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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TTC009,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TTC009 -
RFQ
 ECAD 3543 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TTC009 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 80 v 3 a 100na（icbo） npn 500MV @ 100MA、1a 100 @ 500MA 、5V 150MHz
RN1911FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1911 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
2SA1020-O,T6CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O -
RFQ
 ECAD 8987 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TPH4R10ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R10ANL 、L1Q 1.6500
RFQ
 ECAD 7346 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH4R10 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 92a 4.5V 、10V 4.1mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 1MA 75 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 50 V - 2.5W
RN1962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1962fe 0.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1962 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 10kohms
TTB1067B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTB1067b -
RFQ
 ECAD 8529 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ TTB1067 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 250
RN2405,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn2405、lf 0.2200
RFQ
 ECAD 1371 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2405 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
RN1110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1110ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 2591 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1110 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 300 @ 1MA 、5V 4.7 Kohms
RN1503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1503 0.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN1503 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 22kohms
TW070J120B,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TW070J120B 、S1Q 32.4200
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TW070J120 sicfet （炭化シリコン） to-3p ダウンロード 1 （無制限） 264-TW070J120BS1Q ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 1200 v 36a（tc） 20V 90mohm @ 18a 、20V 5.8V @ 20MA 67 NC @ 20 V ±25V、 -10V 1680 pf @ 800 v 標準 272W
TBAT54C,LM Toshiba Semiconductor and Storage tbat54c、lm 0.2100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TBAT54 ショットキー SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 30 V 140ma 580 mV @ 100 Ma 1.5 ns 2 µA @ 25 V 150°C （最大）
CLS01(T6LSONY,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS01 -
RFQ
 ECAD 6695 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS01 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 30 V 470 mV @ 10 a 1 mA @ 30 v -40°C〜125°C 10a 530pf @ 10V、1MHz
RN2503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2503 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN2503 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 22kohms
RN1114(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn1114 -
RFQ
 ECAD 5709 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1114 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 1 KOHMS 10 Kohms
2SA1837,HFEYHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 -
RFQ
 ECAD 6958 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1837 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 70MHz
RN1114,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn1114、lf 0.2000
RFQ
 ECAD 7018 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1114 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 1 KOHMS 10 Kohms
RN1707,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1707 、LF 0.3000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN1707 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 47kohms
CMS07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS07 0.1916
RFQ
 ECAD 2620 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS07 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mv @ 2 a 500 µA @ 30 V -40°C〜150°C 2a -
RN1906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1906 lf -
RFQ
 ECAD 4453 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1906 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 47kohms
CMH05A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH05A -
RFQ
 ECAD 6271 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-128 CMH05A 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 400 V 1.8 V @ 1 a 35 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 1a -
RN2710JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2710je 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2710 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms -
RN2903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2903 0.2800
RFQ
 ECAD 3513 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2903 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 22kohms
TK100E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK100E10N1、S1x 3.9800
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK100E10 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 100a（ta） 10V 3.4mohm @ 50a 、10V 4V @ 1MA 140 NC @ 10 V ±20V 8800 PF @ 50 V - 255W
RN1906,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1906 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 47kohms
2SC1627A-Y,PASF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC1627a-y、pasf（m -
RFQ
 ECAD 4598 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC1627 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 80 v 400 Ma 100na（icbo） npn 400MV @ 20MA 、200A 70 @ 50ma 、2V 100MHz
TPCF8201(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8201 -
RFQ
 ECAD 6558 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCF8201 モスフェット（金属酸化物） 330MW vs-8（2.9x1.5 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 3a 49mohm @ 1.5a 、4.5V 1.2V @ 200µA 7.5NC @ 5V 590pf @ 10V ロジックレベルゲート
CRZ33(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz33（TE85L -
RFQ
 ECAD 7181 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ33 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 26.4 v 33 v 30オーム
RN1113(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113 0.0305
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1113 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
RN1105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1105 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1105 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
2SA1586SU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586SU-Y 、LF -
RFQ
 ECAD 4878 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SA1586 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 70 @ 2MA 、6V 80MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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