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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TK25A60X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A60X、S5x 4.0100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK25A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 25a（ta） 10V 125mohm @ 7.5a 、10V 3.5V @ 1.2MA 40 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 45W
TPH2R306NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH 、L1Q 1.5700
RFQ
 ECAD 3872 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH2R306 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 60a（tc） 6.5V 、10V 2.3mohm @ 30a 、10V 4V @ 1MA 72 NC @ 10 V ±20V 6100 PF @ 30 V - 1.6W
SSM3K36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36TU 、LF 0.3600
RFQ
 ECAD 2021 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K36 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 500ma（ta） 1.5V 、5V 630mohm @ 200ma 、5v 1V @ 1MA 1.23 NC @ 4 V ±10V 46 PF @ 10 V - 800MW
TK62N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W、S1VF 16.4000
RFQ
 ECAD 6481 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK62N60 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 61.8a 10V 40mohm @ 30.9a 、10V 3.7V @ 3.1MA 180 NC @ 10 V ±30V 6500 PF @ 300 V - 400W （TC）
2SJ438(CANO,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438 -
RFQ
 ECAD 8364 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-220-3フルパック 2SJ438 TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 5a（tj）
RN1110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1110mfv、l3f 0.1700
RFQ
 ECAD 6072 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1110 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 4.7 Kohms
TK8A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A50D 1.6800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK8A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 8a（ta） 10V 850mohm @ 4a 、10V 4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 800 PF @ 25 V - 40W （TC）
CLH03(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh03 -
RFQ
 ECAD 2444 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH03 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 400 V 35 ns - 3a -
2SC2712-BL,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-BL 、LXHF 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント TO-236-3 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 350 @ 2MA 、6V 80MHz
SSM3K122TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K122TU 、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K122 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 2a（ta） 1.5V 、4V 123mohm @ 1a 、4v 1V @ 1MA 3.4 NC @ 4 V ±10V 195 pf @ 10 v - 500MW
CRS15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crs15（TE85L 0.1462
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS15 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 520 mV @ 3 a 50 µA @ 30 V -40°C〜150°C 3a 90pf @ 10V、1MHz
SSM3K15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15FS 、LF -
RFQ
 ECAD 2330 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 SSM3K15 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 4OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA ±20V 7.8 PF @ 3 V - 200MW
CUS10S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10S40 、H3F 0.3500
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS10S40 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 400 mV @ 500 Ma 150 µA @ 40 V 125°C （最大） 1a 120pf @ 0V、1MHz
RN1107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1107ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 1269 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1107 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 10MA 、5V 10 Kohms 47 Kohms
2SK2962,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 -
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2962 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 1a（tj）
RN1112MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1112mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1112 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 22 Kohms
2SC5172(YAZK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5172 -
RFQ
 ECAD 8277 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC5172 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 400 V 5 a 20µa（icbo） npn 1V @ 250ma 、2a 20 @ 500MA 、5V -
2SC5232BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5232BTE85LF 0.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC5232 150 MW SC-59 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 Ma 100na（icbo） npn 250mv @ 10ma 、200ma 500 @ 10MA 、2V 130MHz
HN2C01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage hn2c01fu-y（te85l、f 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN2C01 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN4989(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4989 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4989 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µa（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 47kohms 22kohms
TK8A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A45D 1.6000
RFQ
 ECAD 1532 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK8A45 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 8a（ta） 10V 900mohm @ 4a 、10V 4.4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 700 PF @ 25 V - 35W （TC）
2SA1931,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931 -
RFQ
 ECAD 8362 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1931 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1µa（icbo） PNP 400mv @ 200ma 、2a 100 @ 1a、1V 60MHz
2SD2129,ALPSQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2129 -
RFQ
 ECAD 9406 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SD2129 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 100 V 3 a 100µa（icbo） npn 2V @ 12ma、3a 2000 @ 1.5a、3V -
2SA1680,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680 -
RFQ
 ECAD 4997 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1680 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 120 @ 100MA 、2V 100MHz
HN1A01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1a01fe-gr、lf 0.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN1A01 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
TPH5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5900CNH 、L1Q 1.0100
RFQ
 ECAD 3577 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH5900 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 150 v 9a（ta） 10V 59mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 200µA 7 NC @ 10 V ±20V 600 pf @ 75 v - 1.6W
RN1911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911fe 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1911 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
RN1417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1417 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 3196 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1417 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
CRG07(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG07 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRG07 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 700 Ma 10 µA @ 400 V 175°C （最大） 700MA -
2SA1837,HFEYHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 -
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1837 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 70MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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