SIC
close

離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN1304,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1304 、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 8205 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1304 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
TTC4116FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTC4116FU 、LF 0.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 TTC4116 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
2SK3868(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3868 -
RFQ
 ECAD 4652 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SK3868 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 5a（ta） 10V 1.7OHM @ 2.5A 、10V 4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 550 PF @ 25 V - 35W （TC）
CRG03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crg03（TE85L -
RFQ
 ECAD 5772 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-123F CRG03 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） CRG03 ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1 V @ 1 a 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 1a -
2SK1119(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1119 -
RFQ
 ECAD 6890 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 2SK1119 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 1000 V 4a（ta） 10V 3.8OHM @ 2A 、10V 3.5V @ 1MA 60 NC @ 10 V ±20V 700 PF @ 25 V - 100W （TC）
TRS20N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS20N65D s1f -
RFQ
 ECAD 9963 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 穴を通して TO-247-3 TRS20N ショットキー TO-247 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 650 V 10a （dc） 1.7 V @ 10 a 90 µA @ 650 v 175°C （最大）
DSF01S30SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC（TPL3 -
RFQ
 ECAD 1853 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 0201 （0603 メトリック） DSF01S30 ショットキー SC2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 100mA 9.3pf @ 0V、1MHz
1SS392,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS392、LF 0.3600
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS392 ショットキー SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 40 v 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大）
2SA1869-Y(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-y（q 、m） -
RFQ
 ECAD 1659 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1869 10 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 3 a 1µa（icbo） PNP 600mv @ 200ma 、2a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SB1457,T6YMEF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457 -
RFQ
 ECAD 5204 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SB1457 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 100 V 2 a 10µa（icbo） PNP 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 50MHz
RN1104T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104T5LFT 0.3800
RFQ
 ECAD 528 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1104 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
TK100S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L lq 2.8100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK100S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 100a（ta） 4.5V 、10V 2.3mohm @ 50a 、10V 2.5V @ 500µA 76 NC @ 10 V ±20V 5490 PF @ 10 V - 100W （TC）
TRS16N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65D、S1F -
RFQ
 ECAD 6491 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 穴を通して TO-247-3 TRS16N ショットキー TO-247 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 650 V 8a（dc） 1.7 V @ 8 a 90 µA @ 650 v 175°C （最大）
GT20J341,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage GT20J341 2.0600
RFQ
 ECAD 7000 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 標準 45 W TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 300V 、20A、 33OHM、15V 90 ns - 600 V 20 a 80 a 2V @ 15V、 20a 500µj（オン）、400µj（オフ） 60ns/240ns
SSM3K122TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K122TU 、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K122 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 2a（ta） 1.5V 、4V 123mohm @ 1a 、4v 1V @ 1MA 3.4 NC @ 4 V ±10V 195 pf @ 10 v - 500MW
TK8A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A50D 1.6800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK8A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 8a（ta） 10V 850mohm @ 4a 、10V 4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 800 PF @ 25 V - 40W （TC）
2SJ438(CANO,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438 -
RFQ
 ECAD 8364 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-220-3フルパック 2SJ438 TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 5a（tj）
RN1115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1115mfv、l3f 0.0261
RFQ
 ECAD 9911 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 表面マウント SOT-723 RN1115 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
SSM3K72KFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72KFS 、LF 0.2100
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-75、SOT-416 SSM3K72 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 300ma（ta） 4.5V 、10V 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±20V 40 pf @ 10 v - 150MW
HN2D03F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2D03F （TE85L 0.6000
RFQ
 ECAD 8812 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 HN2D03 標準 SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 3独立 400 V 100mA 1.3 V @ 100 MA 500 ns 100 µA @ 400 V 150°C （最大）
TBAV99,LM Toshiba Semiconductor and Storage tbav99 、lm 0.2000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TBAV99 標準 SOT-23-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 80 v 100mA 1.25 V @ 150 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
SSM3K15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15FS 、LF -
RFQ
 ECAD 2330 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 SSM3K15 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 4OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA ±20V 7.8 PF @ 3 V - 200MW
TK62N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W、S1VF 16.4000
RFQ
 ECAD 6481 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK62N60 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 61.8a 10V 40mohm @ 30.9a 、10V 3.7V @ 3.1MA 180 NC @ 10 V ±30V 6500 PF @ 300 V - 400W （TC）
GT30J121(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT30J121 3.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 GT30J121 標準 170 w to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 300V、30A 、24OHM15V - 600 V 30 a 60 a 2.45V @ 15V、30a 1mj （オン）、800µj 90ns/300ns
RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1905 、LF -
RFQ
 ECAD 6546 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1905 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 2.2kohms 47kohms
2SC2712-BL,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-BL 、LXHF 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント TO-236-3 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 350 @ 2MA 、6V 80MHz
SSM3K36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36TU 、LF 0.3600
RFQ
 ECAD 2021 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K36 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 500ma（ta） 1.5V 、5V 630mohm @ 200ma 、5v 1V @ 1MA 1.23 NC @ 4 V ±10V 46 PF @ 10 V - 800MW
SSM3K16FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FV 、L3F 0.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-723 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 1.5V 、4V 3OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA ±10V 9.3 PF @ 3 V - 150MW
SSM3K302T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K302T （TE85L -
RFQ
 ECAD 9175 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3K302 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 3a（ta） 1.8V 、4V 71mohm @ 2a 、4v - 4.3 NC @ 4 V ±12V 270 pf @ 10 v - 700MW
TK7A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A65W、S5x 1.6700
RFQ
 ECAD 2976 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK7A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 6.8a（ta） 10V 780mohm @ 3.4a 、10V 3.5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 300 v - 30W （TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます