SIC
close

離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
2SC4682,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4682 、T6f（j -
RFQ
 ECAD 4429 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC4682 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 15 V 3 a 1µa（icbo） npn 500MV @ 30MA、3a 800 @ 500MA、1V 150MHz
CRS09(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS09 （TE85L -
RFQ
 ECAD 9473 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 表面マウント SOD-123F CRS09 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 460 mV @ 1.5 a 50 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1.5a -
RN4988(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4988 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4988 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 22kohms 47kohms
TPC8133,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8133 1.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8133 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 40 v 9a（ta） 4.5V 、10V 15mohm @ 4.5a 、10V 2V @ 500µA 64 NC @ 10 V +20V、-25V 2900 PF @ 10 V - 1W
CTS05S40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS05S40 、L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-882 CTS05S40 ショットキー CST2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 40 v 350 mV @ 100 Ma 30 µA @ 10 V 125°C （最大） 500mA 42pf @ 0V、1MHz
TPC6010-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6010-H （TE85L 、FM -
RFQ
 ECAD 7814 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6010 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 6.1a（ta） 4.5V 、10V 59mohm @ 3.1a 、10V 2.3V @ 100µA 12 NC @ 10 V ±20V 830 PF @ 10 V - 700MW
CLH06(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh06 -
RFQ
 ECAD 7267 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH06 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 300 V 35 ns - 5a -
TPC8212-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage TPC8212-H -
RFQ
 ECAD 9667 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8212 モスフェット（金属酸化物） 450MW 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 6a 21mohm @ 3a 、10V 2.3V @ 1MA 16NC @ 10V 840pf @ 10V ロジックレベルゲート
TK8A50DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A50DA 1.6000
RFQ
 ECAD 2557 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK8A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 7.5a（ta） 10V 1.04OHM @ 3.8A 、10V 4.4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 700 PF @ 25 V - 35W （TC）
2SC2655-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y（ 6MBH1、AF -
RFQ
 ECAD 2308 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN1105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1105 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1105 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
RN2903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2903 0.2800
RFQ
 ECAD 3513 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2903 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 22kohms
RN1607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1607 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1607 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 47kohms
RN1906,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1906 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 47kohms
1SS184S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 1SS184S -
RFQ
 ECAD 3056 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-236-3 1SS184 標準 s-mini ダウンロード 1 （無制限） 1SS184SLF d ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
CRZ33(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz33（TE85L -
RFQ
 ECAD 7181 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ33 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 26.4 v 33 v 30オーム
RN1113(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113 0.0305
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1113 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
HN1A01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1a01fu-gr、lf 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1A01 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
2SC1627A-Y,PASF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC1627a-y、pasf（m -
RFQ
 ECAD 4598 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC1627 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 80 v 400 Ma 100na（icbo） npn 400MV @ 20MA 、200A 70 @ 50ma 、2V 100MHz
2SA949-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y （TE6 -
RFQ
 ECAD 6398 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA949 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） PNP 800mv @ 1ma 、10a 70 @ 10ma 、5v 120MHz
SSM3K7002BSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BSU 、LF -
RFQ
 ECAD 7505 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 SSM3K7002 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 200ma（ta） 4.5V 、10V 2.1OHM @ 500MA 、10V 3.1V @ 250µA ±20V 17 pf @ 25 v - 150MW
TPH1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110ENH 、L1Q 0.6941
RFQ
 ECAD 3205 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1110 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 200 v 7.2a（ta） 10V 114mohm @ 3.6a 、10V 4V @ 200µA 7 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 100 V - 1.6W
HN2C01FU-GR(T5L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn2c01fu-gr 0.0865
RFQ
 ECAD 5142 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN2C01 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
2SA1586SU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586SU-Y 、LF -
RFQ
 ECAD 4878 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SA1586 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 70 @ 2MA 、6V 80MHz
2SC5085-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-O -
RFQ
 ECAD 7025 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC5085 100MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80ma npn 80 @ 20ma 、10V 7GHz 1DB @ 500MHz
CMS03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS03 0.6600
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS03 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 3 a 500 µA @ 30 V -40°C〜150°C 3a -
TK100E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK100E10N1、S1x 3.9800
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK100E10 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 100a（ta） 10V 3.4mohm @ 50a 、10V 4V @ 1MA 140 NC @ 10 V ±20V 8800 PF @ 50 V - 255W
TK12E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK12E60W、S1VX 3.4000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK12E60 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 11.5a（ta） 10V 300mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 110W
1SS193,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS193、Lf 0.2200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS193 標準 s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大） 100mA 3PF @ 0V、1MHz
SSM6N43FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N43FU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N43 モスフェット（金属酸化物） 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 500mA 630mohm @ 200ma 、5v 1V @ 1MA 1.23NC @ 4V 46pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます