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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 現在 -マックス テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） @ @ if、f トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
RN2104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104MFV 0.3400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2104 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
TK14N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W5、S1F 4.3100
RFQ
 ECAD 4776 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK14N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 13.7a 10V 300mohm @ 6.9a 、10V 4.5V @ 690µA 40 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 130W
1SV277TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV277TPH3F 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-76、SOD-323 1SV277 USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 2.35pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 2.3 C1/C4 -
TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK42A12N1、S4x 1.4900
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK42A12 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 120 v 42a 10V 9.4mohm @ 21a 、10V 4V @ 1MA 52 NC @ 10 V ±20V 3100 PF @ 60 V - 35W （TC）
TRS8A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8A65F 、S1Q 3.6600
RFQ
 ECAD 139 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2フルパック TRS8A65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220F-2L - ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.6 V @ 8 a 0 ns 40 µA @ 650 v 175°C （最大） 8a 28pf @ 650V、1MHz
TPC6012(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012 -
RFQ
 ECAD 5714 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6012 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 6a（ta） 2.5V 、4.5V 20mohm @ 3a 、4.5v 1.2V @ 200µA 9 NC @ 5 V ±12V 630 PF @ 10 V - 700MW
RN2911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2911 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2911 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
RN4987FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4987fe 0.3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4987 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 10kohms 47kohms
TK16E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W5、S1VX 3.1200
RFQ
 ECAD 9278 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK16E60 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 15.8a 10V 230mohm @ 7.9a 、10V 4.5V @ 790µA 43 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 130W
RN2104,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104 0.2000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2104 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN2708,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2708 、LF 0.3100
RFQ
 ECAD 1502 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2708 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
RN1110,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1110 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1110 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV 、L3F 0.2300
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3J35 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 pチャネル 20 v 100ma（ta） 8OHM @ 50MA 、4V - 12.2 pf @ 3 v - 150MW
RN4901,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901 0.4400
RFQ
 ECAD 6357 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4901 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 4.7kohms 4.7kohms
JDP4P02AT(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage jdp4p02at（TE85L） -
RFQ
 ECAD 5762 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 4-SMD 、リードなし JDP4P02 CST4（1.2x0.8） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 50 Ma 0.4pf @ 1V、1MHz ピン-2独立 30V 1.5OHM @ 10MA 、100MHz
GT40RR21(STA1,E Toshiba Semiconductor and Storage GT40RR21 3.6500
RFQ
 ECAD 1369 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 GT40RR21 標準 230 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 280V 、40A 、10OHM 、20V 600 ns - 1200 v 40 a 200 a 2.8V @ 15V 、40a -、540µJ -
RN1108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1108 0.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1108 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
HN1C01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage hn1c01fu-y、lxhf 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1C01 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
T2N7002BK,LM Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002BK 、LM 0.1700
RFQ
 ECAD 187 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 T2N7002 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 400ma（ta） 4.5V 、10V 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±20V 40 pf @ 10 v - 320MW
TPCA8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8003-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 4120 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8003 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 35a（ta） 4.5V 、10V 6.6mohm @ 18a 、10V 2.3V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±20V 1465 PF @ 10 V - 1.6W
CRG02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crg02（TE85L -
RFQ
 ECAD 1132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-123F CRG02 標準 s-flat（1.6x3.5） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 700 Ma 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 700MA -
2SK4017(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4017 -
RFQ
 ECAD 1117 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK 2SK4017 モスフェット（金属酸化物） pw-mold2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 200 nチャネル 60 V 5a（ta） 4V 、10V 100mohm @ 2.5a 、10V 2.5V @ 1MA 15 NC @ 10 V ±20V 730 PF @ 10 V - 20W （TC）
RN1117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1117mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1117 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
CMS16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS16 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS16 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 3 a 200 µA @ 40 V -40°C〜150°C 3a -
SSM6J409TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J409TU -
RFQ
 ECAD 3544 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J409 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 9.5a（ta） 1.5V 、4.5V 22.1mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 15 NC @ 4.5 v ±8V 1100 PF @ 10 V - 1W
RN2964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2964fe -
RFQ
 ECAD 1932年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2964 100MW ES6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
TPC8110(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8110 -
RFQ
 ECAD 6368 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8110 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 40 v 8a（ta） 4V 、10V 25mohm @ 4a 、10V 2V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±20V 2180 PF @ 10 V - 1W
2SA1425-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1425-Y 、T2F （J -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SA1425 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） PNP 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
TPH2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH 、L1Q 1.6200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH2010 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 250 v 5.6a（ta） 10V 198mohm @ 2.8a 、10V 4V @ 200µA 7 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 100 V - 1.6W
CRS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40A 0.4700
RFQ
 ECAD 3740 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS10I40 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 40 v 490 mV @ 700 Ma 60 µA @ 40 V 150°C （最大） 1a 35pf @ 10V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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