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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
2SC2235-Y,USNHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y usnhf（m -
RFQ
 ECAD 6441 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1115 0.2000
RFQ
 ECAD 633 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1115 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
RN1105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1105ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 8471 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1105 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 10MA 、5V 2.2 KOHMS 47 Kohms
2SC2383-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-y、t6kehf（ m -
RFQ
 ECAD 1154 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2383 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 160 v 1 a 1µa（icbo） npn 1.5V @ 50ma 、500ma 60 @ 200ma 、5v 100MHz
SSM3J374R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J374R 、LF 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J374 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 4a（ta） 4V 、10V 71mohm @ 3a 、10V 2V @ 100µA 5.9 NC @ 10 V +10V、-20V 280 PF @ 15 V - 1W
2SC3668-Y,F2PANF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3668-y、f2panf（j -
RFQ
 ECAD 1899 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC3668 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN1606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1606 0.4200
RFQ
 ECAD 390 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1606 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 47kohms
RN1112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1112act（tpl3） 0.3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1112 100 MW CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 22 Kohms
2SA2060(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2060 -
RFQ
 ECAD 9451 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - 箱 アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1 W pw-mini ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 50 v 2 a 100na（icbo） PNP 200mV @ 33MA、1a 200 @ 300MA 、2V -
RN2705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2705je（TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 3113 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2705 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 2.2kohms 47kohms
1SS370TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS370TE85LF -
RFQ
 ECAD 2146 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS370 標準 SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 200 v 1.2 V @ 100 MA 60 ns 1 µA @ 200 v 125°C （最大） 100mA 3PF @ 0V、1MHz
SSM6J214FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J214FE （TE85L、f 0.3900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6J214 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 30 V 3.6a（ta） 1.8V 、10V 50mohm @ 3a 、10V 1.2V @ 1MA 7.9 NC @ 4.5 v ±12V 560 PF @ 15 V - 500MW
TK4A65DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A65DA -
RFQ
 ECAD 7758 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK4A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 3.5a（ta） 10V 1.9ohm @ 1.8a 、10V 4.4V @ 1MA 12 NC @ 10 V ±30V 600 PF @ 25 V - 35W （TC）
RN1604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1604 0.0618
RFQ
 ECAD 1849 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1604 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
2SK3670(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670 -
RFQ
 ECAD 3113 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK3670 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 670ma
TK6R9P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6R9P08QM 1.1400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 80 v 62a（tc） 6V 、10V 6.9mohm @ 31a 、10V 3.5V @ 500µA 39 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 40 V - 89W
TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Tk3p50d 1.1700
RFQ
 ECAD 6966 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK3P50 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 500 V 3a（ta） 10V 3OHM @ 1.5A 、10V 4.4V @ 1MA 7 NC @ 10 V ±30V 280 pf @ 25 v - 60W （TC）
TK7Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7Q60W、S1VQ 2.1200
RFQ
 ECAD 4963 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TK7Q60 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 600 V 7a（ta） 10V 600mohm @ 3.5a 、10V 3.7V @ 350µA 15 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 300 v - 60W （TC）
TK11A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK11A65W、S5x 1.5300
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK11A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 11.1a（ta） 10V 390mohm @ 5.5a 、10V 3.5V @ 450µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 35W （TC）
TPCF8102(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8102 （TE85L -
RFQ
 ECAD 8048 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCF8102 モスフェット（金属酸化物） vs-8（2.9x1.5 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.8V 、4.5V 30mohm @ 3a 、4.5v 1.2V @ 200µA 19 NC @ 5 V ±8V 1550 PF @ 10 V - 700MW
2SA1020-Y(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y（T6omi fm -
RFQ
 ECAD 4882 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TK3A60DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA 1.2100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK3A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 2.5a（ta） 10V 2.8OHM @ 1.3A 、10V 4.4V @ 1MA 9 NC @ 10 V ±30V 380 PF @ 25 V - 30W （TC）
TK3R1A04PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1A04PL 、S4x 1.2700
RFQ
 ECAD 3177 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK3R1A04 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 40 v 82a（tc） 4.5V 、10V 3.8mohm @ 30a 、4.5V 2.4V @ 500µA 63.4 NC @ 10 V ±20V 4670 PF @ 20 V - 36W （TC）
SSM3K56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56ACT、L3F 0.4700
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K56 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 1.4a（ta） 1.5V 、4.5V 235mohm @ 800ma 、4.5V 1V @ 1MA 1 NC @ 4.5 v ±8V 55 PF @ 10 V - 500MW
TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P60W5 、RVQ 1.5900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK8P60 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 8a（ta） 10V 560mohm @ 4a 、10V 4.5V @ 400µA 22 NC @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 v - 80W
TK11A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A50D 2.1600
RFQ
 ECAD 3743 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK11A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 11a（ta） 10V 600mohm @ 5.5a 、10V 4V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 PF @ 25 V - 45W
SSM3K09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K09FU 、LF 0.4200
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 SSM3K09 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 400ma（ta） 3.3V 、10V 700mohm @ 200ma 、10V 1.8V @ 100µA ±20V 20 pf @ 5 v - 150MW
SSM3J143TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J143TU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J143 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.5a（ta） 1.5V 、4.5V 29.8mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 840 PF @ 10 V - 500MW
30JL2C41(F) Toshiba Semiconductor and Storage 30JL2C41 -
RFQ
 ECAD 7236 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 30JL2C 標準 to-3p - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 15a 2 V @ 15 a 50 ns 50 µA @ 600 V -40°C〜150°C
SSM6N37FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37FU 、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 391 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N37 モスフェット（金属酸化物） 300MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 250ma（ta） 2.2OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA - 12pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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