910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4910 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4910 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 、250MHz 4.7kohms -
TPC8207(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207 -
RFQ
 ECAD 8561 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8207 モスフェット（金属酸化物） 450MW 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 6a 20mohm @ 4.8a 、4v 1.2V @ 200µA 22NC @ 5V 2010pf @ 10V ロジックレベルゲート
SSM3K336R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K336R 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K336 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 3a（ta） 4.5V 、10V 95mohm @ 2a 、10V 2.5V @ 100µA 1.7 NC @ 4.5 v ±20V 126 PF @ 15 V - 1W
TK50E06K3A,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK50E06K3A -
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv チューブ 廃止 - 穴を通して TO-220-3 TK50E06 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 50a（tc） 8.5mohm @ 25a 、10V - 54 NC @ 10 V - -
SSM3K361TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361TU 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K361 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 100 V 3.5a（ta） 4.5V 、10V 69mohm @ 2a 、10V 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 v ±20V 430 PF @ 15 V - 1W
SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J340R 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J340 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 4a（ta） 4V 、10V 45mohm @ 4a 、10V 2.2V @ 250µA 6.2 NC @ 4.5 v +20V、-25V 492 PF @ 10 V - 1W
RN1110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1110ACT 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1110 100 MW CST3 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 47 Kohms
SSM6N42FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n42fe（TE85L -
RFQ
 ECAD 4807 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6N42 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 800mA 240mohm @ 500ma 、4.5V 1V @ 1MA 2NC @ 4.5V 90pf @ 10V ロジックレベルゲート
RN1907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907 0.2800
RFQ
 ECAD 9444 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1907 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 47kohms
SSM6N61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N61NU 、LF 0.4200
RFQ
 ECAD 8347 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6N61 モスフェット（金属酸化物） 2W 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 4a 33mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 3.6NC @ 4.5V 410pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ
DSF01S30SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SL 、L3F 0.3500
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし DSF01S30 ショットキー SL2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 100mA 9.02pf @ 2V、1MHz
TPH3300CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3300CNH 、L1Q 1.6100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH3300 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 150 v 18a（ta） 10V 33mohm @ 9a、10v 4V @ 300µA 10.6 NC @ 10 V ±20V 1100 pf @ 75 v - 1.6W
TK14G65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14G65W、RQ 2.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-263-3 TK14G65 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 650 V 13.7a 10V 250mohm @ 6.9a 、10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 130W
RN2119MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn2119mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2119 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 1 KOHMS
SSM3K337R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K337R 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K337 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 38 v 2a（ta） 4V 、10V 150mohm @ 2a 、10V 1.7V @ 1MA 3 NC @ 10 V ±20V 120 PF @ 10 V - 1W
GT30J341,Q Toshiba Semiconductor and Storage GT30J341 3.4000
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 GT30J341 標準 230 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-GT30J341Q ear99 8541.29.0095 100 300V、30A 、24OHM15V 50 ns 600 V 59 a 120 a 2V @ 15V、30A 800µj（オン）、600µj（オフ） 80ns/280ns
TK16A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A55D -
RFQ
 ECAD 3760 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK16A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 16a（ta） 330mohm @ 8a 、10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 V 2600 PF @ 25 V - -
CUS05S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05S30 、H3F 0.3100
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS05S30 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 30 V 340 mV @ 100 Ma 150 µA @ 10 V 125°C （最大） 500mA 55pf @ 0V、1MHz
2SK2883(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2883 -
RFQ
 ECAD 9932 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK2883 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 800 V 3a（ta） 10V 3.6OHM @ 1.5A 、10V 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±30V 750 PF @ 25 V - 75W
2SC2714-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-O 0.0964
RFQ
 ECAD 6404 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC2714 100MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 23dB 30V 20ma npn 70 @ 1MA 、6V 550MHz 2.5db @ 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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