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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TK9A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A55DA 2.0200
RFQ
 ECAD 9871 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK9A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 8.5a（ta） 10V 860mohm @ 4.3a 、10V 4V @ 1MA 20 NC @ 10 V ±30V 1050 PF @ 25 V - 40W （TC）
2SC5886A(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5886A 0.7000
RFQ
 ECAD 8546 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 1 W pw-mold ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 50 v 5 a 100na（icbo） npn 220MV @ 32MA 、1.6a 400 @ 500MA 、2V -
RN4990(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4990 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4990 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 、200MHz 4.7kohms -
RN2907,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2907 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
SSM3J352F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J352F 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 SSM3J352 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 2a（ta） 1.8V 、10V 110mohm @ 2a 、10V 1.2V @ 1MA 5.1 NC @ 4.5 v ±12V 210 PF @ 10 V - 1.2W
RN2307,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2307 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 47 Kohms
TK15S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L 、LQ 1.6400
RFQ
 ECAD 4104 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK15S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 15a（ta） 4.5V 、10V 17.8mohm @ 7.5a 、10V 2.5V @ 100µA 10 NC @ 10 V ±20V 610 pf @ 10 v - 46W
CRS15I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I40A 0.4500
RFQ
 ECAD 8628 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS15I40 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 1.5 a 60 µA @ 40 V 150°C （最大） 1.5a 35pf @ 10V、1MHz
HN1D03FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D03FTE85LF 0.4200
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 HN1D03 標準 SC-74 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2ペアCA + CC 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
TPCC8008(TE12L,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8008 -
RFQ
 ECAD 3585 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv カットテープ（CT） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-vdfn露出パッド TPCC8008 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 25a（ta） 4.5V 、10V 6.8mohm @ 12.5a、10V 2.5V @ 1a 30 NC @ 10 V ±25V 1600 pf @ 10 v - 700MW
RN1105,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1105 0.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1105 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K123TU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 397 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K123 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 4.2a（ta） 1.5V 、4V 28mohm @ 3a 、4V 1V @ 1MA 13.6 NC @ 4 V ±10V 1010 pf @ 10 v - 500MW
1SS361CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS361CT 0.3400
RFQ
 ECAD 242 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 1SS361 標準 CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
TK5A65DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65DA 1.5900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK5A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 4.5a（ta） 10V 1.67OHM @ 2.3A 、10V 4.4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 700 PF @ 25 V - 35W （TC）
TPC8021-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage TPC8021-H （TE12LQ、M -
RFQ
 ECAD 1471 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8021 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 11a（ta） 4.5V 、10V 17mohm @ 5.5a 、10V 2.3V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±20V 640 PF @ 10 V - 1W
TPH4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R008NH l1q 2.7900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH4R008 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 80 v 60a（tc） 10V 4mohm @ 30a 、10V 4V @ 1MA 59 NC @ 10 V ±20V 5300 PF @ 40 V - 1.6W
TK5A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A45DA 1.0600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK5A45 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 4.5a（ta） 10V 1.75OHM @ 2.3A 、10V 4.4V @ 1MA 9 NC @ 10 V ±30V 380 PF @ 25 V - 30W （TC）
RN1106CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1106ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 3304 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1106 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 10MA 、5V 4.7 Kohms 47 Kohms
RN2502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2502 （TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 670 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN2502 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 10kohms
TDTA124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA124E、LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTA124 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 56 @ 5MA 、5V 250 MHz 22 Kohms
2SK2507(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2507 -
RFQ
 ECAD 5339 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SK2507 モスフェット（金属酸化物） TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 50 v 25a（ta） 4V 、10V 46mohm @ 12a 、10V 2V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±20V 900 PF @ 10 V - 30W （TC）
2SK3313(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3313 -
RFQ
 ECAD 1994年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SK3313 モスフェット（金属酸化物） TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 12a（ta） 10V 620mohm @ 6a 、10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 V ±30V 2040 PF @ 10 V - 40W （TC）
TPCA8047-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8047-H （T2L1後VM -
RFQ
 ECAD 4456 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8047 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 32a（ta） 4.5V 、10V 7.3mohm @ 16a 、10V 2.3V @ 500µA 43 NC @ 10 V ±20V 3365 PF @ 10 V - 1.6W
2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2061 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 625 MW TSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-2SA2061 ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 2.5 a 100na（icbo） PNP 190MV @ 53MA 、1.6a 200 @ 500MA 、2V -
TK4R3E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK4R3E06PL 、S1x 1.5200
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK4R3E06 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 80a（tc） 4.5V 、10V 7.2mohm @ 15a 、4.5V 2.5V @ 500µA 48.2 NC @ 10 V ±20V 3280 PF @ 30 V - 87W
TK2Q60D(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK2Q60D 0.9400
RFQ
 ECAD 6036 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TK2Q60 モスフェット（金属酸化物） pw-mold2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） TK2Q60DQ ear99 8541.29.0095 200 nチャネル 600 V 2a（ta） 10V 4.3OHM @ 1A 、10V 4.4V @ 1MA 7 NC @ 10 V ±30V 280 pf @ 25 v - 60W （TC）
3SK293(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK293 0.5200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 12.5 v 表面マウント SC-82A 、SOT-343 3SK293 800MHz モスフェット USQ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネルデュアルゲート 30ma 10 Ma - 22dB 2.5dB 6 v
RN2405,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2405 、LXHF 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2405 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
RN2909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2909 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
TK20E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W5、S1VX 3.5500
RFQ
 ECAD 6535 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3 TK20E60 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 175mohm @ 10a 、10V 4.5V @ 1MA 55 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 300 v - 165W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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