SIC
close

離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
SSM6K810R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R 、LF 0.6300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K810 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 100 V 3.5a（ta） 4.5V 、10V 69mohm @ 2a 、10V 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 v ±20V 430 PF @ 15 V - 1.5W
RN4903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4903 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 22kohms 22kohms
TRS12E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65H、S1Q 3.2700
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TRS12E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 12 a 0 ns 120 µA @ 650 v 175°C 12a 778pf @ 1V、1MHz
RN2711,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2711 、LF 0.3000
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2711 200mw USV ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
TPW3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW3R70APL 、L1Q 2.9000
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 90a 4.5V 、10V 3.7mohm @ 45a 、10V 2.5V @ 1MA 67 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 50 V - 960MW
CRS10I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage crs10i30b 0.4100
RFQ
 ECAD 9920 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 420 mv @ 1 a 60 µA @ 30 V 150°C 1a 50pf @ 10V、1MHz
CUS357,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS357 、H3F 0.1900
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS357 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大） 100mA 11pf @ 0V、1MHz
TPC8125,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8125 0.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8125 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 30 V 10a（ta） 4.5V 、10V 13mohm @ 5a 、10V 2V @ 500µA 64 NC @ 10 V +20V、-25V 2580 PF @ 10 V - 1W
CUHS15F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F40 、H3F 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs15 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 630 mV @ 1.5 a 50 µA @ 40 V 150°C （最大） 1.5a 130pf @ 0V、1MHz
2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4215-y（te85l 0.4900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC4215 100MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 17db〜23db 30V 20ma npn 100 @ 1MA 、6V 550MHz 2db〜5db @ 100MHz
RN2903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2903 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2903 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 22kohms
TK6R7A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK6R7A10PL 、S4x 1.5200
RFQ
 ECAD 2989 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK6R7A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 56a（tc） 4.5V 、10V 6.7mohm @ 28a 、10V 2.5V @ 500µA 58 NC @ 10 V ±20V 3455 PF @ 50 V - 42W
RN1109MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1109MFV 、L3F -
RFQ
 ECAD 2875 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1109 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 70 @ 10ma 、5v 47 Kohms 22 Kohms
TK58E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK58E06N1、S1X 1.4600
RFQ
 ECAD 7818 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK58E06 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 58a（ta） 10V 5.4mohm @ 29a 、10V 4V @ 500µA 46 NC @ 10 V ±20V 3400 PF @ 30 V - 110W
SSM6N951L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N951L eff 0.9900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 6-SMD 、リードなし SSM6N951 モスフェット（金属酸化物） - 6-TCSPA （2.14x1.67） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 10,000 2 nチャネル（デュアル）共通ドレイン 12V 8a 5.1mohm @ 8a 、4.5V - - - -
HN2S02JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn2s02je（TE85L 0.4800
RFQ
 ECAD 3286 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 HN2S02 ショットキー ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2独立 40 v 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大）
RN1905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1905 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 2.2kohms 47kohms
RN4910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4910 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4910 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 、250MHz 4.7kohms -
RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn2906 lf 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2906 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 47kohms
TK40A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK40A06N1、S4x 1.2300
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK40A06 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 40a（tc） 10V 10.4mohm @ 20a 、10v 4V @ 300µA 23 NC @ 10 V ±20V 1700 pf @ 30 v - 30W （TC）
2SK3388(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3388 -
RFQ
 ECAD 7495 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-97 2SK3388 モスフェット（金属酸化物） 4-TFP （9.2x9.2 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 250 v 20a（ta） 10V 105mohm @ 10a 、10V 3.5V @ 1MA 100 NC @ 10 V ±20V 4000 pf @ 10 V - 125W
TK9A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK9A90E、S4x 2.2100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosviii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK9A90 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 900 V 9a（ta） 10V 1.3OHM @ 4.5A 、10V 4V @ 900µA 46 NC @ 10 V ±30V 2000 PF @ 25 V - 50W （TC）
TK16E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W、S1VX 2.8600
RFQ
 ECAD 4631 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK16E60 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 15.8a 10V 190mohm @ 7.9a 、10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 130W
2SA1869-Y(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-y（q 、m） -
RFQ
 ECAD 1659 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1869 10 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 3 a 1µa（icbo） PNP 600mv @ 200ma 、2a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TRS16N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65D、S1F -
RFQ
 ECAD 6491 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 穴を通して TO-247-3 TRS16N ショットキー TO-247 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 650 V 8a（dc） 1.7 V @ 8 a 90 µA @ 650 v 175°C （最大）
GT20J341,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage GT20J341 2.0600
RFQ
 ECAD 7000 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 標準 45 W TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 300V 、20A、 33OHM、15V 90 ns - 600 V 20 a 80 a 2V @ 15V、 20a 500µj（オン）、400µj（オフ） 60ns/240ns
RN1104T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104T5LFT 0.3800
RFQ
 ECAD 528 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1104 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
TK100S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L lq 2.8100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK100S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 100a（ta） 4.5V 、10V 2.3mohm @ 50a 、10V 2.5V @ 500µA 76 NC @ 10 V ±20V 5490 PF @ 10 V - 100W （TC）
1SS392,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS392、LF 0.3600
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS392 ショットキー SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 40 v 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大）
TRS20N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS20N65D s1f -
RFQ
 ECAD 9963 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 穴を通して TO-247-3 TRS20N ショットキー TO-247 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 650 V 10a （dc） 1.7 V @ 10 a 90 µA @ 650 v 175°C （最大）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます