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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 現在 -マックス 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） @ @ if、f トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
2SK2995(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2995 -
RFQ
 ECAD 9943 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SK2995 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 250 v 30a（ta） 10V 68mohm @ 15a 、10V 3.5V @ 1MA 132 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 10 V - 90W
2SK3068(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3068 -
RFQ
 ECAD 7876 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK3068 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 500 V 12a（ta） 10V 520mohm @ 6a 、10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 V ±30V 2040 PF @ 10 V - 100W （TC）
TK72A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK72A08N1、S4x 2.2300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK72A08 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 75 v 80a（ta） 10V 4.5mohm @ 40a、10V 4V @ 1MA 175 NC @ 10 V ±20V 8200 PF @ 10 V - 45W
TPCA8045-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8045-H （T2L1後VM -
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8045 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 46a（ta） 4.5V 、10V 3.6mohm @ 23a 、10V 2.3V @ 1MA 90 NC @ 10 V ±20V 7540 PF @ 10 V - 1.6W
TPCP8005-H(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8005-H （TE85L f -
RFQ
 ECAD 2162 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8005 モスフェット（金属酸化物） PS-8（2.9x2.4） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 11a（ta） 4.5V 、10V 12.9mohm @ 5.5a 、10V 2.5V @ 1MA 20 NC @ 10 V ±20V 2150 PF @ 10 V - 840MW
DSF07S30U(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage DSF07S30U -
RFQ
 ECAD 5138 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 DSF07 ショットキー USC ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 700 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 700MA 170pf @ 0V、1MHz
TPCA8028-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8028-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 9696 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv-h カットテープ（CT） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8028 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 50a（ta） 4.5V 、10V 2.8mohm @ 25a 、10V 2.3V @ 1MA 88 NC @ 10 V ±20V 7800 PF @ 10 V - 1.6W
2SD1223(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1223 0.9000
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SD1223 1 W pw-mold ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 80 v 4 a 20µa（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 6MA、3a 1000 @ 3a 、2V -
2SJ360(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360 -
RFQ
 ECAD 6856 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2SJ360 モスフェット（金属酸化物） pw-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 100 pチャネル 60 V 1a（ta） 4V 、10V 730mohm @ 500ma 、10V 2V @ 1MA 6.5 NC @ 10 V ±20V 155 pf @ 10 v - 500MW
2SJ360(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360 -
RFQ
 ECAD 7247 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2SJ360 モスフェット（金属酸化物） pw-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1,000 pチャネル 60 V 1a（ta） 4V 、10V 730mohm @ 500ma 、10V 2V @ 1MA 6.5 NC @ 10 V ±20V 155 pf @ 10 v - 500MW
2SJ610(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ610 （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 7676 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SJ610 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 250 v 2a（ta） 10V 2.55OHM @ 1A 、10V 3.5V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±20V 381 PF @ 10 V - 20W
2SK2544(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2544 -
RFQ
 ECAD 7521 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 2SK2544 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 6a（ta） 10V 1.25OHM @ 3A 、10V 4V @ 1MA 30 NC @ 10 V ±30V 1300 PF @ 10 V - 80W
2SK2845(TE16L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2845 （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 5146 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK2845 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 900 V 1a（ta） 10V 9OHM @ 500MA 、10V 4V @ 1MA 15 NC @ 10 V ±30V 350 PF @ 25 V - 40W （TC）
2SK3342(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3342（TE16L1 -
RFQ
 ECAD 3368 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK3342 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 250 v 4.5a（ta） 10V 1OHM @ 2.5A 、10V 3.5V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 440 PF @ 10 V - 20W （TC）
2SK3700(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3700 2.5200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SK3700 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 900 V 5a（ta） 2.5OHM @ 3A 、10V 4V @ 1MA 28 NC @ 10 V 1150 PF @ 25 V - 150W
2SK3844(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3844 -
RFQ
 ECAD 6308 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SK3844 モスフェット（金属酸化物） TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 45a（ta） 10V 5.8mohm @ 23a 、10V 4V @ 1MA 196 NC @ 10 V ±20V 12400 PF @ 10 V - 45W
CRY91(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cry91 -
RFQ
 ECAD 2201 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F cry91 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 5.5 v 9.1 v 30オーム
CRH01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRH01 （TE85L -
RFQ
 ECAD 9197 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 表面マウント SOD-123F CRH01 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 1 a 35 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 1a -
CRS08(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS08 （TE85L -
RFQ
 ECAD 9469 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 表面マウント SOD-123F CRS08 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 360 mV @ 1.5 a 1 mA @ 30 v -40°C〜125°C 1.5a -
TPCA8010-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H （TE12L、Q -
RFQ
 ECAD 9297 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8010 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 200 v 5.5a（ta） 10V 450mohm @ 2.7a 、10V 4V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 10 V - 1.6W
1SV308(TH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV308 -
RFQ
 ECAD 8277 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 125°C （TJ） SC-79、SOD-523 1SV308 ESC ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 4,000 50 Ma 0.5pf @ 1V、1MHz ピン -シングル 30V 1.5OHM @ 10MA 、100MHz
CCS15F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage ccs15f40、l3f 0.4800
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし CCS15F40 ショットキー CST2C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 40 v 640 mV @ 1.5 a 25 µA @ 40 V 150°C （最大） 1.5a 130pf @ 0V、1MHz
SSM3J353F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J353F 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 SSM3J353 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 2a（ta） 4V 、10V 150mohm @ 2a 、10V 2.2V @ 250µA 3.4 NC @ 4.5 v +20V、-25V 159 PF @ 15 V - 600MW
SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56ACT 、L3F 0.3900
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3J56 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 pチャネル 20 v 1.4a（ta） 1.2V 、4.5V 390mohm @ 800ma 、4.5v 1V @ 1MA 1.6 NC @ 4.5 v ±8V 100 pf @ 10 v - 500MW
RN1117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1117mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1117 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
SSM3J351R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J351R 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J351 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 60 V 3.5a（ta） 4V 、10V 134mohm @ 1a 、10v 2V @ 1MA 15.1 NC @ 10 V +10V、-20V 660 PF @ 10 V - 2W （TA）
SSM3K15ACTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACTC、L3F 0.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K15 モスフェット（金属酸化物） CST3C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 3.6OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA ±20V 13.5 pf @ 3 v - 500MW
TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P60Y 、RQ 1.7400
RFQ
 ECAD 1946年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK290P60 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 11.5a 10V 290mohm @ 5.8a 、10V 4V @ 450µA 25 NC @ 10 V ±30V 730 pf @ 300 v - 100W （TC）
TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y 、RQ 1.9500
RFQ
 ECAD 7937 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK290P65 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 11.5a 10V 290mohm @ 5.8a 、10V 4V @ 450µA 25 NC @ 10 V ±30V 730 pf @ 300 v - 100W （TC）
TK380P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK380P65Y 、RQ 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK380P65 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 9.7a（tc） 10V 380mohm @ 4.9a 、10V 4V @ 360µA 20 NC @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 v - 80W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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