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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
RN2904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2904 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
TK22A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A10N1、S4x 1.4100
RFQ
 ECAD 4640 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK22A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 22a（tc） 10V 13.8mohm @ 11a 、10v 4V @ 300µA 28 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 50 v - 30W （TC）
CTS521,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS521 、L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 191 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-882 CTS521 ショットキー CST2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 30 V 500 mV @ 200 mA 30 µA @ 30 V 125°C （最大） 200mA 25pf @ 0V、1MHz
1SS397TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS397TE85LF 0.4100
RFQ
 ECAD 8305 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS397 標準 SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 400 V 1.3 V @ 100 MA 500 ns 1 µA @ 400 V 125°C （最大） 100mA 5PF @ 0V、1MHz
TRS6E65C,S1AQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS6E65C、S1AQ -
RFQ
 ECAD 2406 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 TRS6E65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 6 a 0 ns 90 µA @ 650 v 175°C （最大） 6a 35pf @ 650v、1MHz
SSM3K335R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K335R 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K335 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 6a（ta） 4.5V 、10V 38mohm @ 4a、10V 2.5V @ 100µA 2.7 NC @ 4.5 v ±20V 340 PF @ 15 V - 1W
RN1104MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV 0.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1104 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 47 Kohms 47 Kohms
RN1106MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV 、L3F 0.1600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1106 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 47 Kohms
2SA1837,S1CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 -
RFQ
 ECAD 1678 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1837 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 70MHz
CUS15S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS15S30 、H3F 0.3500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS15S30 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 400 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V 125°C （最大） 1.5a 200PF @ 0V、1MHz
SSM4K27CTTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage SSM4K27CTTPL3 -
RFQ
 ECAD 8402 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 4-SMD 、リードなし SSM4K27 モスフェット（金属酸化物） CST4（1.2x0.8） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 500ma（ta） 1.8V 、4V 205mohm @ 250ma 、4V 1.1V @ 1MA ±12V 174 pf @ 10 v - 400MW
1SS385FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS385FV、L3F 0.2400
RFQ
 ECAD 157 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 1SS385 ショットキー vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 10 v 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C （最大） 100mA 20pf @ 0V、1MHz
HN4B04J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn4b04j（TE85L -
RFQ
 ECAD 8248 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 HN4B04 300MW SMV - 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 100µa（icbo） NPN、PNP 250MV @ 10MA 、100mA 70 @ 100MA、1V 200MHz
TK16A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W、S4VX 2.9700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK16A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 15.8a 10V 190mohm @ 7.9a 、10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 40W （TC）
TTD1409B,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TTD1409B 、S4x 1.6000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TTD1409 2 W TO-220SIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 400 V 6 a 20µa（icbo） npn-ダーリントン 2V @ 40ma 、4a 600 @ 2a 、2V -
TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R506PL 、L1Q 1.6300
RFQ
 ECAD 8490 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH2R506 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 100a（tc） 4.5V 、10V 4.4mohm @ 30a 、4.5V 2.5V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 5435 PF @ 30 V - 132W
RN1106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1106 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
SSM3J377R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J377R 、LXHF 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 3.9a（ta） 1.5V 、4.5V 93mohm @ 1.5a 、4.5V 1V @ 1MA 4.6 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 290 PF @ 10 V - 1W
CRS15I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I30B （TE85L、QM 0.1292
RFQ
 ECAD 7231 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS15I30 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 400 mV @ 1.5 a 100 µA @ 30 V 150°C （最大） 1.5a 82pf @ 10V、1MHz
TRS12V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS12V65H 、LQ 3.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 4-VSFN露出パッド sic （炭化シリコン）ショットキー 4-dfn-ep（8x8） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 2,500 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 12 a 0 ns 120 µA @ 650 v 175°C 12a 778pf @ 1V、1MHz
SSM6K810R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R 、LF 0.6300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K810 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 100 V 3.5a（ta） 4.5V 、10V 69mohm @ 2a 、10V 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 v ±20V 430 PF @ 15 V - 1.5W
RN4903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4903 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 22kohms 22kohms
TRS12E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65H、S1Q 3.2700
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TRS12E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 12 a 0 ns 120 µA @ 650 v 175°C 12a 778pf @ 1V、1MHz
RN2711,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2711 、LF 0.3000
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2711 200mw USV ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
TPW3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW3R70APL 、L1Q 2.9000
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 90a 4.5V 、10V 3.7mohm @ 45a 、10V 2.5V @ 1MA 67 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 50 V - 960MW
CRS10I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage crs10i30b 0.4100
RFQ
 ECAD 9920 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 420 mv @ 1 a 60 µA @ 30 V 150°C 1a 50pf @ 10V、1MHz
CUS357,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS357 、H3F 0.1900
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS357 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大） 100mA 11pf @ 0V、1MHz
TPC8125,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8125 0.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8125 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 30 V 10a（ta） 4.5V 、10V 13mohm @ 5a 、10V 2V @ 500µA 64 NC @ 10 V +20V、-25V 2580 PF @ 10 V - 1W
CUHS15F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F40 、H3F 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs15 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 630 mV @ 1.5 a 50 µA @ 40 V 150°C （最大） 1.5a 130pf @ 0V、1MHz
2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4215-y（te85l 0.4900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC4215 100MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 17db〜23db 30V 20ma npn 100 @ 1MA 、6V 550MHz 2db〜5db @ 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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