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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
1SS193,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS193、Lf 0.2200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS193 標準 s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大） 100mA 3PF @ 0V、1MHz
TK12E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK12E60W、S1VX 3.4000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK12E60 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 11.5a（ta） 10V 300mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 110W
DSR01S30SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DSR01S30SC（TPL3 -
RFQ
 ECAD 1993年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 0201 （0603 メトリック） DSR01S30 ショットキー SC2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 620 mV @ 100 Ma 700 µA @ 30 V 125°C （最大） 100mA 8.2pf @ 0V、1MHz
TPH1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110ENH 、L1Q 0.6941
RFQ
 ECAD 3205 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1110 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 200 v 7.2a（ta） 10V 114mohm @ 3.6a 、10V 4V @ 200µA 7 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 100 V - 1.6W
2SA949-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y （TE6 -
RFQ
 ECAD 6398 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA949 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） PNP 800mv @ 1ma 、10a 70 @ 10ma 、5v 120MHz
SSM3J334R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J334R 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 208 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J334 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 4a（ta） 4V 、10V 71mohm @ 3a 、10V 2V @ 100µA 5.9 NC @ 10 V ±20V 280 PF @ 15 V - 1W
CRS09(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS09 （TE85L -
RFQ
 ECAD 9473 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 表面マウント SOD-123F CRS09 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 460 mV @ 1.5 a 50 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1.5a -
CTS05S40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS05S40 、L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-882 CTS05S40 ショットキー CST2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 40 v 350 mV @ 100 Ma 30 µA @ 10 V 125°C （最大） 500mA 42pf @ 0V、1MHz
TPC8133,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8133 1.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8133 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 40 v 9a（ta） 4.5V 、10V 15mohm @ 4.5a 、10V 2V @ 500µA 64 NC @ 10 V +20V、-25V 2900 PF @ 10 V - 1W
TK10A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80W、S4x 2.8400
RFQ
 ECAD 4462 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK10A80 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 9.5a（ta） 10V 550mohm @ 4.8a 、10V 4V @ 450µA 19 NC @ 10 V ±20V 1150 pf @ 300 v - 40W （TC）
RN2305(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2305 0.2700
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2305 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
TBC847B,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBC847B 、LM 0.1600
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 TBC847 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 Ma 30NA npn 400MV @ 100MA 、5MA 200 @ 2MA 、5V 100MHz
2SC4682,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4682 、T6f（j -
RFQ
 ECAD 4429 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC4682 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 15 V 3 a 1µa（icbo） npn 500MV @ 30MA、3a 800 @ 500MA、1V 150MHz
SSM6N35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35FE 、LM 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6N35 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 180ma 3OHM @ 50MA 、4V 1V @ 1MA - 9.5pf @ 3V ロジックレベルゲート
1SS184S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 1SS184S -
RFQ
 ECAD 3056 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-236-3 1SS184 標準 s-mini ダウンロード 1 （無制限） 1SS184SLF d ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
RN4988(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4988 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4988 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 22kohms 47kohms
RN1907,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1907 、LF -
RFQ
 ECAD 3239 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1907 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 47kohms
SSM3J321T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm3j321t -
RFQ
 ECAD 4337 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3J321 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.2a（ta） 1.5V 、4.5V 46mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 8.1 NC @ 4.5 v ±8V 640 PF @ 10 V - 700MW
CRG07(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG07 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRG07 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 700 Ma 10 µA @ 400 V 175°C （最大） 700MA -
RN2306,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2306 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2306 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
RN1417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1417 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 3196 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1417 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
2SC4116-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-GR 、LXHF 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
RN2904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2904 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
1SS397TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS397TE85LF 0.4100
RFQ
 ECAD 8305 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS397 標準 SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 400 V 1.3 V @ 100 MA 500 ns 1 µA @ 400 V 125°C （最大） 100mA 5PF @ 0V、1MHz
TPN11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006NL 、LQ 0.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN11006 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 17a（tc） 4.5V 、10V 11.4mohm @ 8.5a 、10V 2.5V @ 200µA 23 NC @ 10 V ±20V 2000 PF @ 30 V - 700MW
RN2315TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2315TE85LF 0.3000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2315 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
RN1104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1104ACT （TPL3 -
RFQ
 ECAD 2761 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1104 100 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 47 Kohms 47 Kohms
TPC6104(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6104 -
RFQ
 ECAD 7275 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6104 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.5a（ta） 1.8V 、4.5V 40mohm @ 2.8a 、4.5V 1.2V @ 200µA 19 NC @ 5 V ±8V 1430 pf @ 10 v - 700MW
2SC2655-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-O -
RFQ
 ECAD 3435 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SA949-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-y、f（j -
RFQ
 ECAD 1766 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA949 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） PNP 800mv @ 1ma 、10a 70 @ 10ma 、5v 120MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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196-LFBGA露出パッド

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