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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
2SC5095-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5095-O -
RFQ
 ECAD 3191 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC5095 100MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 13db〜7db 10V 15ma npn 80 @ 7MA 、6V 10GHz 1.8db @ 2GHz
TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Tk3p50d 1.1700
RFQ
 ECAD 6966 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK3P50 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 500 V 3a（ta） 10V 3OHM @ 1.5A 、10V 4.4V @ 1MA 7 NC @ 10 V ±30V 280 pf @ 25 v - 60W （TC）
TK6R9P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6R9P08QM 1.1400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 80 v 62a（tc） 6V 、10V 6.9mohm @ 31a 、10V 3.5V @ 500µA 39 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 40 V - 89W
2SK3670(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670 -
RFQ
 ECAD 3113 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK3670 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 670ma
TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P60W5 、RVQ 1.5900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK8P60 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 8a（ta） 10V 560mohm @ 4a 、10V 4.5V @ 400µA 22 NC @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 v - 80W
TK3R1A04PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1A04PL 、S4x 1.2700
RFQ
 ECAD 3177 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK3R1A04 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 40 v 82a（tc） 4.5V 、10V 3.8mohm @ 30a 、4.5V 2.4V @ 500µA 63.4 NC @ 10 V ±20V 4670 PF @ 20 V - 36W （TC）
TK11A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A50D 2.1600
RFQ
 ECAD 3743 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK11A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 11a（ta） 10V 600mohm @ 5.5a 、10V 4V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 PF @ 25 V - 45W
SSM3K56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56ACT、L3F 0.4700
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K56 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 1.4a（ta） 1.5V 、4.5V 235mohm @ 800ma 、4.5V 1V @ 1MA 1 NC @ 4.5 v ±8V 55 PF @ 10 V - 500MW
TK7Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7Q60W、S1VQ 2.1200
RFQ
 ECAD 4963 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TK7Q60 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 600 V 7a（ta） 10V 600mohm @ 3.5a 、10V 3.7V @ 350µA 15 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 300 v - 60W （TC）
SSM6K818R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K818R 、LF 0.7000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K818 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 15a（ta） 4.5V 、10V 12mohm @ 4a 、4.5V 2.1V @ 100µA 7.5 NC @ 4.5 v ±20V 1130 PF @ 15 V - 1.5W
2SA2070(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2070 0.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2SA2070 1 W pw-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 50 v 1 a 100na（icbo） PNP 200mv @ 10ma、300ma 200 @ 100MA 、2V -
2SA1832-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-Y 、LF 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 2SA1832 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
TTC011B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTC011B -
RFQ
 ECAD 1962年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ TTC011 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 250
SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56MFV、L3F 0.4500
RFQ
 ECAD 490 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3J56 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 pチャネル 20 v 800ma（ta） 1.2V 、4.5V 390mohm @ 800ma 、4.5v - ±8V 100 pf @ 10 v - 150MW
2SC2235(T6KMAT,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235 -
RFQ
 ECAD 3473 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
TK290A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK290A65Y 、S4x 1.9600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK290A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 11.5a 10V 290mohm @ 5.8a 、10V 4V @ 450µA 25 NC @ 10 V ±30V 730 pf @ 300 v - 35W （TC）
RN2909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2909 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
SSM3J378R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J378R 、LXHF 0.5000
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 29.8mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 840 PF @ 10 V - 1W
RN1102T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102T5LFT -
RFQ
 ECAD 1640 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1102 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
2SC3328-O,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3328-O -
RFQ
 ECAD 3158 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC3328 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 80 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SD2257,KEHINQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257 -
RFQ
 ECAD 4854 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SD2257 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 100 V 3 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1.5MA、1.5a 2000 @ 2a 、2V -
DSR01S30SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSR01S30SL 、L3F 0.3500
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし DSR01S30 ショットキー SL2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 620 mV @ 100 Ma 700 Na @ 30 V 125°C （最大） 100mA 8.2pf @ 0V、1MHz
2SA1428-Y(T2TR,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-y（t2tr、a f -
RFQ
 ECAD 4372 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SA1428 900 MW MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TTC009,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TTC009 -
RFQ
 ECAD 3543 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TTC009 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 80 v 3 a 100na（icbo） npn 500MV @ 100MA、1a 100 @ 500MA 、5V 150MHz
RN1911FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1911 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
2SA1020-O,T6CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O -
RFQ
 ECAD 8987 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TPH4R10ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R10ANL 、L1Q 1.6500
RFQ
 ECAD 7346 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH4R10 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 92a 4.5V 、10V 4.1mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 1MA 75 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 50 V - 2.5W
RN1962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1962fe 0.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1962 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 10kohms
TTB1067B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTB1067b -
RFQ
 ECAD 8529 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ TTB1067 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 250
RN2405,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn2405、lf 0.2200
RFQ
 ECAD 1371 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2405 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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