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離散半導体製品（2909）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
TPCC8008	-	RFQ	3585	東芝の半導体と貯蔵	u-mosiv	カットテープ（CT）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	8-vdfn露出パッド	TPCC8008		モスフェット（金属酸化物）		8-TSON ADVANCE （3.3x3.3）	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル					30 V	25a（ta）	4.5V 、10V	6.8mohm @ 12.5a、10V	2.5V @ 1a	30 NC @ 10 V	±25V	1600 pf @ 10 v	-	700MW
SSM3K123TU 、LF	0.4900	RFQ	397	東芝の半導体と貯蔵	u-mosiii	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、フラットリード	SSM3K123		モスフェット（金属酸化物）		UFM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.21.0095	3,000			nチャネル					20 v	4.2a（ta）	1.5V 、4V	28mohm @ 3a 、4V	1V @ 1MA	13.6 NC @ 4 V	±10V	1010 pf @ 10 v	-	500MW
TPCA8065-H	-	RFQ	3579	東芝の半導体と貯蔵	u-mosvii-h	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	8-POWERVDFN	TPCA8065		モスフェット（金属酸化物）		8 ソップアドバンス（5x5）	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル					30 V	16a（ta）	4.5V 、10V	11.4mohm @ 8a 、10v	2.3V @ 200µA	20 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 10 v	-	1.6W （TA ）、25W（TC）
TPC8021-H （TE12LQ、M	-	RFQ	1471	東芝の半導体と貯蔵	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm）	TPC8021		モスフェット（金属酸化物）		8 ソップ（5.5x6.0	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル					30 V	11a（ta）	4.5V 、10V	17mohm @ 5.5a 、10V	2.3V @ 1MA	11 NC @ 10 V	±20V	640 PF @ 10 V	-	1W
1SS361CT	0.3400	RFQ	242	東芝の半導体と貯蔵	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-101 、SOT-883	1SS361		標準		CST3	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		ear99	8541.10.0070	10,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																	1ペア共通カソード	80 v	100mA	1.2 V @ 100 MA	1.6 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
TK5A65DA	1.5900	RFQ	50	東芝の半導体と貯蔵	πmosvii	チューブ	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3フルパック	TK5A65		モスフェット（金属酸化物）		TO-220SIS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル					650 V	4.5a（ta）	10V	1.67OHM @ 2.3A 、10V	4.4V @ 1MA	16 NC @ 10 V	±30V	700 PF @ 25 V	-	35W （TC）
TPH4R008NH l1q	2.7900	RFQ	5	東芝の半導体と貯蔵	u-mosviii-h	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	8-POWERVDFN	TPH4R008		モスフェット（金属酸化物）		8 ソップアドバンス（5x5）	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル					80 v	60a（tc）	10V	4mohm @ 30a 、10V	4V @ 1MA	59 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 40 V	-	1.6W
RN2405 、LXHF	0.3500	RFQ	6	東芝の半導体と貯蔵	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	RN2405			200 MW	s-mini	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.21.0095	3,000																										50 v	100 Ma		500na	pnp-前バイアス	300MV @ 250µA 、5MA	80 @ 10ma 、5v	200 MHz	2.2 KOHMS	47 Kohms
RN2909fe	0.3800	RFQ	8	東芝の半導体と貯蔵	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOT-563、SOT-666	RN2909			100MW	ES6	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.21.0095	4,000																										50V	100mA		500na	2 pnp- バイアス（デュアル）	300MV @ 250µA 、5MA	70 @ 10ma 、5v	200MHz	47kohms	22kohms
rn2969fe	-	RFQ	9454	東芝の半導体と貯蔵	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	SOT-563、SOT-666	RN2969			100MW	ES6	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.21.0095	4,000																										50V	100mA		100na（icbo）	2 pnp- バイアス（デュアル）	300MV @ 250µA 、5MA	70 @ 10ma 、5v	200MHz	47kohms	22kohms
TK5A45DA	1.0600	RFQ	50	東芝の半導体と貯蔵	πmosvii	チューブ	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3フルパック	TK5A45		モスフェット（金属酸化物）		TO-220SIS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル					450 v	4.5a（ta）	10V	1.75OHM @ 2.3A 、10V	4.4V @ 1MA	9 NC @ 10 V	±30V	380 PF @ 25 V	-	30W （TC）
2SJ438 、MDKQ（J	-	RFQ	1464	東芝の半導体と貯蔵	-	バルク	廃止			穴を通して	TO-220-3フルパック	2SJ438				TO-220NIS	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1									5a（tj）
2SC5886A	0.7000	RFQ	8546	東芝の半導体と貯蔵	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	to-252-3				1 W	pw-mold	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	2,000																										50 v	5 a		100na（icbo）	npn	220MV @ 32MA 、1.6a	400 @ 500MA 、2V	-
TK14A45DA	2.7100	RFQ	3625	東芝の半導体と貯蔵	-	チューブ	アクティブ		-	穴を通して	TO-220-3フルパック	TK14A45		モスフェット（金属酸化物）		TO-220SIS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル					450 v	13.5a		410mohm @ 6.8a 、10V	-				-	-
TK9A55DA	2.0200	RFQ	9871	東芝の半導体と貯蔵	πmosvii	チューブ	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3フルパック	TK9A55		モスフェット（金属酸化物）		TO-220SIS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル					550 V	8.5a（ta）	10V	860mohm @ 4.3a 、10V	4V @ 1MA	20 NC @ 10 V	±30V	1050 PF @ 25 V	-	40W （TC）
SSM3J374R 、LXHF	0.4000	RFQ	9279	東芝の半導体と貯蔵	自動車、aec-q101 、u-mosvi	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		150°C	表面マウント	SOT-23-3フラットリード			モスフェット（金属酸化物）		SOT-23F	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	3,000			pチャネル					30 V	4a（ta）	4V 、10V	71mohm @ 3a 、10V	2V @ 100µA	5.9 NC @ 10 V	+10V、-20V	280 PF @ 15 V	-	1W
rn1106ct（tpl3）	-	RFQ	3304	東芝の半導体と貯蔵	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	SC-101 、SOT-883	RN1106			50 MW	CST3	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.21.0095	10,000																										20 v	50 Ma		500na	npn-バイアス化	150MV @ 250µA 、5MA	120 @ 10MA 、5V		4.7 Kohms	47 Kohms
RN4990	0.3400	RFQ	2	東芝の半導体と貯蔵	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363	RN4990			200mw	US6	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.21.0075	3,000																										50V	100mA		100na（icbo）	1 npn、1 pnp- バイアス前（デュアル）	300MV @ 250µA 、5MA	120 @ 1MA 、5V	250MHz 、200MHz	4.7kohms	-
RN2502 （TE85L	0.4700	RFQ	670	東芝の半導体と貯蔵	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-74A 、SOT-753	RN2502			300MW	SMV	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		ear99	8541.21.0095	3,000																										50V	100mA		100na（icbo）	2 pnp- バイアス（デュアル）（エミッタ結合）	300MV @ 250µA 、5MA	50 @ 10ma 、5v	200MHz	10kohms	10kohms
2SK3313	-	RFQ	1994年年	東芝の半導体と貯蔵	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3フルパック	2SK3313		モスフェット（金属酸化物）		TO-220NIS	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル					500 V	12a（ta）	10V	620mohm @ 6a 、10V	4V @ 1MA	45 NC @ 10 V	±30V	2040 PF @ 10 V	-	40W （TC）
2SA2061	0.5000	RFQ	3	東芝の半導体と貯蔵	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				625 MW	TSM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	264-2SA2061	ear99	8541.21.0095	3,000																										20 v	2.5 a		100na（icbo）	PNP	190MV @ 53MA 、1.6a	200 @ 500MA 、2V	-
TK4R3E06PL 、S1x	1.5200	RFQ	400	東芝の半導体と貯蔵	u-mosix-h	チューブ	アクティブ		175°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3	TK4R3E06		モスフェット（金属酸化物）		TO-220	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル					60 V	80a（tc）	4.5V 、10V	7.2mohm @ 15a 、4.5V	2.5V @ 500µA	48.2 NC @ 10 V	±20V	3280 PF @ 30 V	-	87W
TDTA124E、LM	0.1800	RFQ	3	東芝の半導体と貯蔵	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	TDTA124			320 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.21.0075	3,000																										50 v	100 Ma		500na	pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	56 @ 5MA 、5V	250 MHz	22 Kohms
TPCA8047-H （T2L1後VM	-	RFQ	4456	東芝の半導体と貯蔵	u-mosvi-h	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C	表面マウント	8-POWERVDFN	TPCA8047		モスフェット（金属酸化物）		8 ソップアドバンス（5x5）	-		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル					40 v	32a（ta）	4.5V 、10V	7.3mohm @ 16a 、10V	2.3V @ 500µA	43 NC @ 10 V	±20V	3365 PF @ 10 V	-	1.6W
3SK293	0.5200	RFQ	6	東芝の半導体と貯蔵	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	12.5 v		表面マウント	SC-82A 、SOT-343	3SK293	800MHz	モスフェット		USQ	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		ear99	8541.21.0095	3,000	nチャネルデュアルゲート			30ma	10 Ma	-	22dB											2.5dB										6 v
TK2Q60D	0.9400	RFQ	6036	東芝の半導体と貯蔵	πmosvii	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK	TK2Q60		モスフェット（金属酸化物）		pw-mold2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	TK2Q60DQ	ear99	8541.29.0095	200			nチャネル					600 V	2a（ta）	10V	4.3OHM @ 1A 、10V	4.4V @ 1MA	7 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 v	-	60W （TC）
SSM3K48FU 、LF	0.3700	RFQ	22	東芝の半導体と貯蔵	u-mosiii	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		150°C	表面マウント	SC-70、SOT-323	SSM3K48		モスフェット（金属酸化物）		USM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.21.0095	3,000			nチャネル					30 V	100ma（ta）	2.5V 、4V	3.2OHM @ 10MA 、4V	1.5V @ 100µA		±20V	15.1 pf @ 3 v	-	150MW
TK12V60W 、LVQ	1.1283	RFQ	3905	東芝の半導体と貯蔵	dtmosiv	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	4-VSFN露出パッド	TK12V60		モスフェット（金属酸化物）		4-dfn-ep（8x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル					600 V	11.5a（ta）	10V	300mohm @ 5.8a 、10V	3.7V @ 600µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 PF @ 300 V	-	104W
TPCA8012-H （TE12LQM	-	RFQ	9067	東芝の半導体と貯蔵	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	8-POWERVDFN	TPCA8012		モスフェット（金属酸化物）		8 ソップアドバンス（5x5）	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル					30 V	40a（ta）	4.5V 、10V	4.9mohm @ 20a 、10V	2.5V @ 1MA	42 NC @ 10 V	±20V	3713 PF @ 10 V	-	-
TPCL4201	-	RFQ	1167	東芝の半導体と貯蔵	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	4-xflga	TPCL4201		モスフェット（金属酸化物）	500MW	4-Chip LGA （1.59x1.59）	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.21.0095	4,000	2 nチャンネル（ハーフブリッジ）							-	-		-	1.2V @ 200µA	-		720pf @ 10V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²