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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） 電流排水（ id） -最大
RN2414(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2414 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2414 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 1 KOHMS 10 Kohms
TPCP8901(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8901 -
RFQ
 ECAD 7302 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8901 1.48W PS-8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TPCP8901（TE85LFM ear99 8541.29.0075 3,000 50V 1a 、800ma 100na（icbo） NPN、PNP 170MV @ 6MA、300MA / 200mV @ 10MA、300MA 400 @ 100MA 、2V / 200 @ 100MA 、2V -
TK16G60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W、RVQ 6.0900
RFQ
 ECAD 6936 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-263-3 TK16G60 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 600 V 15.8a 10V 190mohm @ 7.9a 、10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 130W
CMF01A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMF01A -
RFQ
 ECAD 5318 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - 箱 アクティブ 表面マウント SOD-128 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 2 a 100 ns 50 µA @ 600 V 150°C 2a -
2SB906-Y(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage 2SB906-Y （TE16L1 、NQ 1.2100
RFQ
 ECAD 5609 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SB906 1 W pw-mold ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 60 V 3 a 100µa（icbo） PNP 1.7V @ 300MA、3a 100 @ 500MA 、5V 9MHz
CRF02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crf02（TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRF02 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 800 V 3 V @ 500 Ma 100 ns 50 µA @ 800 V -40°C〜150°C 500mA -
TJ10S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ10S04M3L 1.3300
RFQ
 ECAD 8845 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TJ10S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 10a（ta） 6V 、10V 44mohm @ 5a、10v 3V @ 1MA 19 NC @ 10 V +10V、-20V 930 pf @ 10 v - 27W （TC）
RN2510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2510 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN2510 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms -
RN2901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2901 0.2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2901 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
BAV99W,LF Toshiba Semiconductor and Storage bav99w、lf 0.2100
RFQ
 ECAD 518 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 bav99 標準 USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 1ペアシリーズ接続 100 V 150ma 1.25 V @ 150 MA 4 ns 200 Na @ 80 V 150°C （最大）
2SK2507(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2507 -
RFQ
 ECAD 5339 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SK2507 モスフェット（金属酸化物） TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 50 v 25a（ta） 4V 、10V 46mohm @ 12a 、10V 2V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±20V 900 PF @ 10 V - 30W （TC）
TK20E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W5、S1VX 3.5500
RFQ
 ECAD 6535 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3 TK20E60 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 175mohm @ 10a 、10V 4.5V @ 1MA 55 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 300 v - 165W
RN1404,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1404 、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 5315 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1404 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN2712JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2712je（TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2712 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 22kohms -
TK1K7A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K7A60F、S4x 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK1K7A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 4a（ta） 10V 1.7OHM @ 2A 、10V 4V @ 460µA 16 NC @ 10 V ±30V 560 PF @ 300 V - 35W （TC）
RN2709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2709je（TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2709 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
TDTA114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA114E、LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTA114 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 30 @ 5MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
2SK2376(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2376 -
RFQ
 ECAD 4520 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 、ショートタブ 2SK2376 モスフェット（金属酸化物） TO-220FL ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 45a（ta） 4V 、10V 17mohm @ 25a 、10V 2V @ 1MA 110 NC @ 10 V ±20V 3350 PF @ 10 V - 100W （TC）
RN2908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2908fe 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2908 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
TPCA8021-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8021-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 9896 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8021 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 27a（ta） 4.5V 、10V 9mohm @ 14a 、10V 2.3V @ 1MA 23 NC @ 10 V ±20V 1395 PF @ 10 V - 1.6W
2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-Y （TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SK209 150 MW SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 13pf @ 10V 50 v 14 mA @ 10 v 1.5 V @ 100 Na 14 Ma
RN2101MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101Mfv 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2101 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN2105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105MFV 0.1800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2105 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
TPN22006NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN22006NH lq 0.9600
RFQ
 ECAD 3455 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN22006 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 9a（ta） 6.5V 、10V 22mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 100µA 12 NC @ 10 V ±20V 710 PF @ 30 V - 700MW
TK065U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK065U65Z、RQ 6.3200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERSFN モスフェット（金属酸化物） 通行料金 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 38a（ta） 10V 65mohm @ 19a 、10V 4V @ 1.69ma 62 NC @ 10 V ±30V 3650 pf @ 300 v - 270W
CRG04A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage crg04a -
RFQ
 ECAD 4458 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - 箱 アクティブ 表面マウント SOD-123F 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 1 a 5 µA @ 600 v 150°C 1a -
SSM3K37MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37MFV 、L3F 0.2900
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3K37 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 nチャネル 20 v 250ma（ta） 1.5V 、4.5V 2.2OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA ±10V 12 pf @ 10 v - 150MW
CUHS15F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs15f30、H3f 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs15 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 520 mV @ 1.5 a 50 µA @ 30 V 150°C 1.5a 170pf @ 0V、1MHz
TTA006B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTA006B -
RFQ
 ECAD 1451 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ TTA006 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 250
TPH12008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH12008NH l1q 1.2500
RFQ
 ECAD 9998 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH12008 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 80 v 24a（tc） 10V 12.3mohm @ 12a 、10V 4V @ 300µA 22 NC @ 10 V ±20V 1900 pf @ 40 v - 1.6W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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