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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
RN1904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1904fe、lf（ ct 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1904 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
1SS393,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS393、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 347 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS393 ショットキー SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V -40°C〜100°C
1SS301SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS301SU 、LF -
RFQ
 ECAD 1998年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS301 標準 SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
2SC2229-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y （TE6 -
RFQ
 ECAD 2366 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
RN1316,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn1316、lf 0.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1316 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
2SA1588-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1588-Y 、LF 0.2300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SA1588 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 Ma 100na（icbo） PNP 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 100MA、1V 200MHz
CLH01(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh01 -
RFQ
 ECAD 4207 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH01 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 3 a 35 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 3a -
TK60E08K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK60E08K3 -
RFQ
 ECAD 6639 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 - 穴を通して TO-220-3 TK60E08 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 75 v 60a 9mohm @ 30a 、10V - 75 NC @ 10 V - 128W
RN1312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1312 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1312 150 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 22 Kohms
RN1906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1906 -
RFQ
 ECAD 8467 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1906 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 47kohms
CRS04(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS04 （TE85L -
RFQ
 ECAD 7404 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 表面マウント SOD-123F CRS04 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 510 mv @ 1 a 100 µA @ 40 V -40°C〜150°C 1a -
2SC2229-Y(SHP1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2229-y（shp1 -
RFQ
 ECAD 8240 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
RN1964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1964fe 0.1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1964 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
RN1112(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1112 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1112 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 22 Kohms
TK5A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A90E、S4x 1.4600
RFQ
 ECAD 9249 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 900 V 4.5a（ta） 10V 3.1OHM @ 2.3A 、10V 4V @ 450µA 20 NC @ 10 V ±30V 950 PF @ 25 V - 40W （TC）
2SC2655-Y(T6TOJ,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y（t6toj fm -
RFQ
 ECAD 5228 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN2112MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2112MFV 、L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2112 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 22 Kohms
SSM3K376R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K376R 、LXHF 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 4a（ta） 1.8V 、4.5V 56mohm @ 2a 、4.5v 1V @ 1MA 2.2 NC @ 4.5 v +12V、-8V 200 pf @ 10 v - 1W
TK2R4A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4A08QM、S4x 2.8700
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 100a（tc） 6V 、10V 2.44mohm @ 50a 、10V 3.5V @ 2.2MA 179 NC @ 10 V ±20V 13000 pf @ 40 V - 47W （TC）
HN2A01FE-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FE-GR （TE85LF -
RFQ
 ECAD 8778 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN2A01 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 4,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 800MHz
SSM3J351R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J351R 、LXHF 0.6500
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 60 V 3.5a（ta） 4V 、10V 134mohm @ 1a 、10v 2V @ 1MA 15.1 NC @ 10 V +10V、-20V 660 PF @ 10 V - 1W
RN2118MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118MFV 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2118 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 50 @ 10ma 、5v 47 Kohms 10 Kohms
TK50E08K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK50E08K3、S1X s -
RFQ
 ECAD 8993 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 - 穴を通して TO-220-3 TK50E08 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 75 v 50a（tc） 12mohm @ 25a 、10V - 55 NC @ 10 V - -
2SA1428-O,T2CLAF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-O 、T2Claf（m -
RFQ
 ECAD 3673 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SA1428 900 MW MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325-O （TE85L 0.3900
RFQ
 ECAD 9502 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC3325 200 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 70 @ 100MA、1V 300MHz
SSM3K339R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K339R 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K339 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 40 v 2a（ta） 1.8V 、8V 185mohm @ 1a 、8V 1.2V @ 1MA 1.1 NC @ 4.2 v ±12V 130 pf @ 10 v - 1W
1SV285TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV285TPH3F 0.0834
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 125°C （TJ） 表面マウント SC-79、SOD-523 1SV285 ESC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 4,000 2.35pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 2.3 C1/C4 -
2SC4944-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4944-GR （TE85L f 0.3500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 2SC4944 200 MW USV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
TK6A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK6A65W、S5x 1.7300
RFQ
 ECAD 4293 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK6A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 5.8a（ta） 10V 1OHM @ 2.9A 、10V 3.5V @ 180µA 11 NC @ 10 V ±30V 390 pf @ 300 v - 30W （TC）
TK10E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK10E80W、S1x 3.6500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 9.5a（ta） 10V 550mohm @ 4.8a 、10V 4V @ 450µA 19 NC @ 10 V ±20V 1150 pf @ 300 v - 130W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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